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摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。本文为第二篇，将介绍三种替代Si和SiC MOSFET的方案。 （一）SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 SiC JFET 常开型 极低的导通电阻RDS(on） 栅极偏置电压为0V时导通 栅极驱动电压范围：-20V至+2V 通过栅极电阻RG控制开关速度 可利用PN结二极管作为芯片温度TJ传感器实现自监测 文章配图-1 SiC Combo JFET 常闭型 可独立访问MOSFET与JFET栅极 集成芯片温度检测功能 通过栅极电阻RG控制开关速度 通过施加2V VGS和1mA的正向偏置电流，对JFET的栅极进行过驱动，可使RDS(on）进一步降低10–15% 可选通过JFET栅极控制开关速度 支持多FET器件并联 更适合低速开关应用 文章配图-1 SiC Cascode JFET 常闭型 极低导通电阻RDS(on），关断损耗极小 在0V时可作为电压阻断器 栅极驱动电压范围：0V至+12V，或使用缓冲电路时-5V至+20V（-3V至+18V时可实现最佳MOSFET性能） 可使用市售栅极驱动器，实现更灵活的栅极驱动 可通过外部RG控制开关速度（有一定开关损耗），或使用缓冲电容C控制 具备优异的MOSFET体二极管特性，正向压降VF极低，反向恢复电荷QRR极小 更适合高频开关应用 文章配图-1 （4）SiC MOSFET 常闭型 低导通电阻RDS(on） 便于并联与速度控制 不具备温度自监测功能 文章配图-1 （二）SiC JFET的驱动灵活性

摘要：随着软件定义汽车加速落地，高效、精简、适配车载场景的通信技术成为行业核心诉求。10BASE-T1S作为专为车载与工业场景打造的以太网技术，为破解车载网络瓶颈统一提供了关键方案。为帮助大家完整理解这项技术的核心价值，我们将通过两篇技术文章详细介绍。第一篇文章介绍了车载网络的发展痛点、精简型以太网的行业需求等，本文将重点介绍10BASE-T1S芯片。 安森美（onsemi）如何打造出众的10BASE-T1S芯片 图1：安森美T30HM1TS2500产品图 安森美依托在10BASE-T1S以太网领域的深厚技术积累，推出了第二代10BASE-T1S MAC-PHY器件，T30HM1TS2500完全符合IEEE 802.3cg和OPEN Alliance TC14/10/6标准。这款收发器采用高性价比的阶梯式可润湿侧翼QFNW20（4mm×4mm）封装，基于双极CMOS/DMOS（BCD）65nm工艺打造，可将高压模拟功能与高密度数字功能相结合。T30HM1TS2500实现了安森美独有的几项10BASE-T1S功能，包括： PLCA协调器冗余 单对多点网络拓扑需要采用半双工通信方案，同一时刻仅允许一个节点正常通信；若多个节点同时发送数据，将引发冲突并造成两个发送站的数据损坏，导致传输无法使用。 传统以太网总线拓扑中，解决此类冲突的唯一标准方案为载波侦听多路访问/冲突检测（CSMA/CD）协议。CSMA/CD机制要求设备在发送前先侦听信道，一旦检测到冲突则随机退避并重传，最多重试16次。这种处理问题的方法不具有确定性，效率低下。底层的退避机制会导致每次尝试后等待时间加倍。与其说是仲裁，不如说是一种尽力而为的方法。 图2：PLCA中的事件顺序 如图2所示，在由六个节点共享的总线上，协调器节点会发送一个时长为2μs的短帧专用符号，用于标识传输周期的起始。当接收到信标信号时，连接的节点

－适用于工作温度高达125°C的工业应用－ 东芝宣布，推出“TDS5C212MX”和“TDS5B212MX”两款2:1多路复用（Mux）/1:2解复用（De Mux）开关，支持PCIe®6.0[1]、USB4®2.0版[2]等新一代高速接口。新产品即日起开始批量出货。 文章配图-1 随着服务器、工业测试设备、机器人及个人电脑不断发展，在日益受限的板载空间内，对PCIe® 6.0与USB4®2.0等超高速、宽带宽差分信号进行可靠切换的需求不断增长。东芝新产品采用自主的SOI工艺（TarfSOI™）[3]，实现业界领先[4]的–3dB带宽（差分）：TDS5C212MX为34GHz（典型值）、TDS5B212MX为29GHz（典型值）。宽带特性可显著抑制信号波形失真，提升高速数据传输的可靠性。 文章配图-2 TDS5C212MX的差分插入损耗与–3dB带宽（差分） 该系列器件可在高速差分信号应用（如PCIe®6.0、USB4®2.0）中用作2输入／1输出的复用开关，或1输入／2输出的解复用开关。它们支持在多设备共享单个高速接口，并可根据系统需求切换信号路径。 两款产品均采用针对高频特性优化的引脚布局。尤其是TDS5C212MX通过缩短信号路径长度来降低反射与损耗，从而提升高速信号完整性。两者均支持–40°C至125°C的工作温度范围，适用于工业应用。 东芝将持续开发支持高速接口演进的高性能、高可靠性模拟开关，为下一代系统的发展作出贡献。 应用： · 工业测试设备、机器人 · 个人电脑、服务器、移动设备、可穿戴设备等 支持的接口 · PCIe®系列：PCIe6.0／5.0／4.0／3.0 · CXL™系列：CXL3.0／2.0／1.0 · USB系列：USB4®2.0版／USB4®／USB3.2 Gen2×1／Gen1×1 · Thunderbolt™系列：Thunderbolt5

营业收益同比增长是营业收入同比增长的2倍   安森美公布其2026年第一季度业绩，要点如下： • 第一季度营收为15.13亿美元，高于公司业绩指引中值 • 第一季度公认会计原则（以下简称“GAAP”）与非GAAP毛利率均为38.5% • 第一季度GAAP营业利润率为(3.5)%，非GAAP营业利润率为19.1% • 第一季度GAAP每股摊薄收益为(0.08)美元，非GAAP每股摊薄收益为0.64美元 • 第一季度股票回购金额为3.46亿美元，约占自由现金流的160% 安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示：“随着第一季度的市场需求持续增强，我们的业绩超出预期，并已走出行业周期低谷，踏上复苏之路。我们的AI数据中心业务加速增长，环比增幅超过30%。展望未来，我们对业务的基本面以及由汽车、工业和AI数据中心应用中半导体含量持续提升所带来的长期机遇充满信心。” 安森美执行副总裁兼首席财务官Thad Trent表示：“通过持续的运营改善，我们在业务中实现了强劲的经营杠杆效应，营业收益同比增长10%，增速达到营业收入同比增长的两倍。强大的产品组合与优化的成本结构，使我们能够在市场环境持续改善的情况下加快利润率和盈利增长。我们持续实现稳健的自由现金流并向股东返还资本，并将以审慎的方式专注于为股东创造长期价值。” 2026年第一季度业务亮点： AI数据中心收入同比增长超过一倍，得益于多家芯片平台及领先的超大规模云服务商在电源系统各环节的更广泛采用 安森美EliteSiC引领电动汽车架构向900V转型，实现更长续航与闪充能力，并扩大与吉利、蔚来的合作 软件定义汽车的发展势头持续增强，基于Treo的10BASE T1S以太网解决方案已实现初始量产出货，支持北美一家领先整车厂的下一代区域控制架构 宣布与上能电气（Sineng Electric）达成新的设计合作，

思特威近日宣布，全新推出高性能智能安防应用CMOS图像传感器——SC2338V(2MP)和SC4338V(4MP)。两款新品基于思特威DSI™-3工艺技术打造，搭载思特威创新的SmartAOV®2.1技术，支持全时录像(AOV)功能，能够满足无线电池供电摄像头、4G太阳能监控等设备的全天候稳定拍摄需求。此外，SC2338V和SC4338V基于InSensor HDR™、SFCPixel®等先进技术，对动态范围、噪声等性能进行了全面优化，能够为监控摄像头带来清晰的优质升级影像。 SmartAOV®2.1技术，全时低功耗清晰录制 随着无线电池供电摄像头、4G太阳能监控等低功耗设备应用规模的持续扩大，监控摄像头对CIS产品全时低功耗录制的影像升级功能需求日益提升。作为思特威首批在FSI工艺中实现SmartAOV®2.1技术应用的CIS产品，SC2338V和SC4338V支持全时录像(AOV, Always-On Video)功能。在遇到事件触发时，SC2338V和SC4338V可极速启动，并以30fps的常规帧率实现连续完整的视频拍摄；在无事件触发时，SC2338V和SC4338V能够以每秒一帧的低帧率进行低功耗录制。 SC2338V和SC4338V搭载思特威创新的SmartAOV®2.1技术，显著提升了内置高帧率低分辨率小图的收敛速度，能够快速完成每秒一帧环境光骤变场景下的配置切换。基于该优化功能，SC2338V和SC4338V可帮助主控更快获取全分辨率输出图像所需的曝光、增益与白平衡参数，从而迅速实现清晰稳定的画面效果，并能够有效降低摄像头运行功耗，助力无线电池供电摄像头及4G太阳能监控设备实现7*24小时全天候持续稳定的视频拍摄。 InSensor HDR™先进技术，高动态范围高质量影像捕捉 基于思特威创新的InSensor HDR™片上单帧多增益图像融合技术，SC2338

该器件封装尺寸为3.0 mm x 3.0 mm，可提供低至8.6 m的直流内阻 (DCR) 和高达14.3 A的额定电流，厚度规格有1.2 mm、1.5 mm和2.0 mm 日前，威世科技Vishay宣布，推出一款采用紧凑型1212封装的新型IHLP薄形大电流电感器---IHLP1212-EZ-1Z。对于空间受限的商业应用，Vishay Dale IHLP1212-EZ-1Z采用紧凑的 3.0 mm \uC3 3.0 mm 封装尺寸，提供1.2 mm、1.5 mm和2.0 mm三种厚度规格，其电气性能与更大尺寸的器件相当。 日前发布的这款产品针对电源管理（PMIC）中的薄形DC/DC转换器、电力线噪声抑制及滤波应用进行了优化。该电感器的应用领域包括工业驱动器和工具、家庭及楼宇控制、计算机和计算机外设、消费类娱乐和医疗保健设备、电信设备以及医疗器械。 IHLP1212-EZ-1Z旨在为这些应用提供高效率，其典型DCR范围为 8.6 m至50.4 m，电感值范围广泛（0.22 ?H至3.3 ?H）。该电感器额定电流高达14.3 A，工作温度范围为-55 C至+125 C，且能承受高瞬变电流尖峰而不会饱和。 与铁氧体技术相比，IHLP1212-EZ-1Z性能更优。IHLP1212-EZ-1Z采用坚固的铁粉芯体，完全包裹其绕组 – 这消除了气隙，并能磁屏蔽对附近元件的串扰；同时，其平缓的饱和曲线在整个工作温度和额定电流范围内保证了性能稳定。 该电感器采用100 %无铅屏蔽复合结构封装，可将蜂鸣噪声降至超低水平，具有抗热冲击、防潮和抗机械冲击能力。该器件符合RoHS标准，无卤素，满足Vishay绿色标准。 器件规格表： (1) 温升 (ΔT) 40 \uC2C时的直流电流 (A) (2)感值L0下降约20 %时的直流电流 (A) (3) 感值L0下降约30 %时的直流电流 (A) I

深度感知是现实机器视觉应用中不可或缺的关键功能。安森美（onsemi）的Hyperlux ID间接飞行时间（iToF）深度传感器，凭借更少、更小、更简单的器件，即可实现高精度深度感知。 现代机器不仅要能够移动，更需自主感知周围环境、识别操作对象，并理解周围的世界。工业组件要实现真正的自动化，其核心在于感知、定位并与世界交互的能力。当这类组件由人工智能（AI）驱动时，就需要深度传感器为处理器提供视觉感知能力。 对机器视觉而言，要实现这种感知级别的识别能力，绝非易事。 当机器执行物体操作或规划前方路径时，其处理器需要在极短时间内获取尽可能多的深度数据点。传统图像传感器会产生大量数字伪影，包括光晕、拖影、过饱和以及运动模糊。这些伪影并非真实的环境信息，如果缺乏深度感知功能及深度数据的有效解析手段，机器的处理器将无法做出准确推断。我们固然可以寄希望于人工智能或机器学习算法，助力机器区分真实场景与虚假干扰。但这里真正需要的是一款性能强大且稳定可靠的深度传感器，从而让机器无需再从不可靠的视觉证据中去推测真实场景。 本白皮书旨在探讨如何为具体应用挑选合适的深度传感器。作为全球领先的半导体器件制造商之一，安森美生产各类传感器设备，包括基于CMOS的图像传感器、超声波传感器、短波红外（SWIR）传感器以及激光雷达。 正如本白皮书[PDF]中所阐述，激光雷达之所以能实现远距离深度感知，是因为它采用了直接飞行时间（dToF）技术。当应用场景中最关键的数据需求是实时测距时，dToF技术能为激光雷达提供优于其他深度感知方法的采集速率，并具备检测激光回波路径中多个物体的能力。通过采用二维单光子雪崩二极管（SPAD）和硅光电倍增管阵列（SiPM）技术，安森美激光雷达组件能够探测最远300米范围内的单光子信号。 然而激光雷达在分辨率方面存在局限。为实现全视场覆盖，激光雷达需对前方场景进行扫描，就像用画笔在

EliteSiC技术助力上能电气提升其高功率储能与光伏逆变器解决方案的能效、功率密度和长期可靠性 摘要 安森美宣布与上能电气达成一项新的设计合作：上能电气将在两大公用事业级可再生能源平台中采用安森美最新一代混合功率集成模块（PIM）。该模块集成安森美的FS7绝缘栅双极晶体管（IGBT）与EliteSiC技术，将用于上能电气下一代430kW液冷储能系统（ESS）和320kW公用事业级光伏组串式逆变器。借助安森美的技术，上能电气的解决方案将实现更高的能效、功率密度、更低的开关损耗和更出色的热性能，推动公用事业级可再生能源应用性能标准的提升。在与竞品功率模块的基准测试中，安森美基于FS7的混合PIM用于320kW光伏逆变器中，提升了0.07%的能效，并将损耗降低了225W。 新闻要点 安森美与上能电气达成新的设计合作，为其430kW液冷储能系统与320kW光伏逆变器提供支持 安森美最新一代PIM提升0.1%的能效，从而使逆变器系统级的功率重量比性能提升32% 该混合PIM采用高密度F5BP封装，集成FS7绝缘栅双极晶体管与EliteSiC技术，可降低达8%的功率损耗、10%的开关损耗，并提升功率密度 安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）宣布，其混合功率集成模块（PIM）将应用于上能电气下一代430kW液冷储能系统（ESS）以及320kW公用事业级光伏组串式逆变器。这一设计合作进一步巩固了安森美与上能电气之间的长期合作关系，为快速增长的可再生能源与人工智能（AI）基础设施市场提供高性能、面向未来的解决方案。 行业领先的功率模块技术 上能电气新平台的核心——安森美最新一代集成FS7绝缘栅双极晶体管（IGBT）和碳化硅（SiC）的混合功率集成模块（PIM），采用F5BP封装，旨在提升公用事业级光伏组串式逆变器与储能系统（ESS）的输出功率。与前代产品相比，这些模块在相同尺

这些器件结合了高线性电流传输比（CTR）和0.5 mA的低正向电流，支持高达+125 °C的工作温度，提供了四种封装选择 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出全新系列光电晶体管光耦合器---VOx619A，该系列产品在温度变化的环境下支持高线性电流传输比（CTR）和0.5 mA的低正向电流。Vishay VOx619A系列有四种封装选择：DIL-4、长爬电距离型LSOP-4、紧凑型SOP-4和半间距SSOP-4，支持高达+125 °C的高温工作环境，可提高工业应用的精度和能效。 相比上一代解决方案，该系列光耦合器的正向电流降低了50 %，这使得在微出行、工业、能源计量、通信和消费品应用中的设计更加节能，从而减少功耗。在这些应用中，这些器件转为需要在DC/DC转换器、可编程控制器和电源中进行信号传输并具备电气隔离和噪声隔离而设计。它们还能够与电流驱动能力有限的器件（如微控制器）配合使用。 传统光耦合器的电流传输比（CTR）在温度达到25 °C 时可能会下降到规定值的50%以下，而VOx619A系列在整个宽温度范围内CTR保持在> 75 %。这种线性特性确保了信号的高保真传输，这对于需要精确数据处理的应用至关重要。上一代解决方案的温度范围仅限于+110 °C（传统耦合器通常仅能承受+85 °C），而VOx619A系列支持更大的温度范围，保证了在极端条件下的可靠性能。 VOx619A系列器件配备了一个与光电晶体管检测器光学耦合的红外发射二极管。 DIL-4和LSOP-4封装的光耦合器提供了高达5000 VRMS的最大额定隔离电压，爬电距离和电气间隙分别为≥ 7 mm和≥ 8 mm。SOP-4和SSOP-4封装的器件提供更紧凑的选项，以节省电路板空间，同时提供3750 VRMS的电压隔离，爬电距离和电气

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新推出四款采用小型S-VSON4T封装的电压驱动型光继电器——“TLP3407SRB”、“TLP3412SRB”、“TLP3412SRHB”和“TLP3412SRLB”。该系列新品适用于高温环境工作的器件，最高额定工作温度可达135°C。四款新品于今日开始支持批量出货。 电气化和自动驾驶技术的高速发展，使得汽车设备中的电子元件需采用高密度封装，这导致车载半导体工作温度升高，也要求元件需要通过类似条件下的测试，以确保可靠性。因此，用于车载半导体的测试设备、老化设备、探针卡以及其中所使用的光继电器均需具备高温工作能力。 东芝通过优化内置元件的设计，将新款光继电器的最高工作温度从现有产品[1]的125°C提升至135°C。此外，由于产品采用输入侧内置电阻的电压驱动型设计，无需外接电阻，有助于减少电路板面积。同时，该产品采用尺寸典型值为1.45mm×2.0mm的小型S-VSON4T封装，实现整体器件的小型化。 这些特性的结合使新款光继电器非常适合应用于车载半导体测试设备、探针卡和老化设备中——在有限的电路板空间内安装多个光继电器，并且需要可靠的高温工作能力。 未来，东芝将继续扩充支持高温设备工作的光继电器产品线，为车载设备的电气化与自动驾驶的提高做出贡献。 应用： 用于测试存储器、SoC、LSI等的半导体测试设备 探针卡 老化设备 特性： 最高额定工作温度：135°C 小型封装：S-VSON4T（1.45mm×2.0mm（典型值）） 主要规格： （除非另有说明，Ta＝25°C） 注： [1] TLP3407SRA、TLP3412SRA、TLP3412SRHA和TLP3412SRLA *本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。 *本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变