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深度感知是现实机器视觉应用中不可或缺的关键功能。安森美（onsemi）的Hyperlux ID间接飞行时间（iToF）深度传感器，凭借更少、更小、更简单的器件，即可实现高精度深度感知。 现代机器不仅要能够移动，更需自主感知周围环境、识别操作对象，并理解周围的世界。工业组件要实现真正的自动化，其核心在于感知、定位并与世界交互的能力。当这类组件由人工智能（AI）驱动时，就需要深度传感器为处理器提供视觉感知能力。 对机器视觉而言，要实现这种感知级别的识别能力，绝非易事。 当机器执行物体操作或规划前方路径时，其处理器需要在极短时间内获取尽可能多的深度数据点。传统图像传感器会产生大量数字伪影，包括光晕、拖影、过饱和以及运动模糊。这些伪影并非真实的环境信息，如果缺乏深度感知功能及深度数据的有效解析手段，机器的处理器将无法做出准确推断。我们固然可以寄希望于人工智能或机器学习算法，助力机器区分真实场景与虚假干扰。但这里真正需要的是一款性能强大且稳定可靠的深度传感器，从而让机器无需再从不可靠的视觉证据中去推测真实场景。 本白皮书旨在探讨如何为具体应用挑选合适的深度传感器。作为全球领先的半导体器件制造商之一，安森美生产各类传感器设备，包括基于CMOS的图像传感器、超声波传感器、短波红外（SWIR）传感器以及激光雷达。 正如本白皮书[PDF]中所阐述，激光雷达之所以能实现远距离深度感知，是因为它采用了直接飞行时间（dToF）技术。当应用场景中最关键的数据需求是实时测距时，dToF技术能为激光雷达提供优于其他深度感知方法的采集速率，并具备检测激光回波路径中多个物体的能力。通过采用二维单光子雪崩二极管（SPAD）和硅光电倍增管阵列（SiPM）技术，安森美激光雷达组件能够探测最远300米范围内的单光子信号。 然而激光雷达在分辨率方面存在局限。为实现全视场覆盖，激光雷达需对前方场景进行扫描，就像用画笔在

EliteSiC技术助力上能电气提升其高功率储能与光伏逆变器解决方案的能效、功率密度和长期可靠性 摘要 安森美宣布与上能电气达成一项新的设计合作：上能电气将在两大公用事业级可再生能源平台中采用安森美最新一代混合功率集成模块（PIM）。该模块集成安森美的FS7绝缘栅双极晶体管（IGBT）与EliteSiC技术，将用于上能电气下一代430kW液冷储能系统（ESS）和320kW公用事业级光伏组串式逆变器。借助安森美的技术，上能电气的解决方案将实现更高的能效、功率密度、更低的开关损耗和更出色的热性能，推动公用事业级可再生能源应用性能标准的提升。在与竞品功率模块的基准测试中，安森美基于FS7的混合PIM用于320kW光伏逆变器中，提升了0.07%的能效，并将损耗降低了225W。 新闻要点 安森美与上能电气达成新的设计合作，为其430kW液冷储能系统与320kW光伏逆变器提供支持 安森美最新一代PIM提升0.1%的能效，从而使逆变器系统级的功率重量比性能提升32% 该混合PIM采用高密度F5BP封装，集成FS7绝缘栅双极晶体管与EliteSiC技术，可降低达8%的功率损耗、10%的开关损耗，并提升功率密度 安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）宣布，其混合功率集成模块（PIM）将应用于上能电气下一代430kW液冷储能系统（ESS）以及320kW公用事业级光伏组串式逆变器。这一设计合作进一步巩固了安森美与上能电气之间的长期合作关系，为快速增长的可再生能源与人工智能（AI）基础设施市场提供高性能、面向未来的解决方案。 行业领先的功率模块技术 上能电气新平台的核心——安森美最新一代集成FS7绝缘栅双极晶体管（IGBT）和碳化硅（SiC）的混合功率集成模块（PIM），采用F5BP封装，旨在提升公用事业级光伏组串式逆变器与储能系统（ESS）的输出功率。与前代产品相比，这些模块在相同尺

这些器件结合了高线性电流传输比（CTR）和0.5 mA的低正向电流，支持高达+125 °C的工作温度，提供了四种封装选择 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出全新系列光电晶体管光耦合器---VOx619A，该系列产品在温度变化的环境下支持高线性电流传输比（CTR）和0.5 mA的低正向电流。Vishay VOx619A系列有四种封装选择：DIL-4、长爬电距离型LSOP-4、紧凑型SOP-4和半间距SSOP-4，支持高达+125 °C的高温工作环境，可提高工业应用的精度和能效。 相比上一代解决方案，该系列光耦合器的正向电流降低了50 %，这使得在微出行、工业、能源计量、通信和消费品应用中的设计更加节能，从而减少功耗。在这些应用中，这些器件转为需要在DC/DC转换器、可编程控制器和电源中进行信号传输并具备电气隔离和噪声隔离而设计。它们还能够与电流驱动能力有限的器件（如微控制器）配合使用。 传统光耦合器的电流传输比（CTR）在温度达到25 °C 时可能会下降到规定值的50%以下，而VOx619A系列在整个宽温度范围内CTR保持在> 75 %。这种线性特性确保了信号的高保真传输，这对于需要精确数据处理的应用至关重要。上一代解决方案的温度范围仅限于+110 °C（传统耦合器通常仅能承受+85 °C），而VOx619A系列支持更大的温度范围，保证了在极端条件下的可靠性能。 VOx619A系列器件配备了一个与光电晶体管检测器光学耦合的红外发射二极管。 DIL-4和LSOP-4封装的光耦合器提供了高达5000 VRMS的最大额定隔离电压，爬电距离和电气间隙分别为≥ 7 mm和≥ 8 mm。SOP-4和SSOP-4封装的器件提供更紧凑的选项，以节省电路板空间，同时提供3750 VRMS的电压隔离，爬电距离和电气

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新推出四款采用小型S-VSON4T封装的电压驱动型光继电器——“TLP3407SRB”、“TLP3412SRB”、“TLP3412SRHB”和“TLP3412SRLB”。该系列新品适用于高温环境工作的器件，最高额定工作温度可达135°C。四款新品于今日开始支持批量出货。 电气化和自动驾驶技术的高速发展，使得汽车设备中的电子元件需采用高密度封装，这导致车载半导体工作温度升高，也要求元件需要通过类似条件下的测试，以确保可靠性。因此，用于车载半导体的测试设备、老化设备、探针卡以及其中所使用的光继电器均需具备高温工作能力。 东芝通过优化内置元件的设计，将新款光继电器的最高工作温度从现有产品[1]的125°C提升至135°C。此外，由于产品采用输入侧内置电阻的电压驱动型设计，无需外接电阻，有助于减少电路板面积。同时，该产品采用尺寸典型值为1.45mm×2.0mm的小型S-VSON4T封装，实现整体器件的小型化。 这些特性的结合使新款光继电器非常适合应用于车载半导体测试设备、探针卡和老化设备中——在有限的电路板空间内安装多个光继电器，并且需要可靠的高温工作能力。 未来，东芝将继续扩充支持高温设备工作的光继电器产品线，为车载设备的电气化与自动驾驶的提高做出贡献。 应用： 用于测试存储器、SoC、LSI等的半导体测试设备 探针卡 老化设备 特性： 最高额定工作温度：135°C 小型封装：S-VSON4T（1.45mm×2.0mm（典型值）） 主要规格： （除非另有说明，Ta＝25°C） 注： [1] TLP3407SRA、TLP3412SRA、TLP3412SRHA和TLP3412SRLA *本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。 *本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变

全球知名半导体制造商ROHM宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。 在以大功率工作的功率转换电路中，SiC功率元器件虽有助于提高效率和可靠性，但外围电路设计和热设计所需的工时往往会增加。ROHM此次发布的参考设计可覆盖高达300kW级的输出功率范围，支持在车载设备及工业设备等广泛的应用领域中使用SiC功率模块。 目前已有三种可与本参考设计配套使用的SiC模块在电商平台上销售，通过Ameya360、Oneyac等电商平台均可购买。 ＜关于参考设计＞ ※本参考设计旨在供用户利用已公开的设计数据进行开发。如需获取参考设计板或评估套件，请联系ROHM销售代表或通过ROHM官网的“联系我们”垂询。（※数量有限） ＜关于SiC模块的网售＞ 可通过登录罗姆官网查看下述新闻稿，或点击下面链接查看电商平台正在销售的SiC模块详细信息： 新闻稿：ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售 ＜仿真支持＞ 为了加快产品的评估和应用，ROHM还提供各种支持资源，通过包括仿真和热设计在内的丰富解决方案，为用户的产品选型提供支持。 用户可从各参考设计页面下载与评估板相关的各种设计数据，并可从各产品页面下载可与参考设计配套使用的SiC模块产品信息。 另外，利用ROHM官网提供的仿真工具ROHM Solution Simulator，从元器件选型阶段即可进行系统级验证。 ■HSDIP20：参考设计 / ROHM Solution Simulator / LTspice®电路模型 ■DOT-247：参考设计 / ROHM

器件提供即插即用的替换方式，降低导通损耗，提高工业应用的效率 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用紧凑型、全绝缘SOT-227封装的新型100 V Gen 2 Trench MOS 势垒肖特基（TMBS®）整流模块---100 A VS-QA100FA10、200 A VS-QA200FA10和400 A VS-QA400FA10，以及150 A单相桥式VS-QA150BA10。这些器件适用于各种工业应用功率转换，正向压降低至0.83 V达到业内先进水平，有助于减少导通损耗。 日前发布的Vishay Semiconductors整流模块包括配置双二极管并联结构的100 A VS-QA100FA10、200 A VS-QA200FA10和400 A VS-QA400FA10，以及150 A单相桥式VS-QA150BA10。采用行业标准SOT-227封装，这些器件可以即插即用方式替换竞品解决方案，提高效率。 这些新型模块正向压降极低，额定电流高，Qrr可忽略不计，工作温度高达+150 C。器件可用于高频转换器和电源，适用于焊接和工业SMPS应用、48 V轻型电动车和通信设备，以及大型电池系统的阻流二极管。 VS-QA100FA10、VS-QA150BA10、VS-QA200FA10和VS-QA400FA10符合RoHS标准，并通过UL E78996认证。 器件规格表： 新型TMBS整流模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为18周。

2025年通过股票回购向股东返还14亿美元自由现金流 安森美宣布公布其2025年第四季度及全年财务业绩，要点如下： 第四季度收入为15.30亿美元 第四季度公认会计原则（以下简称“GAAP”）和非GAAP毛利率分别为36.0%和38.2% 第四季度GAAP营业利润率和非GAAP营业利润率分别为13.1%和19.8% 第四季度GAAP每股摊薄收益和非GAAP每股摊薄收益分别为0.45美元和0.64美元 2025年运营现金流为18亿美元，自由现金流为14亿美元，自由现金流率创历史新高，达到24% “我们在第四季度保持了严谨的执行力，业绩符合预期，并看到重点市场逐步企稳的迹象，”安森美总裁兼CEO Hassane El-Khoury说，“我们将继续投资于智能电源和感知技术，以在塑造行业未来的关键技术转型中占据领先地位。我们的战略非常清晰：通过创新，在汽车、工业以及人工智能（AI）数据中心电源领域引领市场，为客户提供更高价值的解决方案，并为股东创造长期回报。” “2025年，我们的自由现金流达到了14亿美元，并通过股票回购向股东返还了全年100%的自由现金流。随着主要投资周期的结束以及新技术逐步放量，公司的财务基础持续夯实。通过在全公司范围内推动成本结构的实质性改善，我们不断增强运营模式的杠杆效应，”安森美执行副总裁兼首席财务官Thad Trent表示，“我们将持续专注于卓越运营和利润率提升，并已为市场环境改善做好充分准备。” 2025年第四季度业务亮点： 宣布授权一项新股票回购计划，未来三年内回购规模最高可达60亿美元 发布垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，在功率密度、能效和可靠性方面树立了新的行业标杆 与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录（MoU），探索利用其成熟的200mm GaN‑on‑silicon工艺扩大氮化镓功率器件产能 与格罗方德（GlobalFoun

全球微电子工程公司Melexis宣布，推出一款具备22位高分辨率的电感式编码器芯片——MLX90520。该市场标杆级产品可完美适配旋转及线性运动场景，能够充分满足机器人以及直径范围在20至200毫米的大型机械关节对高精度、高性价比位置检测的需求。 在机器人、自动化系统以及建筑和农业机械中，机械关节的精确位置传感是实现快速、可重复且安全操作的关键所在。长期以来，光学编码器在此领域占据主导地位。然而，随着市场对提升制造效率、增强系统可靠性以及降低生产成本的迫切需求，行业正推动探寻更为实用的替代方案。 MLX90520是一款具备22位高精度分辨率的编码器芯片，可为旋转和线性运动（最大400毫米）提供低噪声、零延迟的电感式位置检测。这有助于实现对大型机械臂、线性执行器以及其他旋转组件进行安全、可重复的精准控制。相较于传统光学编码器，MLX90520在尺寸和鲁棒性方面优势显著，并且还提供SPI或SSI输出接口，以满足多样化的应用需求。 在大型通轴应用场景中，基于MLX90520的超薄模块（含IC、PCB和目标块，厚度小于3毫米），为开发更紧凑、更简化的机械组件创造了可能。与需要大型磁体的光学或磁性编码器方案相比，这一模块优势显著。电感式传感器本身具备出色的抗灰尘及其他污染物能力，能有效确保机器人在长期运行过程中的可靠性。此外，板载数字处理的集成以及高达SIL 3的系统级合规性，进一步增强了功能安全，为操作安全提供保障。 除能实现精确且可重复的操作外，电感式传感器相较于传统光学方案，还具有显著的成本优势。这主要归功于电感式编码器MLX90520，其初始元件成本低于光学编码器，且系统集成与开发流程更为简化——该器件在操作前仅需配置少量参数即可投入使用。 迈来芯产品线总监Lorenzo Lugani表示：“借助电感式MLX90520，我们为机器人行业提供了一种光学编码器的优质替代方案。它在

业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice今日宣布，正式推出新一代GD32H7系列超高性能MCU，包含GD32H789/779系列超高性能通用MCU，以及集成EtherCAT®从站控制器GD32H78E/77E超高实时性系列MCU，该系列产品基于Arm® Cortex®-M7内核，主频高达750MHz，配备高速大容量内存架构及640KB可与CPU同频运行紧耦合内存（TCM），实现了高性能、低动态功耗与高速通信的有机统一。该系列微控制器可适用伺服控制、变频驱动、数字电源、便携电子产品，智能家居以及消防等领域，树立性能新标杆，为下一代智能装备的升级奠定核心硬件基础。 性能铁三角：750MHz内核、高速存储与零等待访问 GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU均基于性能强悍的Cortex®-M7内核，主频高达750MHz。该系列芯片拥有超高存储配置，最高可支持2MB Execution Flash与8MB Storage Flash，并搭载1.2MB的SRAM，更特别配备高达640KB大容量紧耦合内存（TCM），实现CPU同频运行，指令与数据的零等待执行。无论是高实时任务、复杂算法还是密集型数据处理，这一革新架构可让算力持续释放，系统响应更快、执行更稳。 灵活存储与强大扩展接口 该系列MCU在外部存储与扩展连接方面展现出高度灵活性，配备2个OSPI接口支持高达200MHz时钟频率与双倍数据速率（DTR）模式，可高效直连PSRAM、HyperRAM、NAND Flash及NOR Flash等多种外部存储器，实现高速数据交换。 同时，GD32H78E/77E、GD32H789/779系列微控制器均集成16/32位EXMC模块，进一步扩展了连接能力，可支持直接对接外部SDRAM与FPGA，不仅大幅提升了系统内存容量与数据处理带宽，也为复杂系统集成与定制化

业界首款专为数据中心设计、采用 RAIDDR ECC 算法的 LPDDR5X IP 系统解决方案 楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，推出业界首款专为企业与数据中心应用设计的高可靠性 LPDDR5X 9600Mbps 内存 IP 系统解决方案。该创新方案融合了 Cadence 经过量产验证的 LPDDR5X IP 与微软的先进冗余独立双倍数据速率阵列（RAIDDR）纠错码（ECC）编码方案，实现了兼具高性能、低功耗与稳健可靠性的强强组合。微软已成为首个部署该新款系统解决方案的客户。 在 AI 基础设施构建浪潮中，LPDDR5X 凭借其在处理 AI、HPC 及其他内存密集型工作负载方面的卓越能效与性能，正逐渐受到数据中心的青睐。尽管基于 LPDDR5X 的系统能降低功耗并缩短运行时间，但超大规模数据中心运营商始终面临一种困境，即功耗、性能、面积（PPA）与 DDR5 内存的可靠性、可用性、可维护性（RAS）难以兼得。 新推出的这一内存 IP 系统解决方案基于 LPDDR5X DRAM 技术，在紧凑封装中保持了 PPA 优势，同时实现了企业级 RAS。该解决方案支持高达 9600Mbps 的数据传输速率，其边带 ECC 性能可媲美传统 DDR5 ECC 实现方案，堪称数据中心应用的理想之选。 该方案的核心是微软的 RAIDDR ECC 编码方案——一种新一代纠错算法，它实现了接近单颗粒数据校正（SDDC）的精度，以极低的逻辑开销实现业界领先的准确度与故障检测能力。RAIDDR 的防护级别等同于传统 DDR5 RDIMM 应用中基于符号的 ECC 算法。 该款新内存系统解决方案的核心优势包括： 支持采用 LPDDR5X DRAM 的 40 比特通道 兼具 9600Mbps 高性能与低功耗特性 企业级 RAS 性能，可靠性媲美 DDR5 标准的基