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$Roundhill Memory ETF(DRAM)$ AI算力时代最强风口!DRAM ETF:2个月暴涨近翻倍,存储赛道黄金机遇正当时 在AI狂飙突进的2026年,资本市场从不缺热点,但真正能穿越震荡、走出持续翻倍行情的硬核赛道,寥寥无几。 如果说AI大模型是科技革命的“大脑”,那存储芯片就是支撑所有算力运转的“心脏”。当下全球AI算力持续扩容,DRAM、HBM存储芯片供需严重紧缺,一条确定性极强的财富赛道已然全面爆发——Roundhill Memory ETF(代码:DRAM),凭极致的赛道纯度、炸裂的上涨行情、疯狂的资金追捧,成为今年资本市场的现象级黑马! 一、炸裂业绩实证:上市2月暴涨近翻倍,强势行情碾压大盘 真正的优质标的,永远用数据说话! DRAM ETF于2026年4月2日全新上市,自问世以来便开启一路狂飙的上涨模式,彻底颠覆传统ETF的稳健走势,走出妖股级别的翻倍行情! - 上市仅7周,累计涨幅逼近98%,近乎直接翻倍,让无数投资者实现资产短期翻倍的财富奇迹; - 截至2026年5月21日,最新收盘价54.34美元,单日大涨5.49%,盘中持续冲高,强势态势丝毫未减; - 短短6周时间,基金规模从初始规模暴增至近105亿美元,成为全球ETF历史上规模增长速度最快的产品之一,资金抢筹态势空前火爆。 对比市场主流半导体ETF、宽基指数,DRAM ETF的赚钱效应堪称断层领先!在大盘反复震荡、多数板块涨跌不定的背景下,它凭借存储赛道的刚性红利,走出独立主升浪,换手率持续维持14%以上高位,交投极度活跃,流动性充足,进退自如。 二、赛道极致纯粹:重仓全球存储龙头,精准拿捏AI核心红利 市面上多数半导体ETF持仓杂乱,囊括设计、设备、材料、封测等多个细分领域,业绩容易被分化。 而DRA