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周期

美银：存储行业正越来越像“芯片代工”--周期性减弱、高利润率

美银证券最新报告指出，全球存储行业正呈现“芯片代工”转型趋势，表现为周期性减弱、价格趋稳、利润率持续提升。DRAM/NAND现货价格近期大幅上涨，台积电业绩指引进一步印证产业链高景气，尤其强化SK海力士作为核心HBM供应商的战略地位。尽管市场对估值与后续供需存有分歧，但行业结构性转型已推动板块进入以技术引领、高利润为特征的“超级周期”阶段。

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href=\"https://laohu8.com/S/SMSD.UK\">三星电子</a>在晶圆代工领域的追赶空间。财务对比亦凸显差距：三星晶圆代工业务仍处亏损，而台积电营业利润率长期高于50%。</p><p>在此产业联动下，<strong>SK海力士作为台积电核心HBM供应商的战略地位进一步强化，不仅巩固了其在存储芯片领域的竞争优势，也推动了从先进制程、高端封装到高性能存储的闭环生态的形成。</strong></p><h2 id=\"id_1062115430\">现货价格狂飙 供应持续紧缩</h2><p>报告指出，<strong>DRAM现货市场正呈现极度紧张态势。</strong>今年1月上半月，DDR4与DDR5现货价格延续强势，周涨幅均达约10%，延续了自2025年第四季度以来累计100%-200%的上涨趋势。</p><p>具体来看：16Gb DDR5现货价格已升至35.0美元，周涨10%，季涨238%，年涨幅高达647%；16Gb DDR4现货价达75.8美元，周涨7%，季涨323%，年涨幅更达2315%；8Gb DDR4现货价也攀升至29.1美元，年涨幅达1886%。</p><p>值得关注的是，DDR4现货价格出现结构性“倒挂”：自2025年6月起，16Gb DDR4价格（75美元）已显著高于同规格DDR5（35美元），形成罕见的价格倒挂现象。<strong>这主要源于三大存储芯片制造商持续将传统DDR4产能转向更先进制程，导致DDR4供给端持续紧缩。</strong></p><p class=\"t-img-caption\"><img src=\"https://static.tigerbbs.com/017be6d875e3fb9a32dc671022c618ff\" tg-width=\"1024\" tg-height=\"427\"/></p><p>目前，制造商与OEM厂商对传统DRAM模组的供应保障仍存担忧。报告预计现货价格仍具进一步上涨动力，尽管当前涨势部分受投机交易推动，而非完全由实际需求支撑。此外，NAND现货价格同样保持上扬，本周涨幅介于5%-10%之间。</p><h2 id=\"id_1493919546\">贸易数据印证景气度</h2><p><strong>韩国半导体出口数据持续印证行业高景气度。</strong>2026年1月前10天，半导体出口额达46亿美元，同比大幅增长46%，虽环比回落12%，仍处于历史高位水平。至此，韩国半导体出口已连续25个月实现同比增长，增速与2025年11月（+18%）及12月（+46%）的高位态势保持一致。</p><p>展望后市，建议投资者重点关注2026年下半年NAND市场潜在的供需机遇，同时密切关注资本开支扩张对行业长期盈利结构的影响。整体而言，存储芯片行业向“类晶圆代工”模式的结构性转型，正推动板块突破传统周期性估值逻辑，开启具备持续性的价值重估进程。</p></body></html>","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>美银：存储行业正越来越像“芯片代工”--周期性减弱、高利润率</title>\n<style 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供应持续紧缩报告指出，DRAM现货市场正呈现极度紧张态势。今年1月上半月，DDR4与DDR5现货价格延续强势，周涨幅均达约10%，延续了自2025年第四季度以来累计100%-200%的上涨趋势。具体来看：16Gb DDR5现货价格已升至35.0美元，周涨10%，季涨238%，年涨幅高达647%；16Gb DDR4现货价达75.8美元，周涨7%，季涨323%，年涨幅更达2315%；8Gb DDR4现货价也攀升至29.1美元，年涨幅达1886%。值得关注的是，DDR4现货价格出现结构性“倒挂”：自2025年6月起，16Gb DDR4价格（75美元）已显著高于同规格DDR5（35美元），形成罕见的价格倒挂现象。这主要源于三大存储芯片制造商持续将传统DDR4产能转向更先进制程，导致DDR4供给端持续紧缩。目前，制造商与OEM厂商对传统DRAM模组的供应保障仍存担忧。报告预计现货价格仍具进一步上涨动力，尽管当前涨势部分受投机交易推动，而非完全由实际需求支撑。此外，NAND现货价格同样保持上扬，本周涨幅介于5%-10%之间。贸易数据印证景气度韩国半导体出口数据持续印证行业高景气度。2026年1月前10天，半导体出口额达46亿美元，同比大幅增长46%，虽环比回落12%，仍处于历史高位水平。至此，韩国半导体出口已连续25个月实现同比增长，增速与2025年11月（+18%）及12月（+46%）的高位态势保持一致。展望后市，建议投资者重点关注2026年下半年NAND市场潜在的供需机遇，同时密切关注资本开支扩张对行业长期盈利结构的影响。整体而言，存储芯片行业向“类晶圆代工”模式的结构性转型，正推动板块突破传统周期性估值逻辑，开启具备持续性的价值重估进程。","news_type":1,"symbols_score_info":{"TSM":1.94}},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":293,"commentLimit":10,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false,"reportStatus":false,"symbols":[],"verified":2,"subType":0,"readableState":1,"langContent":"CN","currentLanguage":"CN","warmUpFlag":false,"orderFlag":false,"shareable":true,"causeOfNotShareable":"","featuresForAnalytics":[],"commentAndTweetFlag":false,"andRepostAutoSelectedFlag":false,"upFlag":false,"length":4,"optionInvolvedFlag":false,"xxTargetLangEnum":"ZH_CN"},"commentList":[],"hasMoreComment":false,"orderType":2}