EBL光刻技术突破,这家美企成功突破0.7nm制程.....
当ASML的EUV光刻机还在为制造2nm、1nm芯片发愁的时候,美国公司却在另一个先进光刻方向上取得了突破,Zyvex使用电子束光刻技术制造了768皮米,也就是0.7nm的芯片,这种芯片可用于量子计算机。
Zyvex推出的光刻系统名为ZyvexLitho1,基于STM扫描隧道显微镜,使用的是EBL电子束光刻方式,制造出了0.7nm线宽的芯片,这个精度是远高于EUV光刻系统的,相当于2个硅原子的宽度,是当前制造精度最高的光刻系统。
这个光刻机制造出来的芯片主要是用于量子计算机,可以制造出高精度的固态量子器件,以及纳米器件及材料,对量子计算机来说精度非常重要。
ZyvexLitho1不仅是精度最高的电子束光刻机,而且还是可以商用的,Zyvex公司已经可以接受其他人的订单,机器可以在6个月内出货。
EBL电子束光刻机的精度可以轻松超过EUV光刻机,然而这种技术的缺点也很明显,那就是产量很低,无法大规模制造芯片,只适合制作那些小批量的高精度芯片或者器件,指望它们取代EUV光刻机也不现实。
来源:快科技
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- Anemone·2022-10-11能做出来,和能生产是两码事点赞举报

