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采用成熟的ST封装半桥拓扑设计，1000A的大额定电流可减少甚至避免 IGBT 模块并联，显著简化系统设计并提升可靠性。高集成度与优异的性能，在系统层面为客户提供更具吸引力的性价比。出色的温度循环能力，运行结温提升至175℃，显著提高了产品功率密度。 该模块配备全新的i23精细微沟槽栅型IGBT芯片组实现极高的电流密度，超低的损耗给模块带来出色的系统可靠性。

新品发布

1200V 1000A ST封装半桥IGBT模块

产品型号

• SISD01000ST120i23_A01

产品特点

• i23超低损耗微沟槽栅IGBT芯片组

• 高效 AI2O3绝缘陶瓷基板

• 高爬电距离与电气间隙

• 低热阻铜底板

• 行业标准封装

竞争优势

• 基于多年功率半导体研发经验优化的国产IGBT与二极管芯片组

• 高鲁棒性短路耐受能力，提升系统安全性

• 优化开关特性，降低高频应用中的功耗

• 支持高功率密度输出，适用于紧凑型设备设计

• 采用可追溯性管理进行质量控制

应用领域

• 光伏

• 储能PCS

• 电机控制

• 商用车

• UPS

1200V 1000A ST封装半桥IGBT模块，现已量产。欢迎广大客户访问赛晶半导体公司网站 https://www.swiss-sem.com/，查阅详情、索取样品。