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AI相关存储需求持续增长，存储芯片企业进一步推进产能布局。据知情人士透露，日本存储芯片企业铠侠计划在日本北部岩手县的生产基地建设一座新的晶圆制造工厂，以提高产能，满足持续强劲的人工智能（AI）相关存储需求。其中一名知情人士表示，铠侠计划于周四晚些时候公布扩产计划。

这座新工厂将成为该生产基地的第三座工厂，主要生产铠侠最新一代高密度3D闪存芯片，用于处理AI服务产生的海量工作负载。铠侠计划在岩手县生产基地生产用于数据中心的高端NAND芯片，而其位于三重县四日市的另一座主要生产基地则将重点生产用于智能手机等消费产品的芯片。

332层BiCS10已向AI数据中心运营商送样

铠侠上个月已经开始向各大AI数据中心运营商交付其第十代BiCS FLASH 3D闪存芯片样品。这款采用332层堆叠架构的1Tb TLC（三层单元）闪存芯片，由铠侠位于日本岩手县北上的Fab2晶圆厂专属生产。

此次推出的BiCS10闪存芯片，是铠侠技术路线图的一次重要升级。相比第八代BiCS FLASH，第十代产品的堆叠层数从218层提升至332层，存储密度达到29Gb/mm²以上，相较BiCS8提升59%。I/O接口支持Toggle DDR6.0标准，速率最高达4800MT/s，较第八代提升33%。

功耗表现方面，输出功耗降低34%、读取能效提升30%、输入功耗下降10%、写入能效提升18%。

在技术架构上，BiCS10完整沿用了自第八代起导入的两项核心底层技术：CMOS直接键合到阵列（CBA）和节距选通（OPS）。CBA架构通过将存储阵列晶圆与逻辑CMOS晶圆分开制造后再进行键合，突破传统单片晶圆的布线限制，大幅提升堆叠层数上限。

这一成熟工艺体系的延续，也意味着无需重新搭建全新产线工艺，新品量产爬坡周期将显著缩短。铠侠在公告中表示，这批全新产品将主要集成到企业级和数据中心固态硬盘（SSD）中，旨在满足AI存储领域对高性能、大容量以及低功耗日益增长的需求。

与闪迪共同实施投资

据悉，此次投资将与制造合作伙伴 $闪迪(SNDK)$ 共同实施。知情人士补充称，铠侠和闪迪将寻求日本政府提供补贴。

近年来，日本一直在向包括台积电（TSM.US）、 $索尼(SONY)$ 和 $美光科技(MU)$ 在内、正在日本扩大芯片制造产能的企业提供财政支持。铠侠首席执行官大田博夫和闪迪首席执行官David Goeckeler计划于周四下午拜访日本首相高市早苗。

全球NAND市场竞争格局持续变化

铠侠面临着越来越大的增产压力，以满足通过超长期合同延续多年的需求。此次扩产计划公布之际，韩国竞争对手也在大举制定扩产计划，中国长江存储（YMTC）的市场份额也在持续扩大。

根据市场研究机构Counterpoint Research的最新数据，长江存储在2026年第二季度按出货量计算已升至全球NAND闪存市场第三位，仅次于总部位于韩国的三星电子和SK海力士。

此次铠侠拟扩建第三座晶圆厂的计划，正处于全球存储芯片企业推进新增产能布局的背景之下。围绕AI相关存储需求、数据中心高端NAND产品以及产能建设，全球NAND闪存市场的竞争格局仍在持续演进。