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关于存储市场的涨势，目前看多的逻辑非常坚实，核心驱动是 AI需求引发的供需失衡，而近期定价模式的革命性变化更是强化了“卖方市场”的格局。

综合当前信息，对后市可以保持乐观，但需关注后续的供需变化节奏。

📈 核心驱动力：供需失衡与定价权转移

当前存储市场的强势，是由以下几个不可逆的趋势共同推动的：

1. 根本性变革：定价模式从“固定”转向“动态追涨”

你提到的“结算后定价”是市场格局质变的最强信号。

· 模式：传统长期固定价合同已成为过去。三星、SK海力士和美光等巨头正在推行季度/月度短约，并加入“后结算”条款。这意味着，即便货已交付，若市价上涨，客户仍需补差价。

· 本质：这彻底将价格波动风险转嫁给买方（各大科技公司），标志着定价权完全掌握在存储原厂手中，是典型的“卖方市场”特征。行业预计这种强势格局至少将持续至2026年下半年。

2. 需求端：AI驱动存储架构革新，需求成倍增长

· 服务器需求爆发：AI服务器对内存的需求是普通服务器的8-10倍。英伟达CEO黄仁勋指出，AI推理的瓶颈正从计算转向存储，未来架构将更依赖大容量存储。

· 市场空间：数据中心正取代移动端成为存储的最大单一市场。招商证券预计，2023-2030年数据中心DRAM和NAND需求的年复合增长率将分别高达28.3%和32.6%。

3. 供给端：资本开支巨大，但有效产能释放滞后

· 扩产聚焦高端：三大原厂2026年资本开支同比激增（11%-23%不等），但资金高度集中于HBM等先进产品。

· 产能瓶颈：新增产能预计要到2027年甚至2028年才能集中释放。因此，2026年全年预计都将处于供给偏紧状态。

📊 关键数据与市场展望

基于上述逻辑，多家机构给出了明确的预测：

价格预测

· 2026年第一季度：DRAM合约价预计环比上涨90-95%，NAND合约价预计环比上涨55-60%。

· 全年趋势：招商证券认为，在可见范围内2026年存储价格持续上涨可期。TrendForce预测，存储芯片的供需缺口可能持续至2027年或更久。

市场规模预测

· TrendForce预测，2026年全球DRAM与Flash（闪存）总产值将达5516亿美元，同比增长134%；2027年将进一步增长至8427亿美元。

🎯 产业链影响与潜在机会

这一轮周期中，不同环节的受益逻辑不同：

· 存储原厂（三星、SK海力士、美光）：最大受益者。直接享受量价齐升，利润弹性最大。近期财报利润已出现数倍增长。

· 存储模组与利基型厂商：凭借手中的低成本库存，在涨价周期中能获得巨大的利润重估弹性。

· 上游设备与材料厂商：产能扩张的“卖铲人”，订单确定性高。

⚠️ 潜在风险与观察点

尽管趋势强劲，但需关注以下风险：

1. 需求不及预期：若宏观经济或AI资本开支下滑，需求端可能减弱。

2. 产能扩张加速：竞争对手扩产超预期可能提前扭转供需。

3. 技术路径变更：存储架构发生重大革新，影响当前产品需求。

4. 库存变化：需关注下游客户是否开始累积过多库存。

总结一下：存储市场的涨势有坚实的供需基础和定价权变革支撑，机构普遍看好至2027年。当前的“结算后定价”模式是卖方市场鼎盛期的标志。投资机会上，原厂确定性最高，模组厂弹性最大。