Rapidus宣布携手东京大学和法国Leti研发1nm技术

11月17日消息,据日经新闻报道,目标在2027年量产2nm芯片的日本晶圆代工厂商——Rapidus近日又宣布携手东京大学和法国半导体研究机构Leti研发1nm等级芯片设计的基础技术。

据了解,三方并将在2024年正式展开人才交流、技术共享,目标是运用Leti的半导体元件技术,建构提升自动驾驶、人工智能(AI)不可或缺的1nm芯片产品供应机制。

今年10月,Rapidus、东大等日本国立大学以及理化学研究所参与的研究机构“最先进半导体技术中心(LSTC)”已经和Leti签订了考虑合作的备忘录。LSTC和Leti的目标是确立1.4nm-1nm芯片研发所必要的基础技术。

报道指出,在2nm芯片的量产上,Rapidus正和美国IBM、比利时半导体研发机构imec合作,且也考虑在1nm等级产品上和IBM进行合作。预计在2030年代以后普及的1nm产品运算性能将较2nm提高10%-20%。

资料显示,Rapidus于2022年8月成立,由丰田、Sony、NTT、NEC、软银(Softbank)、电装(Denso)、NAND Flash大厂铠侠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出资设立,出资额各为73亿日圆,且日本政府也将提供700亿日圆补助金、作为其研发预算。目标是在5年后的2027年开始量产2nm先进制程芯片。Rapidus计划国产化的对象为使用于自动驾驶、人工智能(AI)等用途的先进逻辑芯片。

今年2月底,Rapidus宣布将在日本北部岛屿北海道的千岁市建造一座2nm晶圆代工厂。Rapidus将基于IBM的2nm制程技术,研发“Rapidus版”制造技术,计划2027年量产。而“Rapidus版”制造技术将会聚焦“高性能计算(HPC)”和“超低功耗(Ultra Low Power)”两大方向。市场消息表示,Rapidus北海道2nm产线将分为三个或四个阶段,称为创新整合制造 (IIM)。IIM-1 阶段将制造 2nm芯片,IIM-2 处理比2nm更先进制程。

今年9月初,Rapidus 2nm晶圆厂已经正式动工建设,目标是在 2025 年之前将其 2nm 晶圆厂建成并试生产,随后在2027年量产2nm芯片。届时,日本有望成为继美国、中国台湾、韩国、爱尔兰之后,成为全球第5个拥有导入EUV的芯片量产产线的地区。

编辑:芯智讯-林子

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