社区

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自semiengineering，谢谢。叠加计量（Overlay metrology）工具可提高精度，同时提供可接受的吞吐量，解决日益复杂的设备中的竞争要求。在一场永无止境的竞赛中，领先设备的产品重叠公差（ overlay tolerances ）正在迅速缩小。对于 3nm 代（22nm 金属间距）器件，它们处于个位数纳米范围内。新的覆盖目标、机器学习和改进的光学覆盖系统有助于加快必要的检查，以确保 5nm 和 3nm 节点的良率。在光刻中，重叠 精度（overlay accuracy）已成为最关键的良率限制因素之一。叠加控制（Overlay control）就是要确保一个掩膜层上的特征与下面的层之间的特征精确对齐。对于像 5nm 这样的前沿节点，叠加公差（overlay tolerance ：通常为特征尺寸的 30%）必须保持在几纳米以下。“领先的内存和逻辑客户正在运行 2 到 2.5nm 的on-product overlay，”ASML 研究员 Jan Mulkens 说。一个典型的器件可能有 50 个或更多的掩模层级，其中只有一些是关键层并且需要 EUV (13.5nm)，而非关键层使用 ArF (193nm) 曝光。EUV 扫描仪、检测和算法级别的主要进步协同工作，以提供严格的覆盖控制（overlay control ）和更高良率的晶圆。overlay 的一些趋势包括： 通过对光波长不透明的新硬掩模向更长的波长（近红外）移动以对齐层； 更好地模仿设备的覆盖目标； 增加计量采样 ML 算法可以更快地处理大量数据以获得更好的内联结果。 此外，一些检查工具硬件的变化，如卡盘改进，有助于抵消弯曲效应。EUV 工具级开发获得良好的overlay从 光刻开始。扫描仪的目标是以高分辨率打印微小特征，并精确对

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自semiengineering，谢谢。叠加计量（Overlay metrology）工具可提高精度，同时提供可接受的吞吐量，解决日益复杂的设备中的竞争要求。在一场永无止境的竞赛中，领先设备的产品重叠公差（ overlay tolerances ）正在迅速缩小。对于 3nm 代（22nm 金属间距）器件，它们处于个位数纳米范围内。新的覆盖目标、机器学习和改进的光学覆盖系统有助于加快必要的检查，以确保 5nm 和 3nm 节点的良率。在光刻中，重叠 精度（overlay accuracy）已成为最关键的良率限制因素之一。叠加控制（Overlay control）就是要确保一个掩膜层上的特征与下面的层之间的特征精确对齐。对于像 5nm 这样的前沿节点，叠加公差（overlay tolerance ：通常为特征尺寸的 30%）必须保持在几纳米以下。“领先的内存和逻辑客户正在运行 2 到 2.5nm 的on-product overlay，”ASML 研究员 Jan Mulkens 说。一个典型的器件可能有 50 个或更多的掩模层级，其中只有一些是关键层并且需要 EUV (13.5nm)，而非关键层使用 ArF (193nm) 曝光。EUV 扫描仪、检测和算法级别的主要进步协同工作，以提供严格的覆盖控制（overlay control ）和更高良率的晶圆。overlay 的一些趋势包括： 通过对光波长不透明的新硬掩模向更长的波长（近红外）移动以对齐层； 更好地模仿设备的覆盖目标； 增加计量采样 ML 算法可以更快地处理大量数据以获得更好的内联结果。 此外，一些检查工具硬件的变化，如卡盘改进，有助于抵消弯曲效应。EUV 工具级开发获得良好的overlay从 光刻开始。扫描仪的目标是以高分辨率打印微小特征，并精确对