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9月15日，Micron展示512GB DDR5 RDIMM，最高速率达到 9,200 MT/s，采用DRAM Die垂直堆叠和TSV互联。24个DIMM槽位的双路服务器，理论内存容量可以做到 12TB。AMD、Intel均在验证这款产品，Micron计划于 2027年下半年进入量产。

产品规格之外，更值得跟踪的是Micron过去三年的技术路线。

2024年的128GB RDIMM基于 1β制程和32Gb单片DRAM Die；今年5月开始送样的256GB产品改用 1γ+3DS+TSV；到了512GB，Micron继续采用DRAM垂直堆叠和TSV互联。

高容量Server DRAM继续扩容，单靠提高单颗Die密度已经不够，封装密度开始承担更多任务。

Micron为什么重新用上3DS

128GB阶段，Micron其实刻意选择了一条不同路线。

2024年5月，公司开始出货基于32Gb单片DRAM的128GB DDR5 RDIMM，在主要服务器平台上验证至5,600 MT/s。Micron当时给出的数据是，相较竞品3DS TSV方案，其位密度提高超过45%，能效最高改善22%，延迟最高降低16%。

在128GB这个容量档位，更高密度的单片Die已经足以解决扩容问题，没有必要增加3D堆叠带来的封装复杂度。

256GB出现以后，产品结构开始变化。今年5月，Micron开始向服务器生态伙伴送样256GB DDR5 RDIMM。产品基于1γ DRAM，并明确采用 3DS和TSV，速度能力达到9,200 MT/s。

到了512GB，Micron没有披露具体DRAM节点和堆叠层数，但技术方向没有再变化：多颗DRAM Die垂直堆叠，通过TSV完成互联。

这并不是Server DRAM第一次采用TSV。三星2021年发布的512GB DDR5已经使用8层TSV结构，并表示TSV早在2014年就用于服务器DRAM。这里值得看的，是 Micron自身的技术选择发生了变化：128GB阶段还在强调单片32Gb Die相对3DS的优势，到了256GB、512GB，3D堆叠已经成为继续提高容量的主要手段。

12TB、16W和1.4×，指向的是同一个问题

512GB产品最直接的变化出现在整机容量。按24个DIMM槽位计算，128GB对应 3TB，256GB对应 6TB，512GB则达到 12TB。服务器主板和内存槽位数量没有变化，内存容量提高了四倍。

功耗改善也比较明显。Micron在256GB产品的测试中，两条128GB模组合计为 19.4W，单条256GB为 11.1W；到了512GB，一条512GB模组为 16W，四条128GB模组合计达到 44.2W。对应降幅分别约为42.8%和63.8%。

两组测试的配置不同，适合分别比较，不适合直接拼成一条代际功耗曲线。对数据中心而言，指标因此逐渐从单条DIMM功耗转向 W/TB：在相同容量需求下，需要的内存模组越少，插槽和功耗压力越低。

Micron给出的Spark SVM测试还有一个数据：512GB RDIMM相较256GB DDR5配置，性能最高提高 1.4倍。RocksDB、Redis等内存密集型负载也被公司列为受益场景。

这部分提升不能归因于DDR5频率。256GB和512GB产品的速度能力都是9,200 MT/s。容量才是主要变量：内存足够大以后，更多工作集可以直接留在DRAM里，降低对SSD等低层级存储的访问，以及内存与存储之间的数据搬运。

从这些指标放在一起看，高容量服务器内存的评价维度正在增加：除了DRAM ASP和bit content，还要看 GB/Slot、TB/Server、W/TB，以及工作集能够在主内存中驻留到什么程度。

量产还要等到2027H2

技术路线已经走到512GB，但三代产品的商业阶段差别很大。128GB已经量产出货；256GB仍在送样和平台验证；512GB目前是多平台展示，AMD和Intel正在进行下一代服务器平台验证。Micron给出的512GB量产目标是 2027年下半年。

所以这次512GB发布暂时不应该直接映射到当前季度收入。

它提供的主要信息，是Micron未来两年的Server DRAM产品梯度已经向前延伸：128GB完成商业化，256GB处于验证期，512GB已经进入下一代CPU平台测试。

资料来源：Micron、Samsung公开资料及公司公告。

免责声明：本文仅用于行业与公司信息交流，不构成任何投资建议或证券买卖依据。文中涉及的技术路线、产品进度及量产时间均以公司后续官方披露为准。市场有风险，投资需独立判断。