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高盛发布了一份关于中国半导体设备及材料板块的研报。不同于常规的目标价上调，这份报告最值得关注的变化，在于估值方法的系统性切换。

高盛将覆盖公司的估值基准从 “近期市盈率” 调整为 “基于 2030 年预期盈利的贴现市盈率”。核心逻辑在于：国内先进制程产能扩张和本土化率提升，使这些公司的长期盈利可见度显著提高，传统的近期盈利估值框架已经不足以反映其成长路径。

同一天，路透社报道长鑫存储与腾讯签署了价值超过 200 亿元人民币的多年服务器 DRAM 芯片供应协议。两件事在同一天发生并非巧合，它们共同指向一个正在加速的产业趋势：中国半导体产业链正在从 “政策驱动” 进入 “商业验证” 阶段。

一、催化剂：一笔 200 亿元的订单

2026 年 6 月 29 日，路透社报道长鑫存储与腾讯签署了价值超过 200 亿元人民币（约 30 亿美元）的长期供应协议，覆盖未来 3 到 5 年内用于服务器的 DRAM 芯片供应。

这笔协议的意义体现在三个层面。

商业验证层面，此前国内互联网巨头的服务器 DRAM 几乎全部依赖三星、SK 海力士和美光三家海外供应商。长鑫存储产品通过腾讯验证并进入其数据中心采购名单，是国产 DRAM 迄今最具分量的商业合作，标志着国产存储芯片已从 “能用” 进入 “好用” 阶段。

产业扩散层面，腾讯是国内最大的云服务商之一，其采购决策具有示范效应。协议签署后，市场预期阿里巴巴、百度等其他 CSP 厂商可能跟进，从而带动整个中国半导体产业链（代工、设备、材料、IP）的需求预期上调。这正是高盛在同一天上调四家公司目标价的核心逻辑。

资本市场层面，协议达成正值长鑫存储筹备科创板 IPO 之际。公司已于 2026 年 5 月通过上交所上市委审议并获证监会注册同意，拟募资 295 亿元，创科创板 IPO 拟募资额纪录。2026 年第一季度，长鑫存储营收 508 亿元，同比增长 719%；DRAM 销售收入 73.09 亿美元，环比增长 115%；全球 DRAM 市场份额从 2025 年 Q1 的 3% 升至 8%，位列全球第四。公司目前运营三座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，月产能约 20 万片，并正在上海建设新工厂，预计新产能全面投产后月产能将翻倍至约 60 万片。

二、高盛的新估值框架：为什么是 2030 年

高盛此次研报最核心的调整，是将估值方法从近期市盈率切换为基于 2030 年预期盈利的贴现市盈率。这一方法论的转变值得仔细拆解。

以北方华创为例，完整的估值流程分为三步：

第一步，确定 2030 年目标市盈率。高盛通过分析可比公司市盈率与净利润增长率及营业利润率的相关性，确定 2030 年目标市盈率为56 倍。这一倍数的依据是公司 2031 年预测净利润同比增长 25% 和营业利润率 25%。

第二步，计算 2030 年目标市值。高盛预测北方华创 2031 年每股收益为 47.45 元，乘以 56 倍目标市盈率，得出基于 2030 年的目标市值。

第三步，贴现回当前。使用 11% 的权益资本成本，将 2030 年的目标市值贴现回 2027 年（12 个月预测期），得到当前 12 个月目标价为1200 元/股。

这一估值框架的隐含前提是：中国半导体设备公司的长期成长路径已经足够清晰，以至于市场愿意用跨越数年的贴现视角来定价，而非仅仅盯着下一两个季度的盈利波动。

三、四家公司的目标价与投资逻辑

高盛维持四家公司的 “买入” 评级，并大幅上调目标价：

北方华创（002371.SZ）

高盛将北方华创 2026 至 2028 年净利润预测分别上调 0.3%、1% 和 5%，上调原因是存储客户产能扩张带来更高的资本支出，推动沉积和刻蚀设备的收入增加；同时运营效率提升降低了费用率。 

高盛预测北方华创 2026 至 2028 年收入将从 515 亿元增至 818 亿元，净利润从 77.77 亿元增至 171.27 亿元，营业利润率从 15.6% 提升至 23.5%，净利润率从 15.1% 提升至 20.9%。

以高盛 2026 年 EPS 预测 10.70 元计算，股价 849.52 元对应 2026 年 PE 约 79.5 倍。1200 元目标价隐含约 41.3% 的上行空间。

中微公司（688012.SH）

高盛将中微公司 2026 至 2028 年净利润预测分别调整-1%、+1% 和 +7%，主要驱动力来自存储客户和先进逻辑客户的产能扩张，以及 PECVD 等创新产品的加速推广。

中微公司的核心看点在于其刻蚀设备的技术壁垒。公司 CCP 刻蚀设备已进入海外 5nm 产线，在全球先进制程供应链中占据一席之地。但这也意味着美国出口管制政策的任何收紧都可能对公司形成直接冲击，这是高盛在其风险提示中重点提及的不确定性因素。

盛美上海（ACMR.US）

高盛将盛美上海 2026 至 2028 年净利润预测分别上调 0%、3% 和 7%，驱动力来自客户资本支出增加和产品线扩张。

以 117.16 美元计算，164 美元目标价隐含约 40.0% 的上行空间。公司当前 PS（TTM）为 8.43 倍，在高成长半导体设备公司中处于合理区间。盛美上海的核心看点在于清洗设备的技术领先地位和产品线向其他工艺环节的扩张能力，但清洗设备领域的竞争正在加剧，同时公司部分核心部件依赖海外供应商，构成潜在的供应链风险。

安集科技（688019.SH）

高盛将安集科技目标价从 293.08 元大幅上调至 509 元，上调幅度达 73.7%，是四家中幅度最大的，同时将 2026 至 2028 年净利润预测分别上调 0%、2% 和 4%，受益于下游 CSP 客户需求的增长。

以股价 316.08 元计算，509 元目标价隐含约 61.0% 的上行空间。安集科技作为半导体材料龙头，是国产替代逻辑最直接的受益者之一。与设备公司不同，材料公司的收入增长更具韧性，不直接受单一客户资本开支节奏波动的干扰，在当前估值框架下具有独特配置价值。

四、估值现状：高盛目标价并非空中楼阁

当前四家公司的估值水平与高盛目标价所隐含的假设之间，存在明显的对应关系：

当前价格与目标价之间仍存在约 30% 至 60% 的空间，说明市场对高盛的新估值框架尚未完全消化，定价仍在进行中。北方华创、中微公司、安集科技当前价较 52 周高点分别折价 12.2%、14.2% 和 13.6%，盛美上海距 52 周高点仅折价 7.9%，显示市场已对盛美上海给予较高定价。

五、产业背景：国产化率加速爬坡

高盛此次上调目标价并非孤立事件，而是建立在产业数据持续验证的基础之上。

国产化率方面，Bernstein 数据显示，中国半导体设备国产化率已从 2024 年的 16% 升至 2025 年的 21%，2026 年预计达 26%，2028 年预计达 43%。Yole 的预测更为乐观，预计 2025 年国产化率为 23.2%，2030 年将达 39%。

资本开支方面，高盛预计 2026 至 2030 年中国半导体行业每年资本支出将维持在 450 至 460 亿美元区间，主要用于先进制程产能扩张和存储芯片产线建设。稳定的高资本支出为设备公司提供了长期需求底座。

DRAM 涨价周期方面，全球 DRAM 合约价 2026 年 Q1 环比飙升约 95%，Q3 预计再涨 40% 至 50%。这一涨价周期显著改善了存储厂商的盈利能力和资本开支能力，进而传导至上游设备采购。

六、风险提示

高盛在研报中为每家公司列出了具体风险，可归纳为三类系统性风险：

美国出口管制风险。若美国进一步限制对华半导体设备出口，可能导致国内客户产能扩张延迟，减少对国产设备的需求。中微公司的 CCP 刻蚀设备可用于海外 5nm 产线，若供应能力受阻将直接冲击收入预期。

下游需求疲软风险。客户产能扩张进度慢于预期，将导致设备公司收入增长不及预期。半导体设备行业具有高经营杠杆特征，一旦收入低于预期，利润下修幅度会显著放大。

竞争加剧风险。盛美上海在清洗设备领域面临日益激烈的市场竞争，中微公司在刻蚀设备领域也面临国内外同行的追赶压力，新工具或技术的研发延迟可能影响市场份额和收入增长。

此外，高盛新的估值方法本身也隐含了风险：11% 的贴现率假设和 56 倍目标市盈率均建立在长期成长路径高度确定的假设之上，如果 2030 年盈利未能如期兑现，当前估值将面临系统性收缩。

七、结论

高盛此次将估值框架切换至 “2030 年贴现市盈率”，以 12 个月目标价计算，四家公司隐含约 30% 至 60% 的上行空间。这一判断的成立需要三个条件同时满足：长鑫存储与腾讯的 200 亿元协议从个案扩展为行业趋势，中国半导体设备国产化率按 Bernstein 预测的轨迹持续爬坡，全球 DRAM 涨价周期和国内资本开支保持在高位 

如果上述条件成立，中国半导体设备板块的估值体系将迎来一次系统性重构，从 “周期品” 转向 “成长资产” 的定价逻辑切换。高盛的新估值框架，本质上是在用行动表明对这一趋势的判断。当前价格与目标价之间的差距，正是市场对这一判断尚未完全消化的空间。

高盛研报摘要及财务预测数据来自高盛 2026 年 7 月 1 日发布的《China Semicon Equipment & Materials: Time to shift to 2030E discounted P/E》研究报告。长鑫存储相关数据来自路透社、DoNews、ChainCatcher 等公开报道。产业数据来自 Bernstein、Yole、TrendForce 等第三方研究机构。

本报告仅供研究参考，不构成投资建议。过往业绩不代表未来表现。投资者应结合自身风险承受能力独立判断。