新品发布 | 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品_老虎社区_美港股上老虎 - 老虎社区

1
1
收藏

新品发布 | 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品

赛晶科技
01-27

随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，赛晶科技旗下子公司虹安微电子重磅推出首代 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15。该产品凭借3.2mΩ的超低导通电阻与230A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能标杆。

新品发布

150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15

产品核心参数

产品核心特点

极致低阻设计

该150V平台产品采用先进的屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了75mΩ*mm2的业界领先比导通电阻能力，3.2mΩ产品对应8寸晶圆颗粒数可达950粒。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。
采用先进封装技术

该产品采用TOLL先进封装，通过优化封装工艺，结-壳热阻Rthjc典型值低至0.21℃/W，先进的封装技术为产品提供了优异的散热通道，进而提升器件的功率输出能力。
超强电流承载能力

在25°C壳温下，连续漏极电流高达230A，脉冲电流能力更达到978A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。
精准聚焦应用

超低导通电阻使得静态性能上优势明显，而在VCC=120V的母线电压短路耐量测试中，短路时间可达9μs。这对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS（电池管理系统）与电机驱动领域提供性能支持。

产品典型应用

BMS
电机驱动
DC-DC转换器
同步整流SR
不间断电源UPS
光伏板MPPT转换

免责声明：上述内容仅代表发帖人个人观点，不构成本平台的任何投资建议。

1

举报

评论（1）

推荐
最新

山人12345
·02-03
赛晶这是电网扩展到新能源汽车行业了吗？打开市场空间会推动市值吗？
回复
点赞
举报

热议股票

{"i18n":{"language":"zh_CN"},"data":{"magic":2,"id":526249379533064,"tweetId":"526249379533064","gmtCreate":1769501400000,"gmtModify":1769505139869,"author":{"id":4090643442997990,"idStr":"4090643442997990","authorId":4090643442997990,"authorIdStr":"4090643442997990","name":"赛晶科技","avatar":"https://static.tigerbbs.com/c653366291f5e74ad5f6882b9cf2d8da","vip":5,"userType":5,"introduction":"功率半导体器件、前沿性电力电子技术，国际领先的创新研发型企业","boolIsFan":false,"boolIsHead":false,"crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0,"individualDisplayBadges":[],"fanSize":2817,"starInvestorFlag":false},"themes":[],"images":[{"img":"https://static.tigerbbs.com/d7de74514e6f46b8b690499902a859af"},{"img":"https://static.tigerbbs.com/c9849b572da7436fa66956afe9eaebf8"}],"coverImages":[{"img":"https://static.tigerbbs.com/d7de74514e6f46b8b690499902a859af"}],"title":"新品发布 | 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品","html":"<html><head></head><body><div>\n <p><strong><span><span>随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，赛晶科技旗下子公司虹安微电子重磅推出首代 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15。该产品凭借3.2mΩ的超低导通电阻与230A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能标杆。</span></span></strong></p>\n <p><b><span><span>新品发布</span></span><span><span></span></span></b></p>\n <p><b><span>150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15</span></b></p>\n <p><strong><span>产品核心参数</span></strong></p>\n <ul></ul>\n <p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/d7de74514e6f46b8b690499902a859af\"></p>\n <p><strong><span></span><strong><span>产品核心</span></strong><span>特点</span></strong></p>\n <ul>\n  <li>\n   <p><span><span>极致低阻设计</span></span></p>\n   <p><span><span>该150V平台产品采用先进的屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了75mΩ*mm2的业界领先比导通电阻能力，3.2mΩ产品对应8寸晶圆颗粒数可达950粒。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。</span></span></p></li>\n  <li>\n   <p><span><span>采用先进封装技术</span></span></p>\n   <p><span><span>该产品采用TOLL先进封装，通过优化封装工艺，结-壳热阻Rthjc典型值低至0.21℃/W，先进的封装技术为产品提供了优异的散热通道，进而提升器件的功率输出能力。</span></span></p></li>\n  <li>\n   <p><span><span>超强电流承载能力</span></span></p>\n   <p><span><span>在25°C壳温下，连续漏极电流高达230A，脉冲电流能力更达到978A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。</span></span></p></li>\n  <li>\n   <p><span><span>精准聚焦应用</span></span></p>\n   <p><span><span>超低导通电阻使得静态性能上优势明显，而在VCC=120V的母线电压短路耐量测试中，短路时间可达9μs。这对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS（电池管理系统）与电机驱动领域提供性能支持。</span></span></p></li>\n </ul>\n <p><strong><span>产品典型应用</span></strong></p>\n <ul>\n  <li>\n   <p><span>BMS</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>电机驱动</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>DC-DC转换器</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>同步整流SR</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>不间断电源UPS</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>光伏板MPPT转换</span></p></li>\n </ul>\n <p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/c9849b572da7436fa66956afe9eaebf8\"></p>\n</div></body></html>","htmlText":"<html><head></head><body><div>\n <p><strong><span><span>随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，赛晶科技旗下子公司虹安微电子重磅推出首代 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15。该产品凭借3.2mΩ的超低导通电阻与230A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能标杆。</span></span></strong></p>\n <p><b><span><span>新品发布</span></span><span><span></span></span></b></p>\n <p><b><span>150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15</span></b></p>\n <p><strong><span>产品核心参数</span></strong></p>\n <ul></ul>\n <p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/d7de74514e6f46b8b690499902a859af\"></p>\n <p><strong><span></span><strong><span>产品核心</span></strong><span>特点</span></strong></p>\n <ul>\n  <li>\n   <p><span><span>极致低阻设计</span></span></p>\n   <p><span><span>该150V平台产品采用先进的屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了75mΩ*mm2的业界领先比导通电阻能力，3.2mΩ产品对应8寸晶圆颗粒数可达950粒。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。</span></span></p></li>\n  <li>\n   <p><span><span>采用先进封装技术</span></span></p>\n   <p><span><span>该产品采用TOLL先进封装，通过优化封装工艺，结-壳热阻Rthjc典型值低至0.21℃/W，先进的封装技术为产品提供了优异的散热通道，进而提升器件的功率输出能力。</span></span></p></li>\n  <li>\n   <p><span><span>超强电流承载能力</span></span></p>\n   <p><span><span>在25°C壳温下，连续漏极电流高达230A，脉冲电流能力更达到978A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。</span></span></p></li>\n  <li>\n   <p><span><span>精准聚焦应用</span></span></p>\n   <p><span><span>超低导通电阻使得静态性能上优势明显，而在VCC=120V的母线电压短路耐量测试中，短路时间可达9μs。这对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS（电池管理系统）与电机驱动领域提供性能支持。</span></span></p></li>\n </ul>\n <p><strong><span>产品典型应用</span></strong></p>\n <ul>\n  <li>\n   <p><span>BMS</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>电机驱动</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>DC-DC转换器</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>同步整流SR</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>不间断电源UPS</span></p></li>\n  <li>\n   <p><span>光伏板MPPT转换</span></p></li>\n </ul>\n <p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/c9849b572da7436fa66956afe9eaebf8\"></p>\n</div></body></html>","text":"随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，赛晶科技旗下子公司虹安微电子重磅推出首代 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15。该产品凭借3.2mΩ的超低导通电阻与230A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能标杆。 新品发布 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15 产品核心参数 产品核心特点 极致低阻设计 该150V平台产品采用先进的屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了75mΩ*mm2的业界领先比导通电阻能力，3.2mΩ产品对应8寸晶圆颗粒数可达950粒。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。 采用先进封装技术 该产品采用TOLL先进封装，通过优化封装工艺，结-壳热阻Rthjc典型值低至0.21℃/W，先进的封装技术为产品提供了优异的散热通道，进而提升器件的功率输出能力。 超强电流承载能力 在25°C壳温下，连续漏极电流高达230A，脉冲电流能力更达到978A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。 精准聚焦应用 超低导通电阻使得静态性能上优势明显，而在VCC=120V的母线电压短路耐量测试中，短路时间可达9μs。这对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS（电池管理系统）与电机驱动领域提供性能支持。 产品典型应用 BMS 电机驱动 DC-DC转换器 同步整流SR 不间断电源UPS 光伏板MPPT转换","highlighted":1,"essential":1,"paper":2,"likeSize":1,"commentSize":1,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"link":"https://laohu8.com/post/526249379533064","repostId":0,"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":56354,"commentLimit":10,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false,"reportStatus":false,"symbols":["00580","ON"],"verified":2,"subType":0,"readableState":1,"langContent":"CN","currentLanguage":"CN","warmUpFlag":false,"orderFlag":false,"shareable":true,"causeOfNotShareable":"","featuresForAnalytics":[],"commentAndTweetFlag":false,"andRepostAutoSelectedFlag":false,"upFlag":false,"length":1210,"optionInvolvedFlag":false,"xxTargetLangEnum":"ZH_CN"},"commentList":[{"id":528669329703984,"commentId":"528669329703984","gmtCreate":1770100215764,"gmtModify":1770101638555,"authorId":4231403238885070,"author":{"id":4231403238885070,"idStr":"4231403238885070","authorId":4231403238885070,"name":"山人12345","avatar":"https://static.tigerbbs.com/default-avatar2.jpg","vip":1,"crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0,"individualDisplayBadges":[]},"repliedAuthorId":0,"objectId":526249379533064,"objectIdStr":"526249379533064","type":1,"supId":0,"supIdStr":"0","prevId":0,"prevIdStr":"0","content":"赛晶这是电网扩展到新能源汽车行业了吗？打开市场空间会推动市值吗？","text":"赛晶这是电网扩展到新能源汽车行业了吗？打开市场空间会推动市值吗？","html":"赛晶这是电网扩展到新能源汽车行业了吗？打开市场空间会推动市值吗？","likeSize":0,"commentSize":0,"subComments":[],"verified":10,"allocateAmount":0,"commentType":"valid","coins":0,"score":0,"disclaimerType":0}],"hasMoreComment":true,"orderType":2}