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4月22日消息，当地时间周五（4月19日），SK 海力士与台积电发布公告，宣布两家公司就整合 HBM 和逻辑层先进封装技术签订谅解备忘录。双方将合作开发第六代 HBM 产品（HBM4），预计在 2026 年投产。

（来源：SK 海力士）

高带宽内存（High Bandwidth Memory）是为了解决传统 DDR 内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。

据悉，SK 海力士在 2013 年首次宣布 HBM 技术开发成功，后来被称为 HBM1 的芯片通过 AMD 的 Radeon R9 Fury 显卡首次登陆市场。后续，HBM 家族又先后迎来 HBM2、HBM2E、HBM3 和 HBM3E。SK 海力士介绍称，HBM3E 带来了 10% 的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒 1.18TB 的水平。

（HBM3E 芯片成品，来源：SK 海力士）

在此次合作前，海力士所有的HBM 芯片都是基于自家公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层 DRAM 裸片堆叠在基础裸片上。

但此次两家公司在公告中表示，从 HBM4 产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化 HBM 产品。另外，双方还计划合作优化 HBM 产品和台积电独有的 CoWoS 技术融合（2.5D 封装）。

通过与台积电的合作，SK 海力士计划于 2026 年开始大规模生产 HBM4 芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向 AI 龙头提供 HBM3 芯片，今年开始交付 HBM3E 芯片。

来源：科创板日报