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HBM之争加剧!三星拟扩大4纳米制程产能,SK海力士、美光竞争压力陡增

智通财经09-22

三星电子正准备扩大其先进代工产能,因为下一代内存芯片需求激增,正将其4纳米产线推向满负荷运转。此举可能加剧与SK海力士(SKHY.US)和美光(MU.US)的竞争——三大内存巨头正在蓬勃发展的 AI 芯片市场争夺份额。三星扩大内存产能韩国媒体称,三星正在考虑扩大其4纳米晶圆代工产能,以支持HBM4基础裸片(base die)的生产。基础裸片是位于DRAM堆栈下方、将内存连接至AI加速器的逻辑层。与...

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