SK海力士正在开发一项针对下一代高带宽内存的封装创新技术,试图在不大幅增加资本支出的前提下突破HBM4性能瓶颈。 据集邦咨询(TrendForce)援引ZDNet周二报道,业内消息人士透露,SK海力士正推进一项封装架构改良方案,核心措施包括增加DRAM芯片厚度以及缩小DRAM层间距,目前该技术正处于验证阶段。若成功实现商业化,这一方案有望帮助SK海力士达成英伟达对第六代HBM4设定的顶级性能指标,...
网页链接华尔街见闻03-03 20:57
SK海力士正在开发一项针对下一代高带宽内存的封装创新技术,试图在不大幅增加资本支出的前提下突破HBM4性能瓶颈。 据集邦咨询(TrendForce)援引ZDNet周二报道,业内消息人士透露,SK海力士正推进一项封装架构改良方案,核心措施包括增加DRAM芯片厚度以及缩小DRAM层间距,目前该技术正处于验证阶段。若成功实现商业化,这一方案有望帮助SK海力士达成英伟达对第六代HBM4设定的顶级性能指标,...
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