英诺赛科氮化镓在多个重要领域获得应用突破！_老虎社区_美港股上老虎

英诺赛科氮化镓在多个重要领域获得应用突破！

充电头网01-23

前言英诺赛科作为氮化镓技术的领军企业之一，通过不断创新，推动了800VDC架构、储能系统、太阳能技术以及新能源汽车等多个领域的技术推进。旗下氮化镓产品解决了传统硅基器件在高功率密度和高频率应用中的诸多瓶颈，同时有助电源大幅提升了系统效率，降低了能量损耗。通过这一系列创新，英诺赛科正在重新定义现代电力系统的设计思路，推动能源行业向着更高效、更环保的方向迈进。为此，本文将深入探讨英诺赛科在多个领域的...

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GaN车载二合一电源产品，将车载OBC与车载直流变换器高度集成。该系统通过全局效率优化设计，结合英诺赛科650V高压GaN功率器件的低开关损耗和高频特性，显著提升了充电效率和功率密度。相比同类产品，整机功率密度提高30%，达到了4.8kW/L；综合效率提升超过2%，整机重量降低20%。这一创新应用为新能源汽车提供了更高效率、更轻便的解决方案。手机电池充电保护充电头网了解到，OPPOFindX7等手机内部采用的英诺赛科VGaN双向导通氮化镓芯片，其具备无体二极管、低导通阻抗等特性，到目前为止是全球唯一内置到手机主板，并实现终端量产的氮化镓芯片。利用一颗VGaN代替传统手机内部的两颗背靠背Si MOS，实现了更低导通损耗的手机电池充、放电功能，同时大幅节约手机内部空间，保证手机在充电过程中更高效，更安全。全氮化镓PD快充充电头网了解到，以往PD充电器主要在初级侧使用氮化镓，而在次级同步整流也使用氮化镓器件取代传统硅器件，可以获得更高的功率密度和能效。传统硅MOS做次级同步整流时，其输入电容大、体二极管反向恢复慢，频率一旦拉高，驱动损耗和反向恢复损耗都会上升，但换用英诺赛科VGaN氮化镓可解决上述问题。使用氮化镓代替传统硅MOS，器件的输入电容大大减小，高频驱动的功耗也将明显降低，可进一步降低温升，提升产品功率密度。显卡扩展坞充电头网了解到，英诺赛科高压氮化镓可用作LLC开关管，相比传统硅基器件，换用氮化镓可以显著减少功率损耗，降低电源发热，能够减少热量积累，降低电源发热对于GPU的影响，同时有助于降低扩展坞散热压力以及噪音，确保系统稳定运行。另外，氮化镓的自身特性使得它能在更小的体积内提供更高的功率输出，有助于实现更加紧凑的设计，提升产品本身的便携性。充电头网总结充电头网了解到，从800VDC服务器电源架构的落地推进，到太阳能储能系统，再到新能源汽车与BMS系统的高效电源解决方案，随着英诺赛科旗下产品矩阵技术的不断成熟与应用的深化，英诺赛科能够为行业带来更加绿色、环保、高效的解决方案。大会预告世界氮化镓大会由GaNFET.com网站举办，将于7月31日（周五）在深圳市南山区科苑路15号科兴科学园B栋4单元会议中心举办。氮化镓技术的未来图谱正在此绘就。这里，全球产业的决策者与创新者同频共振，以前沿洞察驱动技术跃迁，共同校准下一代增长的频率。世界氮化镓大会由GaNFET.com网站举办，每年固定于世界氮化镓日（7月31日）在粤港澳大湾区的核心创新引擎深圳市举行。大会专注氮化镓半导体前沿技术，致力于打造推动技术突破与产业合作的核心平台。凭借其对氮化镓技术趋势的精准把握和全产业链的深度整合，已成为全球第三代半导体领域最具前瞻性的行业盛会之一。大会汇聚了全球产业链的决策者与创新力量，更定义了氮化镓技术的未来议程，是洞察趋势、建立合作、抢占技术制高点的必然选择。","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"1","news_tag":"productRelease","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"hasMoreComments":false,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"isCrawlerRequest":true}