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中国对美国出手:卡住14nm及以下芯片、256层+存储,目标明确

Ofweek光电信息网2025-10-10

众所周知,之前美国针对中国芯片产业,目标很明确,那就是卡住14nm的逻辑芯片,128层NAND闪存芯片,18nm的DRAM内存。比这些产品更先进的制造设备,不允许卖给中国,美国想用这样来拖慢中国芯片发展速度。当然,后来中国突破了封锁,比如逻辑芯片早突破了14nm,NAND闪存也突破了128层,DRAM也突破了18nm,但背后的困难,大家都是懂的,且就算突破了,且产能也有限,毕竟先进设备无法敞开买,...

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评论2

  • 就是干,哈哈
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  • 两只大老虎
    ·2025-10-10
    可能是国产DUVI真正突破了,理论上我们能做到5nm,让老霉的先进制程跌回来[开心]  
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