邑文微电子申请一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用专利，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度_老虎社区_美港股上老虎

邑文微电子申请一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用专利，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度

金融界2025-01-31

金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，无锡邑文微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用”的专利，公开号CN 119381279 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明提供一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用，属于半导体技术领域。所述量测方法包括以下步骤：将硅基材料置于热处理装置中，然后设定所述热处理装置的...

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{"i18n":{"language":"zh_CN"},"data":{"share":"https://www.laohu8.com/m/news/2507393369?lang=zh_CN&edition=full","thumbnail":"","is_english":false,"pubTime":"2025-01-31 14:02","share_image_url":"https://static.laohu8.com/e9f99090a1c2ed51c021029395664489","id":"2507393369","market":"us","top_or_hot":-1,"title":"邑文微电子申请一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用专利，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度","media":"金融界","content":"<div>\n<p>金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，无锡邑文微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用”的专利，公开号CN 119381279 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明提供一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用，属于半导体技术领域。所述量测方法包括以下步骤：将硅基材料置于热处理装置中，然后设定所述热处理装置的...</p>\n\n<a href=\"https://finance.jrj.com.cn/2025/01/31140247916242.shtml\">网页链接</a>\n\n</div>\n","source":"jinrongjie_stock","html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>邑文微电子申请一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用专利，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; background:transparent; }\n.wrapper{ overflow:hidden;word-break:break-all;padding:10px; }\nh1,h2{ font-weight:normal; line-height:1.35; margin-bottom:.6em; }\nh3,h4,h5,h6{ line-height:1.35; margin-bottom:1em; }\nh1{ font-size:24px; }\nh2{ font-size:20px; }\nh3{ font-size:18px; }\nh4{ font-size:16px; }\nh5{ font-size:14px; }\nh6{ font-size:12px; }\np,ul,ol,blockquote,dl,table{ margin:1.2em 0; }\nul,ol{ margin-left:2em; }\nul{ list-style:disc; }\nol{ list-style:decimal; }\nli,li p{ margin:10px 0;}\nimg{ max-width:100%;display:block;margin:0 auto 1em; }\nblockquote{ color:#B5B2B1; border-left:3px solid #aaa; padding:1em; }\nstrong,b{font-weight:bold;}\nem,i{font-style:italic;}\ntable{ width:100%;border-collapse:collapse;border-spacing:1px;margin:1em 0;font-size:.9em; }\nth,td{ padding:5px;text-align:left;border:1px solid #aaa; }\nth{ font-weight:bold;background:#5d5d5d; }\n.symbol-link{font-weight:bold;}\n/* header{ border-bottom:1px solid #494756; } */\n.title{ margin:0 0 8px;line-height:1.3;color:#ddd; }\n.meta {color:#5e5c6d;font-size:13px;margin:0 0 .5em; }\na{text-decoration:none; color:#2a4b87;}\n.meta .head { display: inline-block; overflow: hidden}\n.head .h-thumb { width: 30px; height: 30px; margin: 0; padding: 0; border-radius: 50%; float: left;}\n.head .h-content { margin: 0; padding: 0 0 0 9px; float: left;}\n.head .h-name {font-size: 13px; color: #eee; margin: 0;}\n.head .h-time {font-size: 11px; color: #7E829C; margin: 0;line-height: 11px;}\n.small {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.9); -webkit-transform: scale(0.9); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.smaller {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.8); -webkit-transform: scale(0.8); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.bt-text {font-size: 12px;margin: 1.5em 0 0 0}\n.bt-text p {margin: 0}\n</style>\n</head>\n<body>\n<div class=\"wrapper\">\n<header>\n<h2 class=\"title\">\n邑文微电子申请一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用专利，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n2025-01-31 14:02 北京时间&nbsp;&nbsp;&nbsp;<a href=https://finance.jrj.com.cn/2025/01/31140247916242.shtml><strong>金融界</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，无锡邑文微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用”的专利，公开号CN 119381279 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明提供一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用，属于半导体技术领域。所述量测方法包括以下步骤：将硅基材料置于热处理装置中，然后设定所述热处理装置的...</p>\n\n<a href=\"https://finance.jrj.com.cn/2025/01/31140247916242.shtml\">网页链接</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","isBrief":false,"type":0,"news_type":1,"symbol":"BK4120","symbol_name":"环境与设施服务","start_time":0,"source_url":"https://finance.jrj.com.cn/2025/01/31140247916242.shtml","article_id":"2507393369","we_media_id":null,"thumbnails":[],"rights":null,"url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2507393369","pubTimestamp":1738303334,"columns":[],"sourceInfo":{"source_id":"jinrongjie_stock","name":"金融界"},"weMediaInfo":null,"summary":"专利摘要显示，本发明提供一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用，属于半导体技术领域。本发明提供的量测方法不仅工艺简单，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度，效率高，而且能够在高温环境下准确测量硅基材料的漏氧程度和均匀性，可实现对RTO过程中装置内腔体空间的密封性检测。","collect":0,"end_time":0,"defaultTopTitle":"jrj.com.cn","property":[],"viewcount":null,"language":"zh","relate_stocks":{"BK4120":"环境与设施服务","LU0205193047.USD":"SCHRODER ISF US SMALL & MID-CAP EQUITY \"A\" (USD)  ACC","IE0009354923.USD":"JANUS HENDERSON US VENTURE \"A2\" (USD) ACC","LU0240878834.USD":"SCHRODER ISF GLOBAL SMALL COMPANIES \"A\" (USD) INC AV","RTO":"Rentokil Initial PLC","LU0240877869.USD":"SCHRODER ISF GLOBAL SMALL COMPANIES \"A\" ACC","LU0205194284.USD":"SCHRODER ISF US SMALL & MID-CAP EQUITY \"A\" (USD) INC AV"},"translate_title":"Yiwen Microelectronics applied for a method and application patent for measuring the degree of oxygen leakage during the RTO process of silicon-based materials, which can accurately measure the degree of oxygen leakage during the RTO process of silicon-based materials","themeId":null,"isJumpTheme":false,"ttsUrl":null,"symbols_score_info":{"RTO":1},"content_text":"金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，无锡邑文微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用”的专利，公开号CN 119381279 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明提供一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用，属于半导体技术领域。所述量测方法包括以下步骤：将硅基材料置于热处理装置中，然后设定所述热处理装置的温度、恒温时间和内腔空间的压力，并使得所述热处理装置的腔体空间内的气氛为惰性气氛；测量热处理后的硅基材料中氧化层的厚度和均匀性，以判断RTO过程中的漏氧程度。本发明提供的量测方法不仅工艺简单，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度，效率高，而且能够在高温环境下准确测量硅基材料的漏氧程度和均匀性，可实现对RTO过程中装置内腔体空间的密封性检测。天眼查资料显示，无锡邑文微电子科技股份有限公司，成立于2011年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本36000万人民币，实缴资本2142.432万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡邑文微电子科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目133次，知识产权方面有商标信息20条，专利信息317条，此外企业还拥有行政许可31个。","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"isVideo":false,"video":null,"symbols":[],"gpt_button":1,"need_auth":false,"need_login_tip":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"hasMoreComments":false,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"isCrawlerRequest":true}