Roundhill Memory ETF（DRAM）今日盘前大涨6.61%，延续了存储芯片板块近期的强势表现，引发市场广泛关注。
消息面上，三星电子公布的2026年第二季度财报成为此次行情的核心催化剂。财报显示，受益于AI存储芯片量价齐升，三星当季营收达171.5万亿韩元，同比增长130%；营业利润达89.5万亿韩元，同比增长逾18倍，大幅超出市场预期。三星电子同时预计，全球存储芯片供不应求的局势将持续至2028年，并计划通过五年期长期协议锁定60%至70%的DRAM及NAND产能。
此外，韩国投资证券表示，三星电子日益转向长期存储芯片供应合同，正在提高盈利可见度，并支撑更强劲的利润前景，因此将三星的目标价上调10%并维持买入评级。与此同时，铠侠也预计第二季度NAND价格将进一步上涨，供需紧缺预期叠加龙头强劲业绩持续提振存储板块情绪。美股存储芯片概念股在盘后交易中亦普遍走强，进一步巩固了DRAM ETF的上涨动能。
