追踪存储芯片行业的Roundhill Memory ETF（代码：DRAM）今日盘中大幅下挫6.39%，引起市场广泛关注。
消息面上，多重利空因素共同施压存储板块，导致该ETF净值承压。社交媒体巨头Meta据报正制定计划，拟推出云基础设施业务，向外部客户出售其过剩的AI算力资源，这一消息直接动摇了市场此前对“算力稀缺”的乐观预期，引发了对AI硬件需求可能放缓的担忧。与此同时，存储芯片行业巨头三星电子、SK海力士及美光科技因涉嫌合谋操纵DRAM价格，在美国加州联邦法院被提起集体诉讼，原告请求三倍赔偿，进一步加剧了市场对行业监管风险的忧虑。
Roundhill Memory ETF的前三大重仓股正是三星电子、美光科技和SK海力士，合计权重超过74%。因此，上述行业层面的系统性利空直接传导至该ETF，导致了其价格的显著下跌。隔夜美股费城半导体指数重挫，韩国股市相关个股暴跌，均印证了存储芯片板块面临的巨大抛售压力。
