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王炸女神
2023-11-10

憋屈也得继续做多，唯有做多

英伟达新芯片，这个“加配”的技术成为数不多亮点？

湘财证券指出，HBM的诞生主要是为了解决“内存墙”和“功耗墙”的问题。巨头加码HBM资本开支目前，多家厂商竞相训练大模型，催生了大量需求。据金融时报的报道，2023年英伟达将出货55万片H100，2024年将出货150-200万片H100，Omdia预测2023年和2024年的HBM需求量将同比增长100%以上。此前美光曾透露，预计2024年新的HBM将带来数亿美元的收入。

英伟达新芯片，这个“加配”的技术成为数不多亮点？

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Mehrotra稍早前透露，公司HBM3E目前正在进行英伟达认证，计划于2024年初开始大量出货。首批HBM3E采用8-Hi设计，提供24GB容量和超过1.2TB/s频宽。公司计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。此前美光曾透露，预计2024年新的HBM将带来数亿美元的收入。</p><p><strong>国产厂商发力上游材料领域</strong></p><p style=\"text-align: justify;\">HBM产业链主要由IP、上游材料、晶粒设计制造、晶片制造、封装与测试等五大环节組成，国内厂商则主要处于上游材料领域。</p><p style=\"text-align: justify;\">民生证券指出，材料端来看，每个HBM封装内部都堆叠了多层DRAMDie，各层DRAMDie之间以硅通孔（TSV）和微凸块（microbump）连接，最后连接到下层的HBM控制器的逻辑die。因此HBM的独特性主要体现在堆叠与互联上。</p><p style=\"text-align: justify;\">对于制造材料，HBM核心之一在于堆叠，HBM3更是实现了12层核心Die的堆叠，多层堆叠对于制造材料尤其是前驱体的用量成倍提升；</p><p style=\"text-align: justify;\">对于封装材料，HBM将带动TSV和晶圆级封装需求增长，而且对封装高度、散热性能提出更高要求。</p></body></html>","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" 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ASIC和FPGA，以及一些超级计算机处理器中。湘财证券指出，HBM的诞生主要是为了解决“内存墙”和“功耗墙”的问题。在一些特殊使用场景中（尤其是AI计算领域），处理器经常需要等待内存的数据回传，超高的延时严重拖慢了运算设备整体的运行效率，内存带宽逐渐成为限制计算机发展的关键，HBM通过立体堆叠技术制造完成，这些堆叠的芯片通过称为“中介层(Interposer)”的超快速互联方式，连接至GPU，实现了普通存储8.5倍的带宽，有效解决了内存墙问题其次，大规模的数据传输需要CPU与存储器通过数据总线进行频繁的数据交换，传输过程消耗的功耗要比计算本身的功耗更大，带来了成本问题，数据中心运营成本中电力成本占到56.70%，而电力成本中67.29%来自于IT负荷，HBM的低功耗优势有利于降低数据中心能源成本。巨头加码HBM资本开支目前，多家厂商竞相训练大模型，催生了大量需求。据金融时报的报道，2023年英伟达将出货55万片H100，2024年将出货150-200万片H100，Omdia预测2023年和2024年的HBM需求量将同比增长100%以上。2025年以后，在AI训练需求和AI推理需求的推动下，HBM的需求将继续快速增长，SK海力士公司预测，在2027年之前，HBM市场将以82%的复合增长率保持增长。在此背景下，三星、美光、海力士三巨头悉数加码HBM的资本开支。据韩国The Elec报道，三星电子和SK海力士两家公司加速推进12层HBM内存量产。HBM堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流HBM堆叠8层，而下一代12层也即将开始量产。另据集邦半导体报道，三星计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等，预计追加投资7000亿-1万亿韩元。美光方面，首席执行官Sanjay Mehrotra稍早前透露，公司HBM3E目前正在进行英伟达认证，计划于2024年初开始大量出货。首批HBM3E采用8-Hi设计，提供24GB容量和超过1.2TB/s频宽。公司计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi 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