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日前，台积电计划通过在日本建立一家研究机构来开发3D SoIC封装材料，从而与多家公司建立协同效应。台积电强调3D SoIC将成为2022年起的主要增长引擎之一。台积电日本研究中心（投资额为186亿日元成立）将专注于3D SoIC材料的开发。详细地说，该合资企业旨在通过建立日本先进材料技术研究所来与众多日本材料公司建立协同效应。台积电将3D SoIC作为2022年起的主要增长引擎之一，将为3D SoIC技术建造两个后端工艺晶圆厂，其中一个将于2H21竣工。台积电的3D SoIC基于“混合键合”后端工艺。通过混合键合，可以实现10μm或更小的键合间距（约为上一代技术的四分之一）。这样的间距尺寸可使半导体之间的能源效率提高20倍，而半导体之间的通信速度则要快10倍（与较早的技术相比）。混合键合通过在晶片上蚀刻通孔图案并沉积铜来形成电极。两个管芯通过测量的晶圆上裸露的铜电极粘结在一起以形成3D封装。

除了台积电，英特尔和三星电子也在开发相关技术。预计3D后端流程投资将在未来加速。韩国国内与此相关的设备制造商包括Hanmi Semiconductor，Park Systems和EO Technics。同时，ASM Pacific Technology与EV Group（EVG）签署了一项共同开发裸片晶圆混合键合技术的合同。具体来看，ASM正在开发用于芯片键合的技术，而EVG正在开发用于芯片到晶圆键合的技术。由于混合键合技术的性质，在诸如前端流程，后端流程，设备制造和包装之类的不同领域中运营的公司之间的协作变得越来越重要。

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