10月22日,A股主要股指走低,芯片板块早盘震荡调整。
截至9:52,科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)跌0.65%;样本股,灿芯股份涨2.62%、峰岹科技涨2.37%、纳芯微涨1.65%、恒玄科技涨1.62%、芯动联科涨1.54%,睿创微纳跌6.7%、佰维存储跌2.33%、普冉股份跌2.28%、芯朋微跌1.61%、澜起科技跌1.46%;该指数近3年涨146.75%。
北京时间10月21日,英伟达创始人兼CEO黄仁勋在GTC大会发表主题演讲。他宣布最新一代Vera Rubin已全面生产,在Agent工作负载下,Vera Rubin NVL72系统的每兆瓦吞吐量可达上一代Blackwell平台的30倍。过去10年,英伟达将AI性能提高了100万倍,远超摩尔定律同期约100倍的改进幅度,依靠的是“极限协同设计”。
国海证券研报指出,全球云巨头及模型厂商普遍探索AI ASIC方案,据DIGITIMESResearch,2026年全球高端AI ASIC出货量预计达723万颗,同比增速超40%,Counterpoint Research预计2027年出货量将较2024年增长三倍。
科创芯片设计ETF浦银(589250)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数(950162),高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司,其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节,在芯片板块环节中,相较半导体材料设备指数估值较低,更契合产业发展趋势。
弹性方面,上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司,成分股单日涨跌幅为±20%,弹性更大、进攻性更强。
成长性方面,科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数,在2024年1月5日-2026年3月30日期间,标的指数累计上涨141.86%,是涨幅第一的芯片行业主题指数,高于科创芯片(133.60%)、中证全指半导体(97.77%)和半导体材料设备(98.39%)。
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