在人工智能应用爆发，自动驾驶渗透铺开，具身智能日新月异的今天，半导体产业也正在经历一场贯穿技术体系与供应链格局的深层变革，行业趋势正在从追求单点技术突破，转向设备、材料、制造三方深度协同。
在无锡举办的第十四届（2026年）CEPEA半导体设备年会“半导体产业CEO论坛”上，普达特科技有限公司（00650.HK，以下简称“普达特”）董事长/CEO刘二壮博士判断，站在后摩尔时代的转折点上，半导体行业迫切需要有差异化竞争优势的国产半导体设备解决方案，兼具先进技术和高生产力的半导体设备将为半导体客户带来更大的价值。
刘博士在主题演讲中表示，当前摩尔定律已经显著放缓，半导体行业通过微缩制程、提升单元密度来满足更高需求与更低单位成本的模式正在面临挑战。
自2000年来，先进逻辑IC的晶体管密度每24个月的平均增长率约为46%，这与摩尔定律“集成电路上晶体管数量约每18至24个月翻一倍”的预测存在明显差距，且先进节点进一步突破的难度变得越来越大。存储方面，AI产业对内存带宽的需求呈现指数级增长态势，但半导体制造工艺复杂度的提升使DRAM技术迭代节奏显著变慢，主要厂商的存储单元密度年均增幅，已经从2001年~2015年的约18%，下降到2023~2025年的约10%；这一规律同样出现在NAND存储领域，其存储密度已从年增长约60%降低至约27%。
刘博士介绍，为使芯片的集成度与性能持续提升，人们开发了多种先进封装技术，提出了韬定律等芯片性能提升路径。尽管如此，底层的晶体管密度与存储单元密度的增长放缓趋势仍未改变，这在半导体制造领域带来两方面不容忽视的影响。
第一，下游芯片需求将只能通过更多的晶圆数量来满足，未来人工智能、具身智能、自动驾驶等应用的高速发展，将全部转化为对半导体晶圆产能的需求，据行业研究机构估算，远期随着具身智能放量，“世界还需新增2个台积电，大陆先进制程还需扩产17倍”，马斯克也表示“要么我们自己建Terafab，要么就没有芯片”。
第二，晶体管密度提升的放缓，使得摩尔定律描述的“单位晶体管制造成本降低”同样不再可持续。随着技术节点的演进，这一单位成本的降幅明显减小乃至基本停滞不变，这导致了当晶圆厂建设更先进制程的产线，同样产能的投入都大幅高于前一代。
谈及由此产生的行业转变与对半导体设备的要求，刘博士分析认为，后摩尔时代的上述影响，既让半导体制造企业面临更大的扩张机遇，也对其资本开支和成本效益管理能力提出了更大的挑战。作为晶圆厂投资的绝对大头，半导体设备占晶圆厂资本开支超过80%，因而行业正在对半导体设备提出更高的要求，从满足技术性能为主，转变为同时需要具备更高的生产力与更好的性能。
普达特自2022年开展半导体设备业务以来，通过自主的设备架构创新与工艺路线创新，已将技术领先与高生产力打造为半导体设备产品的核心差异化优势，实现了在技术能力对标国际领先设备厂商的同时，全系列产品具备更高的产能，精准匹配了行业降本增效的核心诉求。
在半导体清洗设备方面，普达特自主研发了6~12寸多个平台单片清洗设备，全面适配半导体成熟制程与先进制程。CUBE单片清洗设备主打高性能的晶圆背面清洗与蚀刻工艺，且单台产能达国际友商的1.8倍，已稳定交付验收与进入量产；OCTOPUS单片清洗设备全面覆盖12寸晶圆核心单片清洗工艺，性能对标国际龙头厂商，并可实现850片/小时的行业领先产能，已成功取得客户验收与重复订单；OCTOPUS-SP高温硫酸清洗设备可广泛应用于先进逻辑芯片、DRAM、3D NAND制程，具备对标国际龙头的190℃±1℃高精度高温控制能力，目前已成功交付至客户。
在半导体炉管LPCVD/ALD设备方面，普达特的Galilee系列12寸炉管设备包含Galilee-LP、Galilee-ALD两大产品线，工艺覆盖65nm~7nm全层级先进节点，可满足SiN、Poly、TEOS等核心薄膜沉积工艺需求。设备性能全面对标国际龙头核心设备，同时单批次产能可达行业领先的125片，目前LP-SiN与ALD-SiN设备均已成功交付客户，且针对被海外厂商垄断的14/7nm节点Low-K ALD SiOCN炉管设备，也已完成开发并进入样机组装测试阶段。
刘博士在圆桌论坛上谈及设备企业自身发展时表示，中国半导体设备行业要避免随着国产化的推进反而全行业利润微薄的内卷困境。普达特能做的，就是在与行业龙头同等技术能力的前提下，通过自主创新提高设备产出，为客户创造价值，由此也更有能力获得合理的利润空间。进一步地，过去国产半导体设备在技术路线方面，主要是踩着先行者的脚印往前走，而未来国产设备也有机会逐渐从“跟随者”变为“引领者”。普达特同样致力于半导体工艺技术的更深度创新，开发并推出具有高度原创性的技术与设备，以解决行业长期存在的痛点，为半导体行业客户创造更大的价值。 $普达特科技(00650)$
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