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长鑫科技上市即巅峰:股东造富榜,与全球存储三强怎么比
凌通社 · 综合招股说明书及公开报道 · 2026年7月27日
一、开盘即巅峰,收盘仍是天量
2026年7月27日,长鑫科技(CXMT)正式在上海证券交易所科创板挂牌,发行价8.66元,开盘价49.50元,暴涨471.59%,盘中最高触及55.03元,最低38.11元,全天振幅巨大;收盘报49.00元,涨幅465.82%,总市值3.28万亿元,超越工商银行成为A股市值最高的上市公司。IPO基础募资约579.19亿元,若全额行使超额配售,总募资将达666.07亿元,刷新科创板成立以来最高募资纪录,是中国自2010年农业银行以来规模最大的IPO。
今天成交的收盘换手率66.40%,全天成交额1412亿元,成交量2990万股;流通市值2206亿元(远低于3.28万亿元总市值,说明当前可流通盘子很小,价格弹性大);动态市盈率(TTM)33.09倍。此外,交易软件同步显示:2026年7月27日当天即有45.03亿股限售股解禁,需持续关注解禁股份对流通盘的潜在压力。
本文股东市值排行榜以收盘总市值3.28万亿元为基准测算,较开盘时的3.31万亿元略有回落,盘中最高一度接近3.65万亿元。
二、长鑫股东市值排行榜
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股东 |
持股比例 |
对应市值(约) |
背景 |
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合肥清辉集电 |
21.67% |
约7108亿元 |
第一大股东,无实控人架构,朱一明间接控制的持股平台 |
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合肥长鑫集成 |
11.71% |
约3841亿元 |
合肥产投体系,实控人为合肥市国资委 |
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大基金二期 |
8.73% |
约2863亿元 |
国家集成电路产业投资基金二期,国家队代表 |
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合肥集鑫 |
8.37% |
约2745亿元 |
合肥地方国资持股平台 |
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安徽省投 |
7.91% |
约2595亿元 |
安徽省级国资投资平台 |
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阿里巴巴 |
约5% |
约1640亿元 |
通过浙江阿里云等主体持股,据称账面浮盈超18倍 |
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兆易创新(GigaDevice) |
约1.8% |
约590亿元 |
A股参股比例最高的上市公司,董事长朱一明兼任长鑫董事长,双方在DRAM代工代销上深度绑定 |
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腾讯、美的、小米等 |
未披露具体比例 |
— |
均在股东名单中,具体持股比例本文未能核实 |
把国资背景的几家股东加总看:合肥清辉集电、合肥长鑫集成、合肥集鑫、安徽省投四家合计持股约49.66%,对应市值约1.63万亿元;再加上代表国家队的大基金二期8.73%(约2863亿元),国资板块合计持股接近六成。这场IPO最大的赢家,是过去近十年坚持“合肥模式”、拿真金白银陪跑的合肥及安徽国资体系,其次是2021年前后进场的大基金二期,以及作为产业协同方参股的阿里巴巴、兆易创新等公司。
三、与全球存储三强对比
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长鑫科技 CXMT |
美光 Micron |
SK海力士 |
铠侠 Kioxia |
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市值 |
收盘3.28万亿元人民币(上市首日,盘中最高一度达约3.65万亿元) |
约1.1–1.2万亿美元(5月26日破万亿,近期高位回调约20%) |
约1247万亿韩元(约8560亿美元) |
约2–2.3万亿日元区间(约150–200亿美元),年内一度暴涨超800% |
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PE(市盈率) |
动态PE(TTM)33.09倍(东方财富口径,官方数据,已替代此前测算值) |
TTM约19–21倍 |
TTM约16.6–19倍,forward PE低至6–8倍 |
波动极大:TTM静态PE曾达200倍+(低基数),forward PE约11–27倍 |
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2025年营收/净利 |
营收617.99亿元(+155%) 归母净利18.75亿元(2024年为‑71.45亿元) 2026Q1营收508亿元(+719%),归母净利247.62亿元 |
TTM净利润率高,DRAM营收环比+67%(26财年Q3);计划到2035年美国本土投资超2500亿美元 |
TTM营收132.08万亿韩元,净利润75.14万亿韩元,净利率56.89% |
FY2026营收2.34万亿日元(+37%),净利润5544.9亿日元(+103.6%) |
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核心产品 |
DRAM为主:DDR4/LPDDR4X/DDR5/LPDDR5、5X;暂无HBM量产、无NAND业务 |
DRAM+NAND+HBM+SSD全品类布局,美国本土唯一存储大厂 |
DRAM+NAND+HBM,全球HBM份额第一(56%–61%),英伟达核心供应商 |
专注NAND闪存,不产DRAM;全球NAND份额第三(约14%),SSD占营收约半数 |
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全球份额 |
DRAM全球第四,2025Q4约7.67%(三星/SK海力士/美光合计超90%) |
DRAM全球第三 |
DRAM全球前二,HBM全球第一 |
NAND全球第三(约14%) |
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未来展望 |
募资666亿元扩产+研发DDR5/HBM;SemiAnalysis预测2028年月产能50万片、市占率17%;受美国出口管制,无法获ASML最先进设备,HBM仍落后 |
加码HBM4量产,充分受益AI数据中心需求;面临产能扩张后价格周期反转风险 |
计划未来5年产能翻倍,7月10日在纳斯达克二次上市(ADR),融资265亿美元,创外国公司美股上市纪录 |
NAND供需预计紧张至2027年,筹划美国ADS上市;但NAND周期性强,AI支出放缓是主要风险 |
四、长鑫目前的体量仍是“追赶者”而非“并列者”
● 长鑫目前的体量仍是“追赶者”而非“并列者”:以7月27日开盘市值计算,长鑫短暂超越了美光和铠侠,但与SK海力士(约8560亿美元)相比仍有差距,更关键的是三星电子、SK海力士、美光三家合计占据DRAM市场超90%份额,长鑫全球份额仅约7.67%,市值与实际经营体量之间存在明显的“估值溢价”,这也是不少市场人士质疑“上市即巅峰”的核心原因。
● 四家公司的产品结构差异很关键:长鑫目前只做DRAM、不产NAND、也没有HBM量产能力;铠侠则完全相反,专注NAND、不产DRAM;只有美光和SK海力士是DRAM+NAND+HBM全品类布局。这意味着长鑫要想在估值上真正对标美光、SK海力士,除了扩大DRAM市占率,还需要补齐HBM这块目前的短板——而这恰恰是受美国出口管制、拿不到ASML最先进设备制约最直接的环节。
● 盈利质量上,长鑫2025年才首次实现年度盈利(净利润18.75亿元),2026年一季度受DRAM涨价周期拉动净利暴增,但历史上累计亏损超366亿元,业绩弹性大、周期性强;SK海力士、美光、铠侠三家虽然估值也主要靠这一轮AI驱动的存储超级周期支撑,但都已经历完整的盈利周期验证,长鑫的“盈利可持续性”目前仍缺少穿越下行周期的历史数据支撑。
● 四家公司同时也共享同一个风险敞口:本轮存储涨价的核心逻辑是AI数据中心对HBM/DRAM/NAND需求激增+新增产能要到2026年底至2027年才集中释放,一旦AI资本开支增速放缓,或新产能集中投产导致供需反转,四家公司的股价—不论体量大小—都将同步承压,近期美光、SK海力士、铠侠已从高点回调超20%,这一点长鑫上市后同样绕不开。
本内容采用AI采集信息和制图,任何问题反馈即改 · 数据存在较大波动性,仅供参考 · 来源:长鑫科技招股说明书、上交所公告、综合公开报道
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