一、业务概览

长鑫存储（CXMT）的主营业务是动态随机存取存储器（DRAM）的研发、设计与制造销售，是一家专注于DRAM领域的垂直整合制造（IDM）企业。

核心产品：DRAM芯片。

主要产品线包括：

DDR4 / DDR5：面向台式机、笔记本电脑、服务器等。

LPDDR4X / LPDDR5：面向智能手机、平板电脑等低功耗移动设备。

LPDDR5X：最新推出的面向旗舰手机和高性能移动终端的低功耗内存。

商业模式：IDM模式

长鑫存储包揽了从芯片设计、晶圆制造到封装测试的全部环节，拥有位于安徽合肥的12英寸晶圆厂，是中国大陆唯一能够大规模量产DRAM的企业。

技术来源与演进

基于授权引进的工艺（如奇梦达相关技术）进行自主研发，目前量产工艺以19纳米及更先进的17纳米制程为主。

二、主要客户、竞争情况

1.主要客户

阿里、字节、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等。

**中低端机型：畅享系列、以及部分nova系列机型中，用长鑫的LPDDR4X内存。

旗舰机型作为“二供”：在最新的Mate 60、Pura 70等旗舰系列中，拆解发现其内存除了采用海力士的，也会混用长鑫存储的LPDDR5芯片。

**的商用PC（如MateBook系列）和部分平板电脑，也已导入长鑫的DDR4/DDR5内存模组或直接使用其颗粒。

**的鲲鹏服务器、**AI服务器等，需要大量的服务器内存条。

2021年，媒体报道，苹果计划在iPhone SE等机型中采用长鑫的LPDDR4X内存，并让长鑫按苹果标准进行了长时间验证。但目前还没有真正落地。

目前，长鑫的产品更多是先用在车辆的娱乐中控系统上，因为这个领域的可靠性要求略低于自动驾驶的零容错标准。

从招股书层面看，有可能已经和汽车厂商有更深一步的合作。具体需要调研确认。

2. 竞争格局，消费级别方向7.67%的市场份额

Omdia数据测算，2025年长鑫科技市场份额已经达到7.67%。

三星、海力士、美光全球超90%的DRAM市场。

三家公司制定和主导内存标准。

标准DDR：覆盖DDR5，并主导下一代DDR6标准。

移动LPDDR：是苹果、安卓旗舰的绝对主力供应商，主导最新LPDDR5X标准。

图形GDDR：垄断了显卡和游戏主机的显存。

高带宽内存（HBM）：这是当前AI芯片中价值最高、技术壁垒也最高的产品，目前由海力士、三星近乎双寡头垄断。长鑫在这一关键战场目前是缺位的。

多样化的非主流产品：如用于边缘计算的低容量DDR、超低功耗内存等。

长鑫存储更多聚焦主流消费需求。

集中在需求量最大的标准DDR4/DDR5和移动LPDDR4X/LPDDR5/LPDDR5X。

从消费级入手：产品首先满足PC、手机等消费电子需求，再逐步向车规和工业级渗透。

缺失的关键拼图：目前没有公开量产的HBM、GDDR等高性能产品。这是一道分水岭，决定了它暂时无法进入AI训练芯片、高端显卡等利润最高的领域。

三星、海力士已在2023-2024年陆续量产10纳米级第五代（1b，约12nm） DRAM，并开始向更先进的第六代（1c，约11nm） 演进。而长鑫目前主力量产是第一代（19nm），正逐步切换到第二代（17nm）。在良率和性能上，与同代际的国际顶尖产品相比仍需打磨。

三巨头有数十年完全自主迭代的技术体系。长鑫是基于当年奇梦达的“埋入式字线”技术，走了一条不同的路，绕开了三巨头的“堆叠式电容”专利墙，但后续必须完全依靠自主创新。

存储芯片是极致规模效应的产业。三巨头每家每月的12英寸晶圆投片量都高达数十万片，而长鑫的产能虽在快速爬坡，但仍有数量级的差距。这意味着长鑫的单位成本远高于对手。

三星等公司拥有数万件专利构建的“铁幕”。长鑫通过从奇梦达获得的专利基础和自主研发，初步解决了生存问题。但美光等公司已多次发起专利诉讼，试图阻碍其发展，这是长鑫需长期面对的风险。

这是长鑫独有的竞争力。在国内，对供应链安全的强烈需求催生了一个“政策+市场”双重驱动的应用生态，下游厂商有强烈意愿验证和导入国产芯片。这是三巨头无法复制的“主场优势”。

3.使用三星美光海力士机型

vivo和OPPO的旗舰机在内存（DRAM）供应商的选择上，以三星、美光、海力士为主力，同时会小批量混用长鑫存储的产品。

在X系列、Find系列等对性能、功耗要求最严苛的旗舰机型上，三星、美光、海力士的LPDDR5X或LPDDR5内存是绝对主力。

vivo X100 / X200系列、OPPO Find X7 / X8系列：早期批次和媒体评测拆解中，常见的是三星或美光的LPDDR5X内存。

折叠屏旗舰（vivo X Fold系列、OPPO Find N系列）：同样优先采用国际大厂的产品，以满足性能验证和高端市场的稳定性要求。

旗舰机是品牌的门面，对芯片性能的冗余、功耗优化和瞬时高负载要求近乎苛刻。在LPDDR5X这一代顶尖产品上，三星等公司的性能、良率和长期验证成熟度依然有优势。对于一款销量达数百万的旗舰，主供应商必须是经过最充分验证的选项。

长鑫存储的产品确实已经进入vivo和OPPO的供应链，但在旗舰机型上，通常扮演“第二供应商”的角色，采用混用的方式供货。

vivo：在X100等系列的部分批次中，有用户和拆解发现搭载了长鑫的LPDDR5内存。

OPPO：类似的情况也出现在Find X7等系列中，部分批次有长鑫的LPDDR5/LPDDR5X芯片。

相比顶级的Ultra或Pro+版本，长鑫产品在标准版旗舰或次旗舰（如X系列标准版、Reno Pro+、一加数字系列等）中的出现概率会更高。

三、生产、技术迭代

1.长鑫存储厂房、产能和光刻机

长鑫存储的生产线目前主要集中在中国安徽合肥，并且正在规划北京等地的扩建项目。关于生产设备，长鑫确实使用荷兰阿斯麦（ASML）的光刻机，但这并非其设备来源的全部，且受到严格的出口管制限制。

长鑫科技目前‌已投产的 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂‌均位于‌安徽合肥‌与‌北京亦庄‌两地，具体分布为：‌合肥基地 2 座‌、‌北京基地 1 座‌。‌‌

‌合肥第一座/主厂区‌：安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园‌兴业大道 388 号‌（集团总部及核心制造基地）。

‌合肥第二座厂区‌：安徽省合肥市经济技术开发区‌启德路 799 号‌（长鑫存储技术有限公司主要制造与测试基地，邻近空港园区）。

‌北京厂区‌：北京市北京经济技术开发区（亦庄）‌经海三路 51 号院‌（长鑫集电（北京）存储技术有限公司运营）。‌‌

长鑫的先进制程产线确实依赖ASML的光刻机，主要是深紫外光刻机（DUV），特别是浸没式DUV（如NXT:1980Di/2000i等型号）。这些设备用于制造其19纳米、17纳米等关键工艺。没有这些设备，先进DRAM的规模化生产无法实现。

长鑫无法买到ASML最先进的极紫外光刻机（EUV）。EUV光刻机是三星、海力士用于生产最先进1X纳米级（如15纳米以下）DRAM的关键设备。

这是长鑫在尖端技术上难以追赶世界巨头的核心设备瓶颈。美国的出口管制禁令，正是为了防止中国获得可用于先进制程的尖端半导体设备。

美国：应用材料、泛林研究、科磊等，是刻蚀、薄膜沉积等核心工艺设备的主要来源，同样受管制。

日本：东京电子（涂胶显影、刻蚀等）、迪恩士（清洗）等。

中国本土：随着国产化率提升，中微公司（刻蚀）、北方华创（薄膜/炉管）、盛美上海（清洗）等国产设备正越来越多地进入长鑫产线。

长鑫的扩产和技术进步，高度依赖应用材料（AMAT）、泛林（Lam Research）等美国半导体设备。美国政府的管制重点，就是严防这些先进技术被用于**。具体约束体现为：

产能限制：长鑫规划产能虽大，但先进制程（如17纳米及更先进）的良率爬坡和设备获取受限，能稳定供给**的高性能芯片产能是有限的。

2.长鑫存储为什么不能找中芯国际代工

中芯国际（SMIC）的专长：它是逻辑芯片代工厂。它的产线专门用来制造你手机里的处理器（CPU）、AI芯片等。这类芯片处理“运算”和“控制”，内部是密密麻麻的复杂逻辑电路。

长鑫存储（CXMT）的产品：它是存储芯片制造商，只生产DRAM内存。这类芯片的任务是“暂存数据”，内部结构是高度规则化、重复排列的电容和晶体管阵列。

这两种芯片的制造工艺、材料、设备配置完全不同。中芯国际的产线从光刻、刻蚀到薄膜沉积等每一步都为逻辑芯片优化，技术上根本无法直接转去生产DRAM。

中芯国际是“中央厨房”（Foundry）：它的模式是“代工”，自己不设计芯片，只为客户（如**、高通）的图纸提供制造服务，赚的是加工费。产线需要能灵活满足各类逻辑芯片的需求。

长鑫存储是“自有品牌餐馆”（IDM）：它的模式是从头做到尾（设计、制造、封装全包），只做自己设计的DRAM这一道菜。为了极致的成本控制和性能优化，整个产线都是为这道菜高度定制的。

这是存储芯片竞争力的关键。

DRAM芯片的性能和成本，高度依赖于特定的制造工艺，甚至可以说设计就是为了这个工艺而生的。长鑫的技术源于奇梦达，走的是“埋入式字线”路线，它的整个设计体系和制造流程是深度绑定的。如果强行拿到中芯国际完全不同的工艺线上生产，需要付出巨大的重新设计和调试成本，良率和性能都会惨不忍睹，在商业上毫无竞争力。

四、股权结构

1.长鑫存储股权结构 

董事长朱一明截至长鑫科技IPO 招股书披露日合计持有‌15.98 亿股‌长鑫科技股份（持股比例约‌2.66%‌），其中承诺将‌7.68 亿股‌用于后续员工激励 。

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2.长鑫存储和兆易创新的关系

长鑫存储是IDM模式，自己设计、制造和销售DRAM芯片。成立初期，长鑫与兆易创新签署了长期合作协议。兆易创新作为其主要（曾一度是独家）的DRAM产品代理商，帮助长鑫将内存颗粒销售给下游的模组厂和终端客户。

利基型DRAM联合开发：除了标准的大宗DRAM，双方还合作开发一些小容量、专用型的利基型存储产品，由长鑫代工生产，再交给兆易创新以其自有品牌进行销售。

两者都与合肥市政府的投资平台（合肥产投）关系密切，这是它们能够深度绑定的资本纽带。长鑫存储的崛起，离不开合肥市国资的大力推动。

长鑫存储：控股股东是合肥国资体系，其母公司长鑫科技集团此前引入了国家大基金等多方战略投资。

兆易创新是一家A股上市公司，股权较为分散，实际控制人为董事长朱一明。

朱一明先生曾同时担任兆易创新的董事长和长鑫存储的董事长，促进了双方的战略互信与合作。朱一明目前依然担任兆易创新的董事长，但已经不担任总经理。

兆易创新对长鑫存储有少量直接的股权投资，但远未达到控股或并表的程度。

长鑫存储是“工厂”：主攻技术难度最高、投资规模最大的大宗DRAM（DDR、LPDDR），对标三星、海力士，是国之重器，产线是其核心资产。

兆易创新是“通路”与“产品线”：它是一家典型的Fabless（无晶圆厂）芯片设计公司，拥有遍布全球的销售网络，能触及长鑫初期难以覆盖的客户。

除了DRAM，它的核心产品还有NOR Flash和MCU，可以提供组合解决方案。

五、财报和市值数据

公司总资产3367亿。

负债1826亿。其中长期借款1188亿。

2025年度营收617亿，利润71亿。

2026年7月27日，截止上午收盘当前市值3.66万亿。