SK Hynix Triples EUV Investment to Accelerate HBM Capacity Expansion
SK Hynix正加速提升其1c DRAM工艺上的技术竞争力。据悉，该公司针对该工艺的EUV光刻设备投资规模已较原计划扩大约三倍。
据业内人士透露，SK Hynix正集中推进1c DRAM技术研发。该技术将用于其最新一代HBM4E的核心芯片，样品交付目标定于本年度内完成。由于HBM最大客户英伟达（NVIDIA）计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK Hynix面临着加快开发进度的迫切压力。
此前，SK Hynix的策略是将现有的1b DRAM工艺应用于HBM3E和HBM4，而将1c工艺优先用于DDR5，LPDDR5X，GDDR7等大宗DRAM产品。近期，随着1c DRAM良率的改善，公司已将该工艺的应用范围扩展至HBM，并相应增加了投资。
2024年8月，SK Hynix在开发出1c DRAM工艺后，在良率提升方面一直受到挑战。但从2025年7月份之后，情况已大幅改善。
据第三方人士称，目前SK Hynix 1c DRAM在大宗DRAM领域的良率目前已攀升至80%。
凭借这一技术进展，1c DRAM相关的EUV设备投资也大幅增加。上个月，SK Hynix披露从ASML购入价值约12万亿韩元（约80亿美元）的EUV设备。考虑到公司今年预计的设备投资总额约为20万亿韩元，这意味着超过一半的资金已投向该设备。
上述人士表示：“据我所知，这一采购量已超过公司原定EUV设备交付计划的三倍以上。”
SK Hynix此次采购的设备为ASML最新型号的EUV光刻机，预计数量约为20台。该合同似乎不包含高数值孔径（High-NA）EUV设备。High-NA EUV作为下一代系统，能够实现比传统EUV更精细的电路图案，单台价格约3.5亿美金。
最新型号EUV设备的价格通常在2到3亿美金之间，但本次合同预计以更高价格成交。
有观察指出，SK Hynix支付了15%至20%的“加急费”以加快设备交付。公司预计将于2027年底前从ASML接收所有EUV设备，相比2021年以五年合同采购价值约5万亿韩元同类设备的时间表，这一周期显著压缩。不过，SK Hynix方面表示，“该合同以与行业普遍水平相当的条件签订，并无特殊差异。”
SK Hynix计划将这些EUV设备部署在正在进行1c DRAM工艺转换的生产线上，包括清州M15X，利川M16以及龙仁半导体集群的第一工厂。
在EUV应用层数方面，1c DRAM已从1a DRAM的1层和1b DRAM的4层扩展至5层或更多。竞争对手三星电子最初曾考虑为1c DRAM应用多达8至9层EUV，但考虑到成本负担等因素，目前已调整至类似水平。
很显然，SK Hynix正通过此次投资加速1c DRAM的产能扩张。公司计划今年将超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，预计到年底月产能将达到约19万片晶圆。$南方两倍做多海力士(07709)$ $南方两倍做多三星电子(07747)$ $美光科技(MU)$
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