美光FY26Q2财报一览：营收、利润炸裂，capex激增引发市场博弈周期拐点

存储巨头美光拉开半导体一季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY26Q2，按实际时间对应2025年12月-2026年1/2月。

美光FY26Q2财报：

• 营收238.6亿美元，同比增长196%，环比增长75%，远超市场一致预期的191.4亿美元；预计FY26Q3营收355亿美元，同比增长260%，环比增长40%；

• GAAP毛利率74.4%，同比提升37.6个百分点，环比提升18.4个百分点；预计FY26Q3毛利率81%，环比提升6.6个百分点；

• GAAP净利润161.6亿美元，同比增长921%，环比增长208%，远超市场一致预期的98.2亿美元；NonGAAP净利润140.2亿美元，同比增长686%，环比增长156%，远超市场一致预期的97.9亿美元；预计FY26Q3 GAAP净利润216亿美元，同比增长1045%，环比增长34%，NonGAAP净利润219亿美元，同比增长903%，环比增长56%；

• 本季度回购3.5亿美元，计划季度分红提高30%；

分业务：

DRAM营收187.7亿美元，同比增长207%，连续10个季度增长，环比增长87%，营收占比79%；DRAM bit出货量环比中个位数增长，ASP环比增长mid-60%s；

NAND营收50亿美元，同比增长169%，连续2个季度增长，环比增长104%，营收占比21%；NAND bit出货量环比低个位数增长，ASP环比增长high-70%s；

可见无论是DRAM还是NAND，并不是靠出货量增长，主要靠涨价。

分市场：

• 以云计算客户DRAM、整体数据中心HBM为代表的CMBU业务营收77.5亿美元，同比增长163%，环比增长47%，经营利润率66%，环比提升11个百分点。

• 以OEM客户数据中心DRAM、整体数据中心NAND为代表的CDBU业务营收56.9亿美元，同比增长211%，环比增长139%，经营利润率67%，环比提升30个百分点。

• 以手机/PC DRAM、NAND为代表的MCBU业务营收77.1亿美元，同比增长245%，环比增长81%，经营利润率76%，环比提升29个百分点，首次反超数据中心业务利润率。

• 以汽车/工业/消费DRAM、NAND为代表的AEBU业务营收27.1亿美元，同比增长162%，环比增长57%，经营利润率62%，环比提升26个百分点。

• 这里值得注意的是，非数据中心敞口（手机、PC、工业、汽车）营收合计占比44%，经营利润占比高达46%，这部分是纯靠涨价拉动，而非需求，属于周期拐点最先被冲击的业务。

• 传统服务器需求强劲，受换代和Agentic AI需求带动；AI服务器持续强劲，相关DRAM/NAND仍供不应求；预计2026年服务器出货同比增长low-teens%（较2025年增速下滑），AI服务器、传统服务器皆增长；服务器DRAM容量持续提升；行业首个256GB LP SOCAMM2开始送样，基于1-gamma工艺；英伟达Groq 3 LPX机柜最高搭载12TB DDR5；本季度数据中心NAND营收环比翻倍，预计NAND需求在可见的未来供不应求；

• 管理层表示2026年HBM营收将由HBM3E和HBM4共同构成（不变）；HBM4 36GB 12H开始在本季度量产出货，专为Vera Rubin设计，预计良率爬坡速度比上代HBM3E更快；HBM4 48GB 16H开始送样；HBM4E预计在2027年量产，采用1-gamma DRAM工艺，定制化HBM4E产品提供了产业差异化选择，与客户联合研发；目前非HBM的利润率高于HBM利润率；

• 预计2026年PC、手机出货同比低两位数下滑；本季度接近80%旗舰手机搭载12GB以上DRAM；PC LPCAMM2在一家主要OEM完成验证；

• 本季度汽车、工业营收合计超20亿美元；目前一般汽车的ADAS能力不到L2级别，大约包含16GB的DRAM，而L4级自动驾驶车辆需要超过300GB；

会议纪要重点：

• 预计2026年美光DRAM bit出货同比增长low-20%s（上调），NAND bit出货同比增长20%（不变）；

• 预计DRAM、NAND供不应求持续至2026年以后（不变）；预计2026年NAND产能增长主要靠G9 QLC节点，将在新加坡新建NAND Fab，预计2028年下半年量产；DRAM产能增长主要靠扩产：力积电的Fab提前完成交割，FY26末将扩建洁净室，预计FY28（2027年）开始大量出货；爱达荷ID1预计2027年年中DRAM量产，ID2已经动工；纽约州Fab提前开始动工；日本Fab扩建洁净室进展顺利；印度封测厂开始量产；新加坡HBM先进封装厂预计在2027年大量释放HBM产能；可以看到2027年将迎来众多DRAM/HBM产能释放。

• 上调FY26 capex指引至250亿美元（上季度是200亿美元），capex增量主要是洁净室；预计FY27 capex超350亿美元，大部分与HBM及其他DRAM相关，设备支出也将大幅增长；由于对洁净室产能的需求，预计FY26和FY27建设支出增速将超过设备支出增速；在DRAM 1-delta节点将加大对EUV的使用；

• 签署第一份5年战略合作合同SCA；在中期只能满足客户50%到三分之二的需求；联想到上一轮周期顶部，美光管理层还拿自己LTA占比70%+来说平滑周期，结果...

• 本季度DIO 123天，环比仅下降3天，其中DRAM DIO低于120天；更高的价格、更低的成本和有利的产品组合都将对下季度毛利率的扩张做出贡献；不会提供FQ4的毛利率指引；

总的来说，美光这份财报再次大超预期，在上季度财报提到“2026年将真正迎来美股AI半导体业绩爆发期，今年的还只是开胃菜。”现在确实是见识到了存储前所未有超级周期的威力。

之前曾提到，鉴于目前美光估值逻辑已经从周期股切换到成长股，市场需要更多关于HBM市场TAM上调的积极信号，管理层这次终于给了TAM提前两年突破1000亿美元大关的指引。长期看，美光的核心增长支柱还是HBM、高密度D5/LP5、数据中心SSD三大业务，但短期看，非HBM业务的利润率已经在涨价潮的提振下，大幅跑赢了HBM业务。

在官方HBM TAM指引更新后，假设美光2028年HBM市占率仍保持25%，净利润率取30%对应75亿美元净利润，PEG取1就意味着40倍PE，结合下来就是HBM业务对应约3000亿美元估值。可惜管理层这次不敢给出HBM 25%市占率的指引。

崔彤，公众号：Eric有话说美光FY26Q1财报一览：指引炸裂、上调HBM预期，非HBM业务毛利率绝地反击

管理层给出超预期的capex以及新建产能进展的超预期，开始令市场担忧拐点的问题。市场包括存储厂自己也都深知周期终究是周期，拐点终究会到来，去纠结PE估值已经没有意义。目前DRAM、NAND产能集中释放的节点主要在2027年下半年，但就怕市场开始提前博弈。

此前财报一览（时间由近及远）：

《美光FY26Q1财报一览：指引炸裂、上调HBM预期，非HBM业务毛利率绝地反击》

《美光FY25Q4财报一览：AI推动DRAM/NAND供不应求持续到2026年，HBM4仍未售罄》

《美光FY25Q3财报一览：HBM助力DRAM高歌猛进，NAND利润恶化；手机、工业回暖》

《美光FY25Q2财报一览：HBM季度营收突破10亿美元大关，数据中心SSD、消费电子疲软》

《美光FY25Q1财报一览：HBM营收环比翻倍，难挡消费电子超预期疲软》

《美光FY24Q4财报一览：HBM如期放量，DRAM/NAND明年供需指引乐观》

《美光FY24Q3财报一览：手机贡献大量利润，HBM下半年放量》

《美光FY24Q2财报一览：AI助力存储开启上行周期》

《美光FY24Q1财报一览：价格上涨将带动毛利率持续走高》

《美光FY23Q4财报一览：笔电需求回暖，2024Q2毛利率转正》

《存储周期底部确立，但美光明年才能毛利率转正》

《美光指引超预期，数据中心下半年稳了》