DeW
02-23
[呆住]
背部供电本身能跑通不错了,技术难度比mircoled的迁移类似。
台积电,早晚卡在这块上。
英特尔 18A 制程实测:M0 间距 36nm、GAA 间距 76nm,与宣传存在差距
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间距,仅从当前量产产品来看,即使在 36nm 上,良率稳定仍需一些时日。报告提到,18A 逻辑 GAA 间距达 76nm,甚至远大于中芯国际 N+3 工艺的 32nm 鳍片间距。","content":"<html><body><article><p>IT之家 2 月 21 日消息,分析师 @jukan05 今日转发了一份关于<a href=\"https://laohu8.com/S/INTC\">英特尔</a> Panther Lake 的深度技术分析报告,揭示了首款基于 Intel 18A 制程工艺的 CPU 产品的关键设计参数。</p><img src=\"https://fid-75186.picgzc.qpic.cn/20260221191317693d2014zmgz4fv1uk\"/><p>这份报告通过对芯片物理实现的详细拆解,呈现了 18A 工艺在初期量产阶段的真实技术面貌,同时也勾勒出英特尔未来 14A 工艺的技术演进路径。</p><p><strong>核心尺寸与单元设计</strong></p><p>Panther Lake 芯片的裸晶圆尺寸(Die size)约为 110mm²,芯片内所有区域,包括逻辑芯片和 SRAM 芯片,均采用了高性能(HP)库,而非通常用于提高密度的高密度(HD)库。</p><p>具体而言,逻辑芯片部分采用 G50H180 规格,SRAM 芯片面积为 0.023μm²,这与英特尔此前披露的信息一致。</p><p>在金属层间距上,其最小金属间距(M0)为 36nm。尽管 Intel 18A 宣称可实现 32nm 的 M0 间距,但这仅适用于 HD 库(对应 H160)。</p><p>与业界常见的 HD / HP 同间距但晶体管数量不同的做法不同,18A 的 HD 和 HP 库均维持 5 个鳍片,但 HD 库采用 32nm 间距,而 HP 库则为 36nm 间距。</p><p>在金属层方面,前端(FS)共有 15 层金属层,后端(BS)共有 6 层金属层,其中 BM5 层实质上可视为 RDL(重分布层)。</p><p><strong>GAA 间距与背面供电的妥协</strong></p><p>GAA 全环绕栅极晶体管的间距是衡量工艺先进性的关键指标。Panther Lake 的逻辑最小栅极间距为 76nm,而 SRAM 位线间距为 52nm,两者之间存在显著差异。这一差异背后则是技术的现实权衡。</p><p>值得注意的是,逻辑与 SRAM 均采用 HP 库,但两者最小间距差异较大。目前尚未公布 GAA 关键尺寸(CD),因此无法进一步反推出 GAA 间距。</p><p>关于 Power Via 背面供电技术,英特尔此前已说明 18A 的 SRAM 并未采用 Power Via 方案。18A 的 Power Via 技术是在 GAA 结构之间插入电源通孔,将背面供电连接至前端中段金属层(MEOL)接触层,并向源极提供电力。但是,这要求 GAA 间距必须足够大,否则 Power Via 无法通过。</p><p>按照业内普遍认知,若要在 SRAM 单元中实现 Power Via,仅插入 NN 间距一项就需将单元高度增加 1.1 倍。报告指出,虽然英特尔官方解释是背面供电对 SRAM 提供的收益不明显,而根本原因在于技术限制。</p><p>好消息是,这一限制将在 14A 节点得到解决。14A 将改用 BSCON 技术,直接从背面连接到晶体管的源极端子,从而摆脱 GAA 间距的约束。这意味着,14A 的 SRAM 是具备采用 Power Via 技术能力的。</p><img src=\"https://fid-75186.picgzc.qpic.cn/20260221191319803d201asdos9zseq8\"/><p>在材料层面,18A 的 MEOL(中段制程)接触孔以及 BEOL(后段制程)的 V0/V1 层仍采用钨,而非此前传闻中的钼。M0 金属层则采用铜。分析认为,英特尔计划在 14A 节点引入钼,但 14A 的 M0 间距仍然较大,仅略小于 18A,因此目前尚无必要采用钌。</p><p>除此之外,18A 的 GAA 结构已配备内部间隔层(Inner Spacer)。相比之下,<a href=\"https://laohu8.com/S/SMSN.UK\">三星</a>的 SF3 工艺直到 SF2 节点才引入该结构,这凸显了不同代工厂在技术成熟度上的差异。</p><p>在产能与良率方面,报告提到,Panther Lake 目前仍处于良率爬坡阶段,且当前产品全部采用相对更易制造的 HP 库。分析认为,先不考虑英特尔承诺的 32nm 间距,仅从当前量产产品来看,即使在 36nm 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