昨天市场没什么看头，窄幅震荡，基本上跟我一周前瞻里面的剧本是一个，还是要看今晚的数据情况。黄金今天再次来到5050-5060的压力位，仍然有可能再度下探，上车机会走过路过不要错过。加密持续寒冬，昨天hood的财报不及预期，主要还是加密持续萎靡拖累了利润。最近不知大家有没有留意到，加密出现在新闻里面的频率变高了，不知道有没有说法咯～
今天主要想聊一下确定性更高的存储系，存储作为开年以来最热门的题材之一，我翻了一下过往文章，居然没有专门写过，再加上刚好这几天进入了回调的阶段，所以今天想讨论一下存储行业的未来预期、扩厂后的供需缺口、核心逻辑拆解，并对周期是否见顶进行判断。
价格趋势与供需格局
存储芯片价格在2026年初呈现出强劲的上涨势头。DRAM合约价在2026年1月环比大幅上涨，其中PC DRAM合约价上涨约98%，服务器DRAM上涨约90%。UBS指出，2025年至2027年间，DRAM每Gb价格可能累计上涨289%，而NAND价格可能累计上涨144%。尽管预计2026年第二季度DRAM价格涨幅将放缓至20-25%的季度环比增长，但整体价格水平仍将保持高位。
从供需层面来看，市场普遍预期存储行业将面临严重的供不应求，2026年和2027年DRAM的供需缺口将分别达到-4.9%和-2.5%，NAND的供需缺口分别为-4.2%和-2.1%。其中，2026年的DRAM短缺被认为是过去15年来最严重的一次。
扩厂与产能缺口
尽管存储厂商已开始增加资本开支（Capex）以扩充产能，但新产能的释放速度远不足以弥补强劲的需求增长。主要原因包括：
1洁净室空间限制：现有洁净室空间有限，尤其是在HBM（高带宽内存）产能优先的情况下，传统DRAM产能的增加受到制约。
2新建工厂周期长：三星P5和海力士龙仁等新建工厂预计要到2027年下半年才能实现大规模量产。
3HBM挤占效应：HBM的生产对晶圆的消耗量是传统DRAM的3倍，这意味着即使总晶圆产出增加，可用于传统DRAM的有效产能也会被HBM大量挤占。
大摩预计，2026年晶圆产能增长仅为7% 。这种有限的产能扩张与爆发式增长的需求形成了鲜明对比，进一步加剧了供需紧张。
核心逻辑拆解：AI驱动与技术瓶颈
本轮存储超级周期的核心驱动力是人工智能的快速发展，特别是AI服务器对HBM和高容量DDR5的巨大需求。NVIDIA推出的Rubin平台及其ICMSP架构，预计将为NAND市场带来巨大的增量需求，每颗GPU可能需要额外增加16TB的KV Cache存储。高盛预计，服务器相关DRAM需求（包括HBM）将占全球DRAM总需求的53%-57%，使其成为全球DRAM需求最重要的驱动力。
与此同时，DRAM微缩技术的放缓也改变了行业的成本结构。随着密度提升的减缓，每比特成本的下降速度变慢，存储产品的定价更多地取决于产能分配和供需动态，而非单纯的技术进步带来的成本降低。
此外，云服务提供商的强劲需求是支撑当前存储价格高位运行的关键因素。即使PC和智能手机市场因存储成本上升而出现需求疲软，CSP的需求依然旺盛，并愿意支付溢价以确保供应。存储成本在服务器物料清单中的占比已从46%上升至67%，凸显了存储在AI服务器中的战略重要性。
周期是否见顶？
关于存储周期是否见顶，市场存在一定的分歧，争议点在于短缺能否持续到2027年甚至更久。
支持周期持续的逻辑主要在于：
•AI需求的持续爆发：只要AI技术和应用持续发展，对高性能存储的需求就不会减弱。
•新产能释放滞后：如前所述，大规模新产能的释放需要时间，在2027年之前难以有效缓解供需紧张。
•库存水平低位：目前生产商和客户的库存水平普遍较低，难以应对突发需求或供应中断。
然而，潜在的风险点也不容忽视，包括：
•需求破坏：存储价格的持续飙升可能导致PC和智能手机等消费电子产品出现“需求破坏”，即消费者因成本过高而推迟购买或选择低配产品。
•新产能集中释放：如果2027年之后，大量新建工厂产能集中释放，可能导致市场再次出现供过于求的局面。
综合来看，在AI需求强劲、技术瓶颈和产能扩张滞后的多重因素作用下，存储行业的“超级周期”有望持续。在2026年，DRAM和NAND的营业利润率预计将达到历史高位，例如三星和海力士的DRAM OPM可能达到70%-80%。对于投资者而言，当前存储行业的估值（如美光）仍处于相对较低水平，存在重估空间。
结论
存储行业正处于一个由AI驱动的结构性增长周期中，供需紧张的局面在短期内难以改变。尽管存在价格过高导致需求破坏和未来产能集中释放的风险，但AI的长期发展趋势和现有产能的限制，使得存储行业在未来几年内仍具备较高的投资价值。
精彩评论