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SK 海力士，全球第二大内存芯片制造商，近日发布了令人振奋的第一季度财报。公司预计，随着人工智能相关需求的急剧增长，内存芯片市场将全面复苏。
今年 3 月的第一季度：
● SK 海力士的营收达到 12.4 万亿韩圆（约合 90 亿美元），高于预期，较去年同期增长 144%，创下 2010 年以来最快增速。
● 营业利润达到 2.89 万亿韩圆（约合 20.98 亿美元），是有史以来第二高的第一季度营利表现，大幅超过市场预期的 1.8 万亿韩圆。
Part 1
SK 海力士强劲的业绩
SK 海力士表示，整体内存芯片需求正在稳步增长，DRAM 市场价格的涨幅已达到两位数，NAND 价格也出现反弹，这是推动该公司第一季度营收大涨的重要原因之一。
正在增加其尖端 HBM3E 芯片的供应，并正在与一些客户就这类半导体的长期合同进行谈判。对于 AI 服务器产品的强劲需求也有助于提高DRAM的价格。
SK 海力士首席运营官 Kim Woo Hyun 在财报电话会议上表示，对企业固态硬盘的需求帮助该公司的 NAND 业务在第一季度恢复盈利。2024 年的投资将略高于年初计划，大部分支出将集中在高利润产品和基础设施上，以实现中期持续增长。“对短期常规产品供需的任何影响都将是有限的。鉴于我们目前的现金流水平，我们将在投资未来增长与确保财务稳健之间取得平衡。”
SK海力士将在韩国投资约 150 亿美元，以满足市场对 HBM 芯片的持续增长需求，还计划投资 39 亿美元，在美国印第安纳州建立一家先进的封装厂和人工智能产品研究中心。
Part 2
HBM的销售收入
预期 2024 年，SK 海力士预计 HBM 销售累计收入将达到 100 亿美元左右，SK 海力士已经售空了今年和 2025 年的 HBM 产能，HBM 领域现在市场需求的持续增长。HBM 技术的不断发展使得内存模块的容量和带宽大幅提升，这对于高性能计算、人工智能、图形处理等领域的应用具有重要意义。
SK 海力士的HBM3E将于第三季度开始批量生产，这将为公司带来更多的收入，SK 海力士能够更好地控制 HBM 产能，这使得该公司能够灵活应对市场需求。
为了保持技术领先地位，SK 海力士不断进行技术创新和投资，正在其位于清州的 M15 晶圆厂建立一条硅通孔（TSV）生产线，新晶圆厂名为 M15X，将生产下一代 DRAM。SK 海力士已拨款 20 万亿韩元用于该项目，以确保技术和产能的持续提升。M15X 制造的 DRAM 可能会用于制造 HBM。TSV 是一种微小的导线，当 DRAM 组装成 HBM 时，这些导线会穿过 DRAM，使得 HBM 具有更高的带宽和更小的封装尺寸。
SK 海力士还强调了其采用的大规模回流模制底部填充（MR-MUF）工艺。这一工艺将用于制造 12 堆栈 HBM3E，并将用于未来 16 堆栈的 HBM4。相比之下，竞争对手三星和美光采用热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺。
小结
和AI直接相关，特别是和英伟达直接挂钩的半导体都处在景气周期。
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