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tom33
10-13

来条毛，小便

存储芯片“超级周期”，真的来了？

近期，全球存储芯片市场持续释放积极信号。在此背景下，摩根士丹利研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。半导体行业“风向标”，逻辑生变存储芯片作为半导体行业的“风向标”，其周期性波动始终是观察产业景气度的关键窗口。存储芯片行业，似乎开启了由AI驱动的全新产业周期。

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alt=\"图源：野村证券\" title=\"图源：野村证券\" tg-width=\"1080\" tg-height=\"588\"/><span>图源：野村证券</span></p><ul style=\"\"><li><p>2016-2019年，DDR4技术迭代叠加手机游戏需求爆发，推动存储价格累计涨幅超100%；</p></li></ul><ul style=\"list-style-type: disc;\"><li><p>2020-2023年，全球疫情催生的远程办公与数据中心需求先拉动价格上涨，后又因需求疲软与产能过剩陷入调整，累计跌幅超50%；</p></li><li><p>2024年至今，AI算力基建与HBM技术革命成为新引擎，直接改写了传统周期逻辑。</p></li></ul><p>需要注意的是，与前两轮周期不同，本轮上行不再依赖个人消费端需求，而是以企业级AI资本开支为核心——HBM价格年内暴涨500%，DDR4价格涨幅超50%，高端存储产品“量价齐升”的同时，利基市场国产替代也在加速。</p><p>更关键的是，AI数据中心对存储产能的“吞噬式需求”，让全产业链呈现罕见的全品类普涨态势：从消费级NVMe SSD、DDR4内存条，到企业级存储系统与大容量HDD，价格同步攀升。</p><p>这种结构性变化正在重塑存储产业的传统周期模型。据CFM闪存市场预测，2025年全球存储市场规模有望达到1932亿美元，将创下历史最高记录。存储芯片行业，似乎开启了由AI驱动的全新产业周期。</p><p><strong>AI重构存储“供需新规则”</strong></p><p>AI技术的爆发式演进不仅是存储需求的“超级引擎”，更在深层次重构全球存储芯片市场的“供需新规则”，推动行业迈入前所未有的变革周期。</p><p>从市场供需逻辑来看，AI正以颠覆性力量催生结构性存储缺口。这种缺口并非简单的数量增长，而是由性能与容量双重诉求驱动的质的飞跃。据美光数据显示，AI服务器的DRAM容量需求是普通服务器的8倍，NAND 容量需求则达到3倍，单台AI服务器存储需求更是高达2TB，远超传统服务器的配置标准。</p><p>更关键的是，AI大模型“训练-推理-再训练”的正循环，使得数据存储需求呈现持续放大的态势，一个GPU节点就可能消耗数百GB DRAM和数TB闪存，超大规模数据中心的需求规模更是呈指数级扩张。</p><p>这种需求爆发在核心项目上体现得尤为极致，以OpenAI的“星际之门”(Stargate)项目为例，该项目与三星、SK海力士达成合作，每月需采购90万片DRAM晶圆，这一数字相当于全球DRAM总产量的近40%，这种规模的单一订单，彻底改变了原有的市场平衡。而四家云巨头对AI相关NAND的订单也已达200EB，远超2026年150EB的原预期。</p><p>全球存储市场已然清晰感知到：人工智能正在重构行业运行的底层逻辑。</p><p>与此同时，需求激增直接推高了存储芯片在AI基建中的成本占比，尤其是高性能存储成为成本核心。以HBM为例，其单颗价格突破5000美元，是传统DDR5内存的20倍，而毛利率却高达50%-60%，远超传统DRAM 30%左右的水平。由于每一块HBM都需针对特定AI GPU定制，客户需提前一年下单锁定产能，这种“定制化+长周期”的订货模式，进一步凸显了其战略价值。</p><p>同时，NAND闪存的成本权重也在上升，随着HDD供应短缺导致近线存储加速向QLC SSD迁移，多家超大规模云厂商的大额追加订单，使得企业级SSD成为数据中心建设的刚需，存储芯片已从原来的辅助组件升级为成本核心，成为左右厂商利润的关键变量。</p><p>在此背景下，HBM、DRAM与NAND等高性能存储资源成为行业必争的战略资源。从市场规模看，摩根士丹利预测全球HBM市场将从2023年的30亿美元飙升至2027年的530亿美元，年复合增长率超100%；而NAND市场虽起步更早，但AI推理需求的爆发使其焕发新生，从上述提到的四家云巨头订单预测变动能看到，供需缺口显著。</p><p>产能端的稀缺性更显突出：美光2026年底前的HBM产能已全部预售完毕，SK海力士12层堆叠HBM3e产品即便良率仅75%，2026年产能也被英伟达、AMD等企业锁定，三星下一代V9 NAND未发布便订单满额，供需紧张态势可见一斑。</p><p><strong>存储芯片行业剧变：</strong></p><p><strong>价格、产能与技术的全方位革新</strong></p><p>供需规则的重构，迅速传导为行业层面的剧烈变革，存储价格飙升成为最直观的市场信号。</p><p>从2025年9月以来，全球存储巨头密集发布涨价通知，形成“集体提价潮”：三星宣布第四季度DRAM价格上调15%-30%，NAND价格上调5%-10%；美光更是将存储产品价格拉高20%-30%，并暂停报价一周以消化涨幅；闪迪对全渠道NAND产品提价10%以上，群联恢复报价后涨幅约10%，被视为NAND涨价的明确信号。</p><p>此外，现货市场反应更为激烈，DDR4芯片半年累计涨幅超200%，2025年Q2单月涨幅一度达53%，出现与DDR5价格倒挂的罕见现象；NAND晶圆现货价格在10月环比上涨9%-11%，服务器eSSD价格预计四季度涨幅将超10%。</p><p>高盛与TrendForce等机构预测，这种涨势将持续至2026年，DRAM四季度环比涨幅或达8%-13%，NAND则为5%-10%，若计入HBM，涨幅将进一步扩大。</p><p>进一步来看，价格飙升的背后，是全球存储巨头的产能战略性倾斜。</p><p>三星、SK海力士、美光三大寡头摒弃了过去“规模优先”的策略，转向“利润优先”，将先进制程产能集中投向高附加值产品。DRAM领域，三星率先停止DDR4生产，SK海力士计划将DDR4产能压缩至20%，美光与SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新订单，所有资源向DDR5与HBM倾斜；NAND市场，厂商纷纷缩减消费级产能，将产能转向企业级3D QLC产品。</p><p>这种结构性倾斜导致了市场“冰火两重天”：高端HBM与DDR5供不应求，中低端DDR4因减产速度超过需求下降速度，出现严重供需错配。对此，群联电子CEO直言，这种资本支出转向将导致NAND未来十年供应持续紧张，2026年便将面临严重短缺。</p><p>产能倾斜与需求倒逼共同推动了存储技术的加速突破，成为行业变革的核心动力。其中，HBM领域的技术迭代最为迅猛，据了解，2025年全球HBM总产能已增至54万片，同比激增105%，但仍难以填补AI带来的需求缺口。SK海力士已建成HBM4量产体系，预计将占据HBM4市场60%以上份额，三星、美光等厂商也在加紧筹备HBM4量产，力争抢占英伟达、AMD认证先机，而国内相关厂商也在加速突破，国产替代窗口期持续扩大。</p><p>总的来看，这场由AI引发的产业新变革，彻底打破了存储行业传统的“供需博弈”周期逻辑，形成了“AI需求牵引-产能高端倾斜-技术迭代加速-价格结构性上涨”的新闭环。从HBM的一芯难求到NAND的从白菜价到紧俏货，从巨头的产能重构到国产厂商的突围，存储芯片市场正经历着新一轮的深度重塑，将存储芯片从标准化大宗商品，重塑为影响算力发展的战略性资源，标志着产业已进入一个由技术迭代与需求爆发共同定义的全新时代。</p><p><strong>存储芯片“三维革命”：</strong></p><p><strong>技术竞速与巨头格局重塑</strong></p><p>当前存储产业的变革不仅体现在市场供需层面，更在技术维度展开着一场深刻的“三维革命”。HBM的带宽竞赛进入白热化阶段，3D NAND的堆叠层数不断刷新上限，HBF技术的横空出世则点燃了新赛道的竞争火种。</p><p>这场围绕垂直堆叠、高速互联与架构创新的技术深耕，正重塑全球存储产业的竞争格局，巨头们的每一步布局都关乎未来数年的行业话语权。</p><p><strong>HBM：带宽竞赛与标准主导权争夺</strong></p><p>HBM作为AI算力的关键核心，其核心突破在于2.5D/3D堆叠和硅通孔(TSV)技术的创新应用。通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并与GPU/CPU通过中介层互联，HBM成功突破了传统封装技术的限制。以英伟达H200搭载的HBM3E为例，其带宽高达4.8TB/s，完美解决了AI芯片面临的“内存墙”瓶颈。</p><p>然而，HBM的技术迭代速度与竞争激烈程度远超传统存储领域。</p><p>2025年4月，JEDEC固态技术协会正式发布HBM4标准（JESD270-4），将这一赛道的技术门槛推向新高度——采用2048位超宽接口，传输速率达8GB/s，总带宽突破2TB/s，较此前SK海力士宣称的1.5TB/s再提升33%。</p><p>更关键的是，HBM4将独立通道数量从16个翻倍至32个，同时引入0.7V-0.9V的低电压选项，在性能跃升的同时实现了能效优化，完美适配下一代生成式AI与高性能计算需求。</p><p>标准确立背后，是国际巨头的贴身博弈。</p><p>从市场格局来看，SK海力士凭借在HBM3和HBM3E领域的领先优势，目前占据全球HBM市场约60%的份额，成为英伟达H100/H200芯片的独家供应商。凭借先发优势持续领跑，SK海力士在2025年3月率先发布12层堆叠的HBM4样品，采用Advanced MR-MUF封装技术，单堆栈容量可达64GB，且已启动与英伟达下一代GPU的适配测试，试图延续其独家供应优势。</p><p>三星则依托垂直整合能力加速追赶，计划2025年下半年启动HBM4量产，采用4nm逻辑芯片工艺与10nm DRAM制程，目标在良率与成本控制上形成突破，夺回被侵蚀的市场份额。美光虽暂未公开HBM4进展，但通过聚焦汽车与边缘计算领域的HBM3E变体产品，正构建差异化竞争壁垒。其1β工艺LPDDR5X芯片已通过特斯拉认证，在该细分领域市占率达35%。</p><p>摩根大通指出，技术突破使得HBM在2027年占DRAM总产值比重将达43%，AI相关应用占DRAM市场规模更是高达53%，技术红利正成为超级周期的核心支撑。</p><p>三大巨头角力的同时，国产力量的崛起也在为这场竞争注入新变量，引领着中国在高端存储领域从“技术跟随”向“自主创新”跨越。</p><p><strong>3D NAND的堆叠竞赛与现实困境</strong></p><p>如果说HBM的核心是“速度革命”，3D NAND的突破则聚焦于“空间革命”。</p><p>堆叠层数的持续提升成为厂商比拼的核心指标，这一技术突破意味着在单位面积内可容纳的存储容量再创新高，为AI数据中心需要的大容量存储需求提供了保障。</p><p>TechInsights展示了各大厂商在 3D NAND位密度（bit density） 上的演进趋势，横轴是堆叠层数，纵轴是单位面积的存储密度。可以看到，层数越高，代表技术越先进，也能带来更高的存储密度。</p><p class=\"t-img-caption\"><img src=\"https://static.tigerbbs.com/4ce8bcff40702b4061552b3801fa2cd3\" alt=\"\" title=\"\" tg-width=\"1080\" tg-height=\"604\"/></p><p>能看到，三星、美光、SK海力士、铠侠/WD、Solidigm等存储巨头都在稳步提升3D NAND闪存堆叠层数，整体趋势非常明显：从200层到300层的跨越，将带来更高的容量和更强的竞争力。</p><p>谁能把层数和密度拉满，谁就能在NAND这场“堆积木比赛”中领先。未来几年，276层、300层甚至更高层数的NAND将陆续登场，存储市场的竞争只会越来越激烈。</p><p>但从产业实际现状来看，在DRAM/HBM需求高涨的聚光灯下，NAND产业的生存空间正被挤压，迫使各大厂商纷纷调整航向，将战略重心转向更具潜力的赛道。</p><p>三星的V10 NAND本是技术皇冠上的明珠，在技术层面，三星的V10 NAND计划在2026年10月正式量产，这款产品被视为技术上的重大飞跃，它将具备400层以上的活性层（据悉为430层），接口速度提升至5.6GT/s，旨在与PCIe Gen6主控协同发力数据中心市场。此外，为应对AI应用对高性能存储的需求，三星已重启专为AI优化的Z-NAND开发，目标性能提升最高15倍，功耗降低80%。</p><p>尽管技术上高歌猛进，但三星在NAND的产能投资和先进技术导入上显得颇为谨慎，这与其在HBM领域的激进投入形成对比。</p><p>据报道，三星与SK海力士计划放缓2025年对先进NAND的投资步伐，将企业资金更多集中于DRAM和HBM领域。例如，三星在西安工厂的第9代NAND转换投资规模很小，并且推迟了在V9 NAND中导入混合键合技术的计划。</p><p>耐人寻味的是，三星将混合键合技术在NAND的应用计划搁置，却将同类型技术全力押注HBM量产——资源倾斜背后的战略优先级不言而喻。</p><p>而SK海力士凭借对英伟达HBM的近乎垄断，正采取一种 “精耕细作” 的策略发展其NAND业务：在NAND尖端技术研发上持续投入以保持竞争力，但在产能分配和资源倾斜上，确实在一定程度上受到了HBM和DRAM业务的挤压。</p><p>SK海力士已在NAND技术上取得重大突破，开始量产全球首款321层2Tb QLC NAND闪存。与之前的产品相比，这款新闪存不仅容量翻倍，还通过架构优化实现了传输速度翻倍和显著的能效提升。公司计划将其首先应用于PC SSD，随后逐步推广至数据中心的企业级SSD和智能手机存储，并明确瞄准了AI数据中心市场。此外，SK海力士也已着手开发400层以上的NAND技术，计划在2025年末完成量产准备。</p><p>尽管技术上高歌猛进，但SK海士在产能和资源分配上确实向HBM和DRAM有所倾斜。为了满足AI巨头对HBM的爆炸性需求，SK海力士正在全力扩充HBM产能。</p><ul style=\"list-style-type: disc;\"><li><p><strong>产能转换：</strong>由于新建晶圆厂周期长，SK海力士选择通过改造部分现有的NAND产线来增加HBM的后工序产能。这直接表明，在有限的工厂空间内，NAND产能为更高利润的HBM让了路。</p></li><li><p><strong>战略倾向：</strong>SK海力士对NAND的资本支出态度相对保守。这主要是因为当前DRAM（尤其是HBM）的利润率远高于NAND，且消费电子市场对NAND的需求相对疲软。因此，公司将宝贵的资源优先投入到了DRAM和HBM的扩产中。</p></li></ul><p>总而言之，SK海力士并未放弃在NAND领域的竞争，而是选择通过技术突破来维持其市场地位。但在资源的天平上，当前无疑更倾向于将产能和资本分配给正处于风口、利润也更丰厚的HBM业务。</p><p>此外，美日存储厂商的NAND业务也在收缩战线与被动承压。其中，美光退出移动NAND市场的决策震动业界。“我们必须在AI内存浪潮中抢占制高点。”其CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报会议中的表态，揭开了残酷的算术题：同等资本投入DRAM/HBM的回报率已是NAND的2.3倍。而日本厂商，铠侠与西部数据合并案的反复拉锯，使其在层数竞赛中逐渐掉队，200层以上产能占比稍显不足。</p><p>综合来看，各家存储厂商不仅在“层数”上拼命卷，还在架构设计上分出流派。未来，厂商需在技术突破与市场需求间精准把控，同时探索3D NAND与HBM、AI存储的协同应用，推动存储行业向更高效率、更低成本方向发展。</p><p><strong>HBF：NAND产业的“HBM时刻”</strong></p><p>面对HBM在DRAM领域取得的巨大成功，NAND厂商正在积极寻求技术突破，高带宽闪存(HBF)技术应运而生，被视为NAND产业的“HBM时刻”，正点燃NAND行业的“第二增长曲线”竞争。</p><p>据了解，HBF的技术原理与HBM类似，旨在通过颠覆性架构设计打破了传统NAND的性能瓶颈——采用16颗核心芯片垂直堆叠，通过硅通孔（TSV）技术互连，并叠加专用逻辑芯片实现多子阵列并行访问，使单堆叠单元容量达到512GB，是8-Hi HBM3E的21倍。其底层基于SanDisk的BICS 3D NAND架构，并采用CMOS直接键合技术，将存储阵列与逻辑芯片紧密集成，为带宽提升奠定硬件基础。尽管HBF的单比特访问延迟仍无法与DRAM相比，但其主要面向高吞吐量、读取密集型的AI推理任务。</p><p>HBF的技术定位精准填补了市场空白。针对AI推理场景对“高带宽、大容量、低成本”的需求，SanDisk提出“匹配HBM带宽、提供8-16倍容量”的目标，虽未公开具体带宽数据，但通过并行访问架构，有望将延迟降至传统SSD的1/5以下，成为HBM在推理场景的理想补充。同时，为降低客户迁移成本，HBF采用与HBM相似的机械与电气接口，仅需小幅协议调整即可适配现有GPU平台，这种“兼容创新”策略显著提升了技术落地效率。</p><p>从行业现状来看，一场围绕HBF的生态卡位战已悄然打响。</p><p>作为SanDisk的母公司，西部数据正将HBF与自身的Ultrastar SSD产品线整合，计划2026年推出首款搭载HBF的企业级存储解决方案，目标拿下北美云服务商30%以上的推理节点存储订单。三星与铠侠也加速跟进，分别启动“High-Bandwidth NAND”与“Flash-IO Accelerator”项目，前者侧重与HBM的协同调度，后者聚焦低功耗优化，试图在技术路线上形成差异化。SanDisk则通过联手SK海力士推动HBF成为开放标准，组建包含云服务商与芯片厂商的技术顾问委员会，试图以生态主导权压制竞争对手。</p><p>在NAND技术红利消退与需求代际更迭的叠加背景下，当HBF技术尝试打通“存算边界”，这场NAND的生存游戏再次印证了这个更深刻的产业变局——存储芯片的战场，终将从层数竞赛升维至架构革命。</p><p>从HBM的带宽竞速到3D NAND的层数突破，再到HBF的架构创新，存储产业的“三维革命”本质是一场技术深耕的持久战。国际巨头凭借多年技术积累仍占据主导地位——三星的垂直整合能力、SK海力士的HBM市占优势、美光的汽车存储布局，共同构成了现有产业格局的基石。</p><p>未来，技术话语权将成为竞争的核心。HBM4标准的落地将引发新一轮产能竞赛，3D NAND的混合键合技术可能成为400层以上产品的标配，HBF则需要在写入寿命与延迟控制上实现突破。</p><p>对于厂商而言，单纯的层数或带宽比拼已不足够，只有将技术创新与生态绑定、场景适配相结合，才能在AI驱动的存储新周期中站稳脚跟。而每一次技术突破，都在重新定义存储与算力的边界。</p><p><strong>周期预判：结构性机遇下的复苏与博弈</strong></p><p>当前存储芯片市场的强劲涨势，尤其是HBM的爆发性增长，让“超级周期”成为热议焦点。</p><p>对于存储行业的周期走向，分析机构与巨头的预判共同指向“非典型复苏”，即这并非传统3-5年库存周期的简单重复，而是AI驱动的结构性增长与行业固有周期属性交织的新格局，但“超级周期”的成色仍取决于多项因素的考量与博弈。</p><p>首先，驱动此次周期的核心“定数”在于AI需求引发的产业逻辑重构。这不仅是需求的扩张，更是需求的结构性变革。存储巨头们的战略重心已清晰地向HBM、高速DDR5等高附加值产品倾斜。同时，AI服务器和数据中心的需求激增，也推动了存储芯片市场的发展。为满足AI巨头们如OpenAI“星际之门”项目的庞大需求，全球HBM产能正被加速构建。这种产能的“战略转移”导致传统存储类别如DDR4面临供给紧张，价格出现异常上行。</p><p>Yole Group数据显示，2025年全球存储收入有望达2000亿美元，同比增长18%，AI服务器的eSSD、服务器DRAM与HBM需求构成核心拉动力。而摩根士丹利指出，“带宽决定性能”的技术范式转移，使企业级资本开支的刚性远超消费端波动，为周期长度与强度提供了关键支撑。</p><p>其次，原厂策略调整与周期属性，构成了平衡周期节奏的核心“变数”。经历过2023年库存危机后，三星、SK海力士、美光等巨头转向“精准减产+高端倾斜”策略，DDR4等传统产能收缩与AI存储需求扩张形成结构性失衡，推动四季度DDR5 RDIMM价格上涨10%-15%。这种供需调节使行业从全面过剩转向紧平衡，但消费端疲软仍存，智能手机存储升级放缓可能压制中低端产品涨幅，限制周期的全面爆发。</p><p>另外，地缘政治与供应链风险，则为周期增添了最大不确定性。国际巨头在HBM与先进封装领域的技术垄断，叠加供应链限制，使国产企业虽获导入窗口，却难以快速突破高端环节。国产替代虽加速，但HBM领域的技术代差仍可能分流周期红利。</p><p>更关键的是，稀土禁运、先进设备和材料出口管制、关税提升等制裁措施或将为存储芯片产业周期注入显著不确定性，既可能延缓复苏节奏，也可能加速结构性变革。贸易制裁在短期内可能扰乱正常的市场供需和库存消化节奏，甚至引发囤货潮，给产业周期的判断带来变数。从中长期看，地缘政治因素已成为影响存储芯片产业格局的重要变量，传统的周期模型需要纳入制裁等政策性风险。</p><p>整体来看，断言单一的“超级周期”或许过于乐观，存储市场更可能步入一个“结构性超级周期”，其特点是AI驱动的高性能存储芯片领域持续高热，而传统市场则在其涟漪效应中波动前行。</p><p>短期来看，由AI需求和高附加值产品产能挤占带来的涨价动力依然强劲。但长期而言，行业最终会走向新的供需平衡。此次复苏的最终形态，将取决于AI需求的持久力、全球产能分配的调整，以及地缘政治等多重变量的复杂互动。</p><p>对于行业参与者而言，竞争的核心已不再是简单的产能扩张，而是在这场由AI引领的变革中，能否精准把握技术演进与市场格局重构的节奏，做出前瞻性的战略布局。于全球巨头而言，这是巩固技术溢价的机遇；对国产企业来讲，这也是缩小差距的关键窗口，存储周期的最终形态，将由技术突破速度、需求持久力与供应链博弈结果共同书写。</p></body></html>","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" 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style=\"background-image:url(https://static.tigerbbs.com/705285f8deea4d7b8e48df7848a67868);background-size:cover;\"></div>\n\n<div class=\"h-content\">\n<p class=\"h-name\">半导体行业观察 </p>\n<p class=\"h-time\">2025-10-12 09:24</p>\n</div>\n\n</a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<html><head></head><body><p>近期，全球存储芯片市场持续释放积极信号。</p><p>三星、美光、SK海力士等行业巨头相继宣布提价，DRAM产品涨幅普遍达15%-30%，NAND闪存价格亦上调5%-10%，部分厂商甚至暂停报价以应对供应紧张；从市场端看，DDR4内存半年累计涨幅超200%，HDD、SSD、HBM等产品因AI需求爆发陷入供不应求。</p><p>与此同时，资本市场反应热烈，美光近一个月股价涨约60%，铠侠、闪迪涨幅超100%，A股相关概念股也随之拉升，展现出市场对存储板块的强烈信心。</p><p>在此背景下，摩根士丹利研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。</p><p><strong>半导体行业“风向标”，逻辑生变</strong></p><p>存储芯片作为半导体行业的“风向标”，其周期性波动始终是观察产业景气度的关键窗口。</p><p>复盘近十年来三轮核心周期可见，存储行业的典型周期时长约为3-4年，且每一轮周期都由不同需求与技术变革驱动：</p><p class=\"t-img-caption\"><img src=\"https://static.tigerbbs.com/01034143f9e64148f0939668157c878f\" alt=\"图源：野村证券\" title=\"图源：野村证券\" tg-width=\"1080\" tg-height=\"588\"/><span>图源：野村证券</span></p><ul style=\"\"><li><p>2016-2019年，DDR4技术迭代叠加手机游戏需求爆发，推动存储价格累计涨幅超100%；</p></li></ul><ul style=\"list-style-type: disc;\"><li><p>2020-2023年，全球疫情催生的远程办公与数据中心需求先拉动价格上涨，后又因需求疲软与产能过剩陷入调整，累计跌幅超50%；</p></li><li><p>2024年至今，AI算力基建与HBM技术革命成为新引擎，直接改写了传统周期逻辑。</p></li></ul><p>需要注意的是，与前两轮周期不同，本轮上行不再依赖个人消费端需求，而是以企业级AI资本开支为核心——HBM价格年内暴涨500%，DDR4价格涨幅超50%，高端存储产品“量价齐升”的同时，利基市场国产替代也在加速。</p><p>更关键的是，AI数据中心对存储产能的“吞噬式需求”，让全产业链呈现罕见的全品类普涨态势：从消费级NVMe SSD、DDR4内存条，到企业级存储系统与大容量HDD，价格同步攀升。</p><p>这种结构性变化正在重塑存储产业的传统周期模型。据CFM闪存市场预测，2025年全球存储市场规模有望达到1932亿美元，将创下历史最高记录。存储芯片行业，似乎开启了由AI驱动的全新产业周期。</p><p><strong>AI重构存储“供需新规则”</strong></p><p>AI技术的爆发式演进不仅是存储需求的“超级引擎”，更在深层次重构全球存储芯片市场的“供需新规则”，推动行业迈入前所未有的变革周期。</p><p>从市场供需逻辑来看，AI正以颠覆性力量催生结构性存储缺口。这种缺口并非简单的数量增长，而是由性能与容量双重诉求驱动的质的飞跃。据美光数据显示，AI服务器的DRAM容量需求是普通服务器的8倍，NAND 容量需求则达到3倍，单台AI服务器存储需求更是高达2TB，远超传统服务器的配置标准。</p><p>更关键的是，AI大模型“训练-推理-再训练”的正循环，使得数据存储需求呈现持续放大的态势，一个GPU节点就可能消耗数百GB DRAM和数TB闪存，超大规模数据中心的需求规模更是呈指数级扩张。</p><p>这种需求爆发在核心项目上体现得尤为极致，以OpenAI的“星际之门”(Stargate)项目为例，该项目与三星、SK海力士达成合作，每月需采购90万片DRAM晶圆，这一数字相当于全球DRAM总产量的近40%，这种规模的单一订单，彻底改变了原有的市场平衡。而四家云巨头对AI相关NAND的订单也已达200EB，远超2026年150EB的原预期。</p><p>全球存储市场已然清晰感知到：人工智能正在重构行业运行的底层逻辑。</p><p>与此同时，需求激增直接推高了存储芯片在AI基建中的成本占比，尤其是高性能存储成为成本核心。以HBM为例，其单颗价格突破5000美元，是传统DDR5内存的20倍，而毛利率却高达50%-60%，远超传统DRAM 30%左右的水平。由于每一块HBM都需针对特定AI GPU定制，客户需提前一年下单锁定产能，这种“定制化+长周期”的订货模式，进一步凸显了其战略价值。</p><p>同时，NAND闪存的成本权重也在上升，随着HDD供应短缺导致近线存储加速向QLC SSD迁移，多家超大规模云厂商的大额追加订单，使得企业级SSD成为数据中心建设的刚需，存储芯片已从原来的辅助组件升级为成本核心，成为左右厂商利润的关键变量。</p><p>在此背景下，HBM、DRAM与NAND等高性能存储资源成为行业必争的战略资源。从市场规模看，摩根士丹利预测全球HBM市场将从2023年的30亿美元飙升至2027年的530亿美元，年复合增长率超100%；而NAND市场虽起步更早，但AI推理需求的爆发使其焕发新生，从上述提到的四家云巨头订单预测变动能看到，供需缺口显著。</p><p>产能端的稀缺性更显突出：美光2026年底前的HBM产能已全部预售完毕，SK海力士12层堆叠HBM3e产品即便良率仅75%，2026年产能也被英伟达、AMD等企业锁定，三星下一代V9 NAND未发布便订单满额，供需紧张态势可见一斑。</p><p><strong>存储芯片行业剧变：</strong></p><p><strong>价格、产能与技术的全方位革新</strong></p><p>供需规则的重构，迅速传导为行业层面的剧烈变革，存储价格飙升成为最直观的市场信号。</p><p>从2025年9月以来，全球存储巨头密集发布涨价通知，形成“集体提价潮”：三星宣布第四季度DRAM价格上调15%-30%，NAND价格上调5%-10%；美光更是将存储产品价格拉高20%-30%，并暂停报价一周以消化涨幅；闪迪对全渠道NAND产品提价10%以上，群联恢复报价后涨幅约10%，被视为NAND涨价的明确信号。</p><p>此外，现货市场反应更为激烈，DDR4芯片半年累计涨幅超200%，2025年Q2单月涨幅一度达53%，出现与DDR5价格倒挂的罕见现象；NAND晶圆现货价格在10月环比上涨9%-11%，服务器eSSD价格预计四季度涨幅将超10%。</p><p>高盛与TrendForce等机构预测，这种涨势将持续至2026年，DRAM四季度环比涨幅或达8%-13%，NAND则为5%-10%，若计入HBM，涨幅将进一步扩大。</p><p>进一步来看，价格飙升的背后，是全球存储巨头的产能战略性倾斜。</p><p>三星、SK海力士、美光三大寡头摒弃了过去“规模优先”的策略，转向“利润优先”，将先进制程产能集中投向高附加值产品。DRAM领域，三星率先停止DDR4生产，SK海力士计划将DDR4产能压缩至20%，美光与SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新订单，所有资源向DDR5与HBM倾斜；NAND市场，厂商纷纷缩减消费级产能，将产能转向企业级3D QLC产品。</p><p>这种结构性倾斜导致了市场“冰火两重天”：高端HBM与DDR5供不应求，中低端DDR4因减产速度超过需求下降速度，出现严重供需错配。对此，群联电子CEO直言，这种资本支出转向将导致NAND未来十年供应持续紧张，2026年便将面临严重短缺。</p><p>产能倾斜与需求倒逼共同推动了存储技术的加速突破，成为行业变革的核心动力。其中，HBM领域的技术迭代最为迅猛，据了解，2025年全球HBM总产能已增至54万片，同比激增105%，但仍难以填补AI带来的需求缺口。SK海力士已建成HBM4量产体系，预计将占据HBM4市场60%以上份额，三星、美光等厂商也在加紧筹备HBM4量产，力争抢占英伟达、AMD认证先机，而国内相关厂商也在加速突破，国产替代窗口期持续扩大。</p><p>总的来看，这场由AI引发的产业新变革，彻底打破了存储行业传统的“供需博弈”周期逻辑，形成了“AI需求牵引-产能高端倾斜-技术迭代加速-价格结构性上涨”的新闭环。从HBM的一芯难求到NAND的从白菜价到紧俏货，从巨头的产能重构到国产厂商的突围，存储芯片市场正经历着新一轮的深度重塑，将存储芯片从标准化大宗商品，重塑为影响算力发展的战略性资源，标志着产业已进入一个由技术迭代与需求爆发共同定义的全新时代。</p><p><strong>存储芯片“三维革命”：</strong></p><p><strong>技术竞速与巨头格局重塑</strong></p><p>当前存储产业的变革不仅体现在市场供需层面，更在技术维度展开着一场深刻的“三维革命”。HBM的带宽竞赛进入白热化阶段，3D NAND的堆叠层数不断刷新上限，HBF技术的横空出世则点燃了新赛道的竞争火种。</p><p>这场围绕垂直堆叠、高速互联与架构创新的技术深耕，正重塑全球存储产业的竞争格局，巨头们的每一步布局都关乎未来数年的行业话语权。</p><p><strong>HBM：带宽竞赛与标准主导权争夺</strong></p><p>HBM作为AI算力的关键核心，其核心突破在于2.5D/3D堆叠和硅通孔(TSV)技术的创新应用。通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并与GPU/CPU通过中介层互联，HBM成功突破了传统封装技术的限制。以英伟达H200搭载的HBM3E为例，其带宽高达4.8TB/s，完美解决了AI芯片面临的“内存墙”瓶颈。</p><p>然而，HBM的技术迭代速度与竞争激烈程度远超传统存储领域。</p><p>2025年4月，JEDEC固态技术协会正式发布HBM4标准（JESD270-4），将这一赛道的技术门槛推向新高度——采用2048位超宽接口，传输速率达8GB/s，总带宽突破2TB/s，较此前SK海力士宣称的1.5TB/s再提升33%。</p><p>更关键的是，HBM4将独立通道数量从16个翻倍至32个，同时引入0.7V-0.9V的低电压选项，在性能跃升的同时实现了能效优化，完美适配下一代生成式AI与高性能计算需求。</p><p>标准确立背后，是国际巨头的贴身博弈。</p><p>从市场格局来看，SK海力士凭借在HBM3和HBM3E领域的领先优势，目前占据全球HBM市场约60%的份额，成为英伟达H100/H200芯片的独家供应商。凭借先发优势持续领跑，SK海力士在2025年3月率先发布12层堆叠的HBM4样品，采用Advanced MR-MUF封装技术，单堆栈容量可达64GB，且已启动与英伟达下一代GPU的适配测试，试图延续其独家供应优势。</p><p>三星则依托垂直整合能力加速追赶，计划2025年下半年启动HBM4量产，采用4nm逻辑芯片工艺与10nm DRAM制程，目标在良率与成本控制上形成突破，夺回被侵蚀的市场份额。美光虽暂未公开HBM4进展，但通过聚焦汽车与边缘计算领域的HBM3E变体产品，正构建差异化竞争壁垒。其1β工艺LPDDR5X芯片已通过特斯拉认证，在该细分领域市占率达35%。</p><p>摩根大通指出，技术突破使得HBM在2027年占DRAM总产值比重将达43%，AI相关应用占DRAM市场规模更是高达53%，技术红利正成为超级周期的核心支撑。</p><p>三大巨头角力的同时，国产力量的崛起也在为这场竞争注入新变量，引领着中国在高端存储领域从“技术跟随”向“自主创新”跨越。</p><p><strong>3D NAND的堆叠竞赛与现实困境</strong></p><p>如果说HBM的核心是“速度革命”，3D NAND的突破则聚焦于“空间革命”。</p><p>堆叠层数的持续提升成为厂商比拼的核心指标，这一技术突破意味着在单位面积内可容纳的存储容量再创新高，为AI数据中心需要的大容量存储需求提供了保障。</p><p>TechInsights展示了各大厂商在 3D NAND位密度（bit density） 上的演进趋势，横轴是堆叠层数，纵轴是单位面积的存储密度。可以看到，层数越高，代表技术越先进，也能带来更高的存储密度。</p><p class=\"t-img-caption\"><img src=\"https://static.tigerbbs.com/4ce8bcff40702b4061552b3801fa2cd3\" alt=\"\" title=\"\" tg-width=\"1080\" tg-height=\"604\"/></p><p>能看到，三星、美光、SK海力士、铠侠/WD、Solidigm等存储巨头都在稳步提升3D NAND闪存堆叠层数，整体趋势非常明显：从200层到300层的跨越，将带来更高的容量和更强的竞争力。</p><p>谁能把层数和密度拉满，谁就能在NAND这场“堆积木比赛”中领先。未来几年，276层、300层甚至更高层数的NAND将陆续登场，存储市场的竞争只会越来越激烈。</p><p>但从产业实际现状来看，在DRAM/HBM需求高涨的聚光灯下，NAND产业的生存空间正被挤压，迫使各大厂商纷纷调整航向，将战略重心转向更具潜力的赛道。</p><p>三星的V10 NAND本是技术皇冠上的明珠，在技术层面，三星的V10 NAND计划在2026年10月正式量产，这款产品被视为技术上的重大飞跃，它将具备400层以上的活性层（据悉为430层），接口速度提升至5.6GT/s，旨在与PCIe Gen6主控协同发力数据中心市场。此外，为应对AI应用对高性能存储的需求，三星已重启专为AI优化的Z-NAND开发，目标性能提升最高15倍，功耗降低80%。</p><p>尽管技术上高歌猛进，但三星在NAND的产能投资和先进技术导入上显得颇为谨慎，这与其在HBM领域的激进投入形成对比。</p><p>据报道，三星与SK海力士计划放缓2025年对先进NAND的投资步伐，将企业资金更多集中于DRAM和HBM领域。例如，三星在西安工厂的第9代NAND转换投资规模很小，并且推迟了在V9 NAND中导入混合键合技术的计划。</p><p>耐人寻味的是，三星将混合键合技术在NAND的应用计划搁置，却将同类型技术全力押注HBM量产——资源倾斜背后的战略优先级不言而喻。</p><p>而SK海力士凭借对英伟达HBM的近乎垄断，正采取一种 “精耕细作” 的策略发展其NAND业务：在NAND尖端技术研发上持续投入以保持竞争力，但在产能分配和资源倾斜上，确实在一定程度上受到了HBM和DRAM业务的挤压。</p><p>SK海力士已在NAND技术上取得重大突破，开始量产全球首款321层2Tb QLC NAND闪存。与之前的产品相比，这款新闪存不仅容量翻倍，还通过架构优化实现了传输速度翻倍和显著的能效提升。公司计划将其首先应用于PC SSD，随后逐步推广至数据中心的企业级SSD和智能手机存储，并明确瞄准了AI数据中心市场。此外，SK海力士也已着手开发400层以上的NAND技术，计划在2025年末完成量产准备。</p><p>尽管技术上高歌猛进，但SK海士在产能和资源分配上确实向HBM和DRAM有所倾斜。为了满足AI巨头对HBM的爆炸性需求，SK海力士正在全力扩充HBM产能。</p><ul style=\"list-style-type: disc;\"><li><p><strong>产能转换：</strong>由于新建晶圆厂周期长，SK海力士选择通过改造部分现有的NAND产线来增加HBM的后工序产能。这直接表明，在有限的工厂空间内，NAND产能为更高利润的HBM让了路。</p></li><li><p><strong>战略倾向：</strong>SK海力士对NAND的资本支出态度相对保守。这主要是因为当前DRAM（尤其是HBM）的利润率远高于NAND，且消费电子市场对NAND的需求相对疲软。因此，公司将宝贵的资源优先投入到了DRAM和HBM的扩产中。</p></li></ul><p>总而言之，SK海力士并未放弃在NAND领域的竞争，而是选择通过技术突破来维持其市场地位。但在资源的天平上，当前无疑更倾向于将产能和资本分配给正处于风口、利润也更丰厚的HBM业务。</p><p>此外，美日存储厂商的NAND业务也在收缩战线与被动承压。其中，美光退出移动NAND市场的决策震动业界。“我们必须在AI内存浪潮中抢占制高点。”其CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报会议中的表态，揭开了残酷的算术题：同等资本投入DRAM/HBM的回报率已是NAND的2.3倍。而日本厂商，铠侠与西部数据合并案的反复拉锯，使其在层数竞赛中逐渐掉队，200层以上产能占比稍显不足。</p><p>综合来看，各家存储厂商不仅在“层数”上拼命卷，还在架构设计上分出流派。未来，厂商需在技术突破与市场需求间精准把控，同时探索3D NAND与HBM、AI存储的协同应用，推动存储行业向更高效率、更低成本方向发展。</p><p><strong>HBF：NAND产业的“HBM时刻”</strong></p><p>面对HBM在DRAM领域取得的巨大成功，NAND厂商正在积极寻求技术突破，高带宽闪存(HBF)技术应运而生，被视为NAND产业的“HBM时刻”，正点燃NAND行业的“第二增长曲线”竞争。</p><p>据了解，HBF的技术原理与HBM类似，旨在通过颠覆性架构设计打破了传统NAND的性能瓶颈——采用16颗核心芯片垂直堆叠，通过硅通孔（TSV）技术互连，并叠加专用逻辑芯片实现多子阵列并行访问，使单堆叠单元容量达到512GB，是8-Hi HBM3E的21倍。其底层基于SanDisk的BICS 3D NAND架构，并采用CMOS直接键合技术，将存储阵列与逻辑芯片紧密集成，为带宽提升奠定硬件基础。尽管HBF的单比特访问延迟仍无法与DRAM相比，但其主要面向高吞吐量、读取密集型的AI推理任务。</p><p>HBF的技术定位精准填补了市场空白。针对AI推理场景对“高带宽、大容量、低成本”的需求，SanDisk提出“匹配HBM带宽、提供8-16倍容量”的目标，虽未公开具体带宽数据，但通过并行访问架构，有望将延迟降至传统SSD的1/5以下，成为HBM在推理场景的理想补充。同时，为降低客户迁移成本，HBF采用与HBM相似的机械与电气接口，仅需小幅协议调整即可适配现有GPU平台，这种“兼容创新”策略显著提升了技术落地效率。</p><p>从行业现状来看，一场围绕HBF的生态卡位战已悄然打响。</p><p>作为SanDisk的母公司，西部数据正将HBF与自身的Ultrastar SSD产品线整合，计划2026年推出首款搭载HBF的企业级存储解决方案，目标拿下北美云服务商30%以上的推理节点存储订单。三星与铠侠也加速跟进，分别启动“High-Bandwidth NAND”与“Flash-IO Accelerator”项目，前者侧重与HBM的协同调度，后者聚焦低功耗优化，试图在技术路线上形成差异化。SanDisk则通过联手SK海力士推动HBF成为开放标准，组建包含云服务商与芯片厂商的技术顾问委员会，试图以生态主导权压制竞争对手。</p><p>在NAND技术红利消退与需求代际更迭的叠加背景下，当HBF技术尝试打通“存算边界”，这场NAND的生存游戏再次印证了这个更深刻的产业变局——存储芯片的战场，终将从层数竞赛升维至架构革命。</p><p>从HBM的带宽竞速到3D NAND的层数突破，再到HBF的架构创新，存储产业的“三维革命”本质是一场技术深耕的持久战。国际巨头凭借多年技术积累仍占据主导地位——三星的垂直整合能力、SK海力士的HBM市占优势、美光的汽车存储布局，共同构成了现有产业格局的基石。</p><p>未来，技术话语权将成为竞争的核心。HBM4标准的落地将引发新一轮产能竞赛，3D NAND的混合键合技术可能成为400层以上产品的标配，HBF则需要在写入寿命与延迟控制上实现突破。</p><p>对于厂商而言，单纯的层数或带宽比拼已不足够，只有将技术创新与生态绑定、场景适配相结合，才能在AI驱动的存储新周期中站稳脚跟。而每一次技术突破，都在重新定义存储与算力的边界。</p><p><strong>周期预判：结构性机遇下的复苏与博弈</strong></p><p>当前存储芯片市场的强劲涨势，尤其是HBM的爆发性增长，让“超级周期”成为热议焦点。</p><p>对于存储行业的周期走向，分析机构与巨头的预判共同指向“非典型复苏”，即这并非传统3-5年库存周期的简单重复，而是AI驱动的结构性增长与行业固有周期属性交织的新格局，但“超级周期”的成色仍取决于多项因素的考量与博弈。</p><p>首先，驱动此次周期的核心“定数”在于AI需求引发的产业逻辑重构。这不仅是需求的扩张，更是需求的结构性变革。存储巨头们的战略重心已清晰地向HBM、高速DDR5等高附加值产品倾斜。同时，AI服务器和数据中心的需求激增，也推动了存储芯片市场的发展。为满足AI巨头们如OpenAI“星际之门”项目的庞大需求，全球HBM产能正被加速构建。这种产能的“战略转移”导致传统存储类别如DDR4面临供给紧张，价格出现异常上行。</p><p>Yole Group数据显示，2025年全球存储收入有望达2000亿美元，同比增长18%，AI服务器的eSSD、服务器DRAM与HBM需求构成核心拉动力。而摩根士丹利指出，“带宽决定性能”的技术范式转移，使企业级资本开支的刚性远超消费端波动，为周期长度与强度提供了关键支撑。</p><p>其次，原厂策略调整与周期属性，构成了平衡周期节奏的核心“变数”。经历过2023年库存危机后，三星、SK海力士、美光等巨头转向“精准减产+高端倾斜”策略，DDR4等传统产能收缩与AI存储需求扩张形成结构性失衡，推动四季度DDR5 RDIMM价格上涨10%-15%。这种供需调节使行业从全面过剩转向紧平衡，但消费端疲软仍存，智能手机存储升级放缓可能压制中低端产品涨幅，限制周期的全面爆发。</p><p>另外，地缘政治与供应链风险，则为周期增添了最大不确定性。国际巨头在HBM与先进封装领域的技术垄断，叠加供应链限制，使国产企业虽获导入窗口，却难以快速突破高端环节。国产替代虽加速，但HBM领域的技术代差仍可能分流周期红利。</p><p>更关键的是，稀土禁运、先进设备和材料出口管制、关税提升等制裁措施或将为存储芯片产业周期注入显著不确定性，既可能延缓复苏节奏，也可能加速结构性变革。贸易制裁在短期内可能扰乱正常的市场供需和库存消化节奏，甚至引发囤货潮，给产业周期的判断带来变数。从中长期看，地缘政治因素已成为影响存储芯片产业格局的重要变量，传统的周期模型需要纳入制裁等政策性风险。</p><p>整体来看，断言单一的“超级周期”或许过于乐观，存储市场更可能步入一个“结构性超级周期”，其特点是AI驱动的高性能存储芯片领域持续高热，而传统市场则在其涟漪效应中波动前行。</p><p>短期来看，由AI需求和高附加值产品产能挤占带来的涨价动力依然强劲。但长期而言，行业最终会走向新的供需平衡。此次复苏的最终形态，将取决于AI需求的持久力、全球产能分配的调整，以及地缘政治等多重变量的复杂互动。</p><p>对于行业参与者而言，竞争的核心已不再是简单的产能扩张，而是在这场由AI引领的变革中，能否精准把握技术演进与市场格局重构的节奏，做出前瞻性的战略布局。于全球巨头而言，这是巩固技术溢价的机遇；对国产企业来讲，这也是缩小差距的关键窗口，存储周期的最终形态，将由技术突破速度、需求持久力与供应链博弈结果共同书写。</p></body></html>\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","type":0,"thumbnail":"https://static.tigerbbs.com/03e38a3a3c63bd5a9d8d8ca2d384d1c5","relate_stocks":{"SNDK":"SanDisk 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SSD、DDR4内存条，到企业级存储系统与大容量HDD，价格同步攀升。这种结构性变化正在重塑存储产业的传统周期模型。据CFM闪存市场预测，2025年全球存储市场规模有望达到1932亿美元，将创下历史最高记录。存储芯片行业，似乎开启了由AI驱动的全新产业周期。AI重构存储“供需新规则”AI技术的爆发式演进不仅是存储需求的“超级引擎”，更在深层次重构全球存储芯片市场的“供需新规则”，推动行业迈入前所未有的变革周期。从市场供需逻辑来看，AI正以颠覆性力量催生结构性存储缺口。这种缺口并非简单的数量增长，而是由性能与容量双重诉求驱动的质的飞跃。据美光数据显示，AI服务器的DRAM容量需求是普通服务器的8倍，NAND 容量需求则达到3倍，单台AI服务器存储需求更是高达2TB，远超传统服务器的配置标准。更关键的是，AI大模型“训练-推理-再训练”的正循环，使得数据存储需求呈现持续放大的态势，一个GPU节点就可能消耗数百GB DRAM和数TB闪存，超大规模数据中心的需求规模更是呈指数级扩张。这种需求爆发在核心项目上体现得尤为极致，以OpenAI的“星际之门”(Stargate)项目为例，该项目与三星、SK海力士达成合作，每月需采购90万片DRAM晶圆，这一数字相当于全球DRAM总产量的近40%，这种规模的单一订单，彻底改变了原有的市场平衡。而四家云巨头对AI相关NAND的订单也已达200EB，远超2026年150EB的原预期。全球存储市场已然清晰感知到：人工智能正在重构行业运行的底层逻辑。与此同时，需求激增直接推高了存储芯片在AI基建中的成本占比，尤其是高性能存储成为成本核心。以HBM为例，其单颗价格突破5000美元，是传统DDR5内存的20倍，而毛利率却高达50%-60%，远超传统DRAM 30%左右的水平。由于每一块HBM都需针对特定AI GPU定制，客户需提前一年下单锁定产能，这种“定制化+长周期”的订货模式，进一步凸显了其战略价值。同时，NAND闪存的成本权重也在上升，随着HDD供应短缺导致近线存储加速向QLC SSD迁移，多家超大规模云厂商的大额追加订单，使得企业级SSD成为数据中心建设的刚需，存储芯片已从原来的辅助组件升级为成本核心，成为左右厂商利润的关键变量。在此背景下，HBM、DRAM与NAND等高性能存储资源成为行业必争的战略资源。从市场规模看，摩根士丹利预测全球HBM市场将从2023年的30亿美元飙升至2027年的530亿美元，年复合增长率超100%；而NAND市场虽起步更早，但AI推理需求的爆发使其焕发新生，从上述提到的四家云巨头订单预测变动能看到，供需缺口显著。产能端的稀缺性更显突出：美光2026年底前的HBM产能已全部预售完毕，SK海力士12层堆叠HBM3e产品即便良率仅75%，2026年产能也被英伟达、AMD等企业锁定，三星下一代V9 NAND未发布便订单满额，供需紧张态势可见一斑。存储芯片行业剧变：价格、产能与技术的全方位革新供需规则的重构，迅速传导为行业层面的剧烈变革，存储价格飙升成为最直观的市场信号。从2025年9月以来，全球存储巨头密集发布涨价通知，形成“集体提价潮”：三星宣布第四季度DRAM价格上调15%-30%，NAND价格上调5%-10%；美光更是将存储产品价格拉高20%-30%，并暂停报价一周以消化涨幅；闪迪对全渠道NAND产品提价10%以上，群联恢复报价后涨幅约10%，被视为NAND涨价的明确信号。此外，现货市场反应更为激烈，DDR4芯片半年累计涨幅超200%，2025年Q2单月涨幅一度达53%，出现与DDR5价格倒挂的罕见现象；NAND晶圆现货价格在10月环比上涨9%-11%，服务器eSSD价格预计四季度涨幅将超10%。高盛与TrendForce等机构预测，这种涨势将持续至2026年，DRAM四季度环比涨幅或达8%-13%，NAND则为5%-10%，若计入HBM，涨幅将进一步扩大。进一步来看，价格飙升的背后，是全球存储巨头的产能战略性倾斜。三星、SK海力士、美光三大寡头摒弃了过去“规模优先”的策略，转向“利润优先”，将先进制程产能集中投向高附加值产品。DRAM领域，三星率先停止DDR4生产，SK海力士计划将DDR4产能压缩至20%，美光与SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新订单，所有资源向DDR5与HBM倾斜；NAND市场，厂商纷纷缩减消费级产能，将产能转向企业级3D QLC产品。这种结构性倾斜导致了市场“冰火两重天”：高端HBM与DDR5供不应求，中低端DDR4因减产速度超过需求下降速度，出现严重供需错配。对此，群联电子CEO直言，这种资本支出转向将导致NAND未来十年供应持续紧张，2026年便将面临严重短缺。产能倾斜与需求倒逼共同推动了存储技术的加速突破，成为行业变革的核心动力。其中，HBM领域的技术迭代最为迅猛，据了解，2025年全球HBM总产能已增至54万片，同比激增105%，但仍难以填补AI带来的需求缺口。SK海力士已建成HBM4量产体系，预计将占据HBM4市场60%以上份额，三星、美光等厂商也在加紧筹备HBM4量产，力争抢占英伟达、AMD认证先机，而国内相关厂商也在加速突破，国产替代窗口期持续扩大。总的来看，这场由AI引发的产业新变革，彻底打破了存储行业传统的“供需博弈”周期逻辑，形成了“AI需求牵引-产能高端倾斜-技术迭代加速-价格结构性上涨”的新闭环。从HBM的一芯难求到NAND的从白菜价到紧俏货，从巨头的产能重构到国产厂商的突围，存储芯片市场正经历着新一轮的深度重塑，将存储芯片从标准化大宗商品，重塑为影响算力发展的战略性资源，标志着产业已进入一个由技术迭代与需求爆发共同定义的全新时代。存储芯片“三维革命”：技术竞速与巨头格局重塑当前存储产业的变革不仅体现在市场供需层面，更在技术维度展开着一场深刻的“三维革命”。HBM的带宽竞赛进入白热化阶段，3D NAND的堆叠层数不断刷新上限，HBF技术的横空出世则点燃了新赛道的竞争火种。这场围绕垂直堆叠、高速互联与架构创新的技术深耕，正重塑全球存储产业的竞争格局，巨头们的每一步布局都关乎未来数年的行业话语权。HBM：带宽竞赛与标准主导权争夺HBM作为AI算力的关键核心，其核心突破在于2.5D/3D堆叠和硅通孔(TSV)技术的创新应用。通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并与GPU/CPU通过中介层互联，HBM成功突破了传统封装技术的限制。以英伟达H200搭载的HBM3E为例，其带宽高达4.8TB/s，完美解决了AI芯片面临的“内存墙”瓶颈。然而，HBM的技术迭代速度与竞争激烈程度远超传统存储领域。2025年4月，JEDEC固态技术协会正式发布HBM4标准（JESD270-4），将这一赛道的技术门槛推向新高度——采用2048位超宽接口，传输速率达8GB/s，总带宽突破2TB/s，较此前SK海力士宣称的1.5TB/s再提升33%。更关键的是，HBM4将独立通道数量从16个翻倍至32个，同时引入0.7V-0.9V的低电压选项，在性能跃升的同时实现了能效优化，完美适配下一代生成式AI与高性能计算需求。标准确立背后，是国际巨头的贴身博弈。从市场格局来看，SK海力士凭借在HBM3和HBM3E领域的领先优势，目前占据全球HBM市场约60%的份额，成为英伟达H100/H200芯片的独家供应商。凭借先发优势持续领跑，SK海力士在2025年3月率先发布12层堆叠的HBM4样品，采用Advanced MR-MUF封装技术，单堆栈容量可达64GB，且已启动与英伟达下一代GPU的适配测试，试图延续其独家供应优势。三星则依托垂直整合能力加速追赶，计划2025年下半年启动HBM4量产，采用4nm逻辑芯片工艺与10nm DRAM制程，目标在良率与成本控制上形成突破，夺回被侵蚀的市场份额。美光虽暂未公开HBM4进展，但通过聚焦汽车与边缘计算领域的HBM3E变体产品，正构建差异化竞争壁垒。其1β工艺LPDDR5X芯片已通过特斯拉认证，在该细分领域市占率达35%。摩根大通指出，技术突破使得HBM在2027年占DRAM总产值比重将达43%，AI相关应用占DRAM市场规模更是高达53%，技术红利正成为超级周期的核心支撑。三大巨头角力的同时，国产力量的崛起也在为这场竞争注入新变量，引领着中国在高端存储领域从“技术跟随”向“自主创新”跨越。3D NAND的堆叠竞赛与现实困境如果说HBM的核心是“速度革命”，3D NAND的突破则聚焦于“空间革命”。堆叠层数的持续提升成为厂商比拼的核心指标，这一技术突破意味着在单位面积内可容纳的存储容量再创新高，为AI数据中心需要的大容量存储需求提供了保障。TechInsights展示了各大厂商在 3D NAND位密度（bit density） 上的演进趋势，横轴是堆叠层数，纵轴是单位面积的存储密度。可以看到，层数越高，代表技术越先进，也能带来更高的存储密度。能看到，三星、美光、SK海力士、铠侠/WD、Solidigm等存储巨头都在稳步提升3D NAND闪存堆叠层数，整体趋势非常明显：从200层到300层的跨越，将带来更高的容量和更强的竞争力。谁能把层数和密度拉满，谁就能在NAND这场“堆积木比赛”中领先。未来几年，276层、300层甚至更高层数的NAND将陆续登场，存储市场的竞争只会越来越激烈。但从产业实际现状来看，在DRAM/HBM需求高涨的聚光灯下，NAND产业的生存空间正被挤压，迫使各大厂商纷纷调整航向，将战略重心转向更具潜力的赛道。三星的V10 NAND本是技术皇冠上的明珠，在技术层面，三星的V10 NAND计划在2026年10月正式量产，这款产品被视为技术上的重大飞跃，它将具备400层以上的活性层（据悉为430层），接口速度提升至5.6GT/s，旨在与PCIe Gen6主控协同发力数据中心市场。此外，为应对AI应用对高性能存储的需求，三星已重启专为AI优化的Z-NAND开发，目标性能提升最高15倍，功耗降低80%。尽管技术上高歌猛进，但三星在NAND的产能投资和先进技术导入上显得颇为谨慎，这与其在HBM领域的激进投入形成对比。据报道，三星与SK海力士计划放缓2025年对先进NAND的投资步伐，将企业资金更多集中于DRAM和HBM领域。例如，三星在西安工厂的第9代NAND转换投资规模很小，并且推迟了在V9 NAND中导入混合键合技术的计划。耐人寻味的是，三星将混合键合技术在NAND的应用计划搁置，却将同类型技术全力押注HBM量产——资源倾斜背后的战略优先级不言而喻。而SK海力士凭借对英伟达HBM的近乎垄断，正采取一种 “精耕细作” 的策略发展其NAND业务：在NAND尖端技术研发上持续投入以保持竞争力，但在产能分配和资源倾斜上，确实在一定程度上受到了HBM和DRAM业务的挤压。SK海力士已在NAND技术上取得重大突破，开始量产全球首款321层2Tb QLC NAND闪存。与之前的产品相比，这款新闪存不仅容量翻倍，还通过架构优化实现了传输速度翻倍和显著的能效提升。公司计划将其首先应用于PC SSD，随后逐步推广至数据中心的企业级SSD和智能手机存储，并明确瞄准了AI数据中心市场。此外，SK海力士也已着手开发400层以上的NAND技术，计划在2025年末完成量产准备。尽管技术上高歌猛进，但SK海士在产能和资源分配上确实向HBM和DRAM有所倾斜。为了满足AI巨头对HBM的爆炸性需求，SK海力士正在全力扩充HBM产能。产能转换：由于新建晶圆厂周期长，SK海力士选择通过改造部分现有的NAND产线来增加HBM的后工序产能。这直接表明，在有限的工厂空间内，NAND产能为更高利润的HBM让了路。战略倾向：SK海力士对NAND的资本支出态度相对保守。这主要是因为当前DRAM（尤其是HBM）的利润率远高于NAND，且消费电子市场对NAND的需求相对疲软。因此，公司将宝贵的资源优先投入到了DRAM和HBM的扩产中。总而言之，SK海力士并未放弃在NAND领域的竞争，而是选择通过技术突破来维持其市场地位。但在资源的天平上，当前无疑更倾向于将产能和资本分配给正处于风口、利润也更丰厚的HBM业务。此外，美日存储厂商的NAND业务也在收缩战线与被动承压。其中，美光退出移动NAND市场的决策震动业界。“我们必须在AI内存浪潮中抢占制高点。”其CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报会议中的表态，揭开了残酷的算术题：同等资本投入DRAM/HBM的回报率已是NAND的2.3倍。而日本厂商，铠侠与西部数据合并案的反复拉锯，使其在层数竞赛中逐渐掉队，200层以上产能占比稍显不足。综合来看，各家存储厂商不仅在“层数”上拼命卷，还在架构设计上分出流派。未来，厂商需在技术突破与市场需求间精准把控，同时探索3D NAND与HBM、AI存储的协同应用，推动存储行业向更高效率、更低成本方向发展。HBF：NAND产业的“HBM时刻”面对HBM在DRAM领域取得的巨大成功，NAND厂商正在积极寻求技术突破，高带宽闪存(HBF)技术应运而生，被视为NAND产业的“HBM时刻”，正点燃NAND行业的“第二增长曲线”竞争。据了解，HBF的技术原理与HBM类似，旨在通过颠覆性架构设计打破了传统NAND的性能瓶颈——采用16颗核心芯片垂直堆叠，通过硅通孔（TSV）技术互连，并叠加专用逻辑芯片实现多子阵列并行访问，使单堆叠单元容量达到512GB，是8-Hi HBM3E的21倍。其底层基于SanDisk的BICS 3D NAND架构，并采用CMOS直接键合技术，将存储阵列与逻辑芯片紧密集成，为带宽提升奠定硬件基础。尽管HBF的单比特访问延迟仍无法与DRAM相比，但其主要面向高吞吐量、读取密集型的AI推理任务。HBF的技术定位精准填补了市场空白。针对AI推理场景对“高带宽、大容量、低成本”的需求，SanDisk提出“匹配HBM带宽、提供8-16倍容量”的目标，虽未公开具体带宽数据，但通过并行访问架构，有望将延迟降至传统SSD的1/5以下，成为HBM在推理场景的理想补充。同时，为降低客户迁移成本，HBF采用与HBM相似的机械与电气接口，仅需小幅协议调整即可适配现有GPU平台，这种“兼容创新”策略显著提升了技术落地效率。从行业现状来看，一场围绕HBF的生态卡位战已悄然打响。作为SanDisk的母公司，西部数据正将HBF与自身的Ultrastar SSD产品线整合，计划2026年推出首款搭载HBF的企业级存储解决方案，目标拿下北美云服务商30%以上的推理节点存储订单。三星与铠侠也加速跟进，分别启动“High-Bandwidth NAND”与“Flash-IO Accelerator”项目，前者侧重与HBM的协同调度，后者聚焦低功耗优化，试图在技术路线上形成差异化。SanDisk则通过联手SK海力士推动HBF成为开放标准，组建包含云服务商与芯片厂商的技术顾问委员会，试图以生态主导权压制竞争对手。在NAND技术红利消退与需求代际更迭的叠加背景下，当HBF技术尝试打通“存算边界”，这场NAND的生存游戏再次印证了这个更深刻的产业变局——存储芯片的战场，终将从层数竞赛升维至架构革命。从HBM的带宽竞速到3D NAND的层数突破，再到HBF的架构创新，存储产业的“三维革命”本质是一场技术深耕的持久战。国际巨头凭借多年技术积累仍占据主导地位——三星的垂直整合能力、SK海力士的HBM市占优势、美光的汽车存储布局，共同构成了现有产业格局的基石。未来，技术话语权将成为竞争的核心。HBM4标准的落地将引发新一轮产能竞赛，3D 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