美股存储板块迎来极端强势反弹，闪迪大涨14.27%、SK海力士ADR涨13.75%、美光与西部数据同步涨超12%，DRAM内存ETF单日飙升11%，半导体ETF单日吸金突破21亿美元，核心催化来自摩根士丹利重磅看多报告，预计DRAM、NAND、H三季度整体均价上涨25%。本轮反弹并非突发题材行情，而是前期深度调整后空头集中回补，叠AI算力长线需求逻辑重估。市场共识已形成共识：当前AI产业瓶颈从GPU转移至高带宽内存，各大云厂持续砸钱扩建数据中心，但HBM新增产能释放节奏极慢，过往两年厂商持续压缩资本开支，供需缺口短期难以修复。不过行情存明显变数，7月29日SK海力士财报将成为全板块分水岭，市场重点观察三大指标：HBM出货量、ASP涨幅、全年资本开支指引。若财报验证涨价趋势，存储超级周逻辑将再度强化；反之若管理层提示后续扩产计划，短期涨势大概率迎来获利回吐，投资不宜追高博弈短期情绪行情。