需求内涵：从瞬时计算到持久记忆

AI从训练到推理的转变，意味着存储角色发生了根本性变化。训练阶段可被视为“突击性工程”，核心需求是HBM提供极致带宽，保障海量参数的高效计算。而推理阶段的大规模落地，则像是让AI具备了“长期工作记忆”，需要存储系统能够持续、稳定、高并发地处理动态数据流。

这直接引爆了对分层存储架构的整体需求：

• DRAM：需要承担更繁重的任务，例如容纳超长对话的上下文数据以及为加速生成过程而产生的Key-Value缓存，这对内存容量和带宽提出了更高要求。

• SSD：角色从单纯的存储介质升级为“慢速内存”。例如，英伟达的BaM架构允许GPU直接访问SSD，将SSD作为DRAM的扩展池，以应对单次推理任务可能产生的高达100KB的KV缓存这些中间数据。

• HDD：得益于RAG技术为提供更精准、个性化的回答，需要检索外部知识库，这导致向量数据库和相关文档、视频等非结构化数据暴增，催生了数百EB级别的海量冷数据存储需求。

技术驱动：以存储换算力的经济账

推理需求呈现“指数级”增长，其背后是“以存代算”的经济考量。为了提升响应速度和并发能力，系统会将已计算的KV缓存持久化到SSD中。当用户提出相似问题时，可直接从SSD加载缓存，避免GPU重复计算。尽管这牺牲了部分存储空间，但相较于动辄数万美金一颗的GPU算力成本，增加存储是当前更经济的选择。有分析指出，这种“以存代算”的技术路线是驱动此轮存储需求的核心。

市场数据：量价齐升印证需求刚性

市场的真实反馈最强有力地印证了上述趋势。据TrendForce集邦咨询在2026年2月3日的最新报告，由于AI算力需求强劲，他们全面上修了当年第一季度的存储芯片价格预期。

• Server DRAM合约价预计季度涨幅高达约90%，幅度创下历年之最。

• 企业级SSD价格也预计季增53-58%，同样创下单季涨幅最高纪录。

这种结构性涨价，特别是企业级存储产品的领涨，清晰地表明需求来自AI数据中心而非传统消费电子。供应链信息显示，AI服务器对LPDDR5X的需求激增，已开始严重压缩智能手机等消费电子产品的内存供给，产能排挤效应已经浮现。

周期特性：本轮上行周期为何可能更长？

这轮“超级周期”在强度和持续时间上超越以往，主要基于以下几点判断：

1. 需求驱动源不同：过去周期多由手机、PC等消费电子的单一爆品需求驱动，波动性大。本轮核心驱动力是AI推理带来的企业级数字化转型投入，这被认为是更具韧性和持续性的长期投资。

2. 供给弹性受限：存储芯片的产能扩张周期长，通常需要2-3年。当前，三大原厂（三星、SK海力士、美光）将大量资本开支和先进产能优先分配给工艺更复杂、利润更高的HBM，这显著挤占了传统DRAM和NAND的产能扩张空间。这种结构性的产能倾斜，使得通用存储的供给增长长期受限。

3. 技术架构的长期性：GPU直连存储、CXL协议等新架构正处于落地初期，它们正从根本上重构数据中心的存储架构，这种变革带来的需求是趋势性的，而非短期的。