【警告⚠️】工业界对NAND生产投入过多资本

翻译自ICInsights

——主流NAND供应商过多的资金投入恐将于今年进一步给NAND价格降温。

上图来源于今年五月美光 $美光科技(MU)$ 的分析师投资人会议和ICInsights自己的数据。图中比较了如欲达成40%NAND比特容量增长预计需要的资本支出和实际的NAND闪存市场全年资本支出。美光认为，工业界的资本支出需要从2015年的90亿美金增长到2017年的220亿美金，两年之内翻了一倍不止。由于NAND的结构由平面NAND转移到3D NAND，这导致了极大资本开支的需求。因为3D NAND比平面NAND需要更多的fab设备和额外的超净间。

在五大NAND供应商中，绝大多数声明他们相信NAND的比特容量需求增长将会在接下来的几年中每年平均增长大约40%。图中我们可见，去年支持这一增长率的资本实际支出高于所需27%，而今年IC Insights预见实际资本支出将高出41%。结果是，NAND的价格毫无意外地在2018年初软化。此外，NAND价格将保持这个节奏于今年下半年持续缓慢走低，一直持续到明年。

内存市场的历史经验表明，超额的资本支出通常将导致超额供应和接下来的价格走软。随着三星，SK海力士，美光，英特尔，东芝，西部数据，Sandisk，长江储存都计划在未来几年大幅度提升3D NAND的容量（通过堆叠层数，三星已经出货96层NAND），同时还有可能的中国玩家随时入场，IC Insights认为3D NAND的市场供应超标的风险非常显著而且持续在增长。

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个人意见：

NAND价格走低已是不争的事实，接下来赚钱还是要靠卖High-value mobile NAND