长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及其形成方法、电子设备”

证券之星消息，根据企查查数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其形成方法、电子设备”，专利申请号为CN202610693464.8，授权日为2026年11月6日。

专利摘要：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：位于衬底上的多个半导体层对，半导体层对包括沿第二水平方向间隔分布的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括沿第二水平方向分布的第一源漏区、第一沟道区和第一漏源区，第二半导体层包括沿第二水平方向分布的第二源漏区、第二沟道区和第二漏源区，第一漏源区和第二漏源区相对设置；多个位线对，每一位线对包括沿第二水平方向间隔分布的第一位线和第二位线，在第一水平方向上，第一位线与多个第一漏源区耦接，第二位线与多个第二漏源区耦接；屏蔽层沿第一水平方向延伸，在竖直方向上，屏蔽层至少位于两个位线对之间。可降低位线间的耦合效应。

今年以来长鑫科技新获得专利授权50个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元，同比增51.27%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1090次；财产线索方面有商标信息428条，专利信息737条，著作权信息25条；此外企业还拥有行政许可44个。

数据来源：企查查

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