晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件和半导体器件的制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件和半导体器件的制造方法”，专利申请号为CN202511861935.3，授权日为2026年11月6日。

专利摘要：本申请提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体衬底设置有从第一表面延伸至半导体衬底中的沟道区、源区和漏区，源区和漏区分别设置在沟道区的两侧；源极，源极设置在源区的上方；漏极，漏极设置在漏区的上方；栅极，栅极设置在沟道 区的上方，栅极包括第一部分和第二部分，第一部分靠近源极，第二部分靠近漏极，第一部分由第一材料制成，第二部分由第二材料制成，第一材料的功函数大于第二材料的功函数。根据本申请，能够减小漏电流，并降低短沟道效应。

今年以来晶合集成新获得专利授权425个，较去年同期增加了31.17%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.09亿元，同比减12.32%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目665次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1901条，著作权信息20条；此外企业还拥有行政许可36个。

数据来源：企查查

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