一博科技获得发明专利授权：“一种提高电源网络PDN阻抗仿真效率的方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示一博科技（301366）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种提高电源网络PDN阻抗仿真效率的方法”，专利申请号为CN202310920822.0，授权日为2026年10月27日。

专利摘要：本发明涉及一种提高电源网络PDN阻抗仿真效率的方法，提出所有电容端口，生成包含有多个电容端口的多端口s参数文件，与负载芯片端口的s参数组成多端口级联模型，以等效电源网络；在电容端口进行更迭替换，以优化PDN阻抗。本发明将集成在负载芯片内的所有电容模型提取至负载端口外部，在PDN曲线优化过程中，实现对每个电容端口的s参数直接进行更迭替换，无需再次调用电容模型库、修改电容封装名，也不用赋予新的电容模型至负载芯片；本发明实现通过预留电容端口的S参数位置直接去调整参数，每一次迭代仿真速度非常快，只需要不到一分钟的时间就能完成，提高了电源网络PDN阻抗仿真效率。

今年以来一博科技新获得专利授权32个，较去年同期增加了23.08%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6907.66万元，同比增13.57%。

通过天眼查大数据分析，深圳市一博科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目77次；财产线索方面有商标信息6条，专利信息394条，著作权信息10条；此外企业还拥有行政许可17个。

数据来源：企查查

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。