据报英飞凌（IFNNY）拟斥资11亿欧元建设全球首座300毫米氮化镓晶圆厂

金吾财讯 | 据外媒报道，德国半导体巨头英飞凌（IFNNY）宣布，将投资11亿欧元（约合12.3亿美元）扩建其位于奥地利菲拉赫的芯片生产基地，用于打造全球首座基于300毫米（12英寸）晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体量产工厂。据测算，与主流的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆单盘可容纳的芯片数量增至2.3倍，产能大幅提升。英飞凌方面表示，该项投资将重点支持数据中心电源需求，并推动氮化镓技术在人工智能、能源基础设施、电动汽车及机器人等关键领域的规模化应用。