10月21日，据财闻海外资讯，已被英伟达（NVDA）(NVDA.US)实质收购的AI半导体（881121）企业Groq，正计划在下一代芯片采用DRAM三维堆叠封装技术，以DRAM替代传统SRAM，旨在大幅提升芯片存储容量。据悉，Groq准备采用的方案为3DS(3D Stacked Memory，3D堆叠内存)。该方案利用硅通孔TSV垂直互连DRAM芯片，虽与HBM同样使用TSV技术，但HBM重点...
网页链接10月21日，据财闻海外资讯，已被英伟达（NVDA）(NVDA.US)实质收购的AI半导体（881121）企业Groq，正计划在下一代芯片采用DRAM三维堆叠封装技术，以DRAM替代传统SRAM，旨在大幅提升芯片存储容量。据悉，Groq准备采用的方案为3DS(3D Stacked Memory，3D堆叠内存)。该方案利用硅通孔TSV垂直互连DRAM芯片，虽与HBM同样使用TSV技术，但HBM重点...
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