快科技10月9日消息，ASML与光学合作伙伴蔡司近日在《微纳米图案化、材料与计量期刊》发表同行评审论文，正式公布目前最强光刻机High NA EUV接班人——Hyper NA EUV光刻机。论文称，这款接替High NA的设备预计约10年后准备就绪，可实现5nm单次曝光。Hyper NA的核心是将数值孔径从High NA的0.55提升至至少0.75。数值孔径越大，光刻机收集光的能力越强，能分辨的...
网页链接快科技10月9日消息，ASML与光学合作伙伴蔡司近日在《微纳米图案化、材料与计量期刊》发表同行评审论文，正式公布目前最强光刻机High NA EUV接班人——Hyper NA EUV光刻机。论文称，这款接替High NA的设备预计约10年后准备就绪，可实现5nm单次曝光。Hyper NA的核心是将数值孔径从High NA的0.55提升至至少0.75。数值孔径越大，光刻机收集光的能力越强，能分辨的...
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