存储芯片股盘前集体受压 美光科技（MU）跌1.99%、闪迪（SNDK）跌1.94%

金吾财讯 | 美股存储芯片股盘前集体受压，截至发稿，闪迪（SNDK）跌1.94%，Rambus（RMBS）跌0.73%，SK海力士（SKHY）跌1.54%，美光科技（MU）跌1.99%，慧荣科技（SIMO）跌0.72%，西部数据（WDC）跌1.58%，希捷科技（STX）跌0.63%。消息面上，周一韩国存储双雄SK海力士、三星电子于韩股市场全天承压，市场负面情绪也进一步传导至周一美股盘前。其中，三星收跌4.39%。市场分析认为，外资大抛售可能是杀跌的重要原因。韩国交易所数据显示，截至10月7日，外资持有三星电子股份的比例降至46.37%，为2009年7月16日以来最低，约17年新低。外资持有SK海力士的比例为49.59%，自上月底跌破50%后，已连续8个交易日徘徊在49%区间。此外，摩根士丹利最新发布的《存储芯片：传统周期与超级周期之辨》研究报告显示，全球范围史无前例AI热潮正在创造需求更强、持续时间更长的存储芯片超级周期，但供给扩张、价格变化及盈利波动的无可避免传统繁荣——衰退周期规律依然存在。摩根士丹利表示，即将全面开启的财报季真正要验证的，是这些存储芯片巨头们创纪录利润之后还能否持续产生超出预期的增量。即ShawnKim领衔的摩根士丹利策略团队首先看好GPU、ASIC及晶圆代工、先进封装等AI基建核心计算产业链，其次看好光互连与高性能网络基础设施供应链，对存储芯片则采取选择性的精选配置立场，重点寻找结构性增长与大型原厂的战术投资机遇。