应用材料（AMAT）与英特尔（INTC）深化合作 联合研发下一代AI芯片制造技术

金吾财讯 | 应用材料（AMAT）与英特尔（INTC）周二宣布深化合作，共同研发下一代人工智能芯片制造技术。双方将合力攻关下一代晶体管、互连技术以及先进封装技术，研发工作将依托应用材料位于硅谷的EPIC中心、英特尔俄勒冈州希尔斯伯勒研发园区开展。合作将覆盖芯片前道、后道工艺，包含基于Foveros的3D堆叠先进封装技术。应用材料首席执行官兼总裁Gary Dickerson表示，两家企业拥有数十年深度合作基础，持续突破材料工程边界，助力半导体技术迭代；EPIC中心的团队协作，将进一步深化伙伴关系，加速AI计算所需的晶体管、互连与封装技术创新。英特尔首席执行官陈立武称，AI算力需求倒逼性能、能效、封装技术实现重大突破，英特尔正联合生态合作伙伴推进相关创新。应用材料是重要合作方，双方将扩大在EPIC中心的合作，推动技术从实验室快速走向美国大规模量产。