晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202610407639.4，授权日为2026年7月28日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，该方法包括：提供一具有栅极结构层的衬底，栅极结构层包括间隔设置的多个栅极；在栅极结构层背离衬底的一侧，形成栅极之间的牺牲层；在牺牲层背离衬底的一侧形成覆盖牺牲层和栅极结构层的第一氧化层；对第一氧化层进行刻蚀，以暴露牺牲层的上表面；去除牺牲层和位于自对准源漏接触区的第一氧化层和栅极结构层，以形成自对准金属层。本发明的技术方案通过牺牲层的制备与去除，降低了干法蚀刻的深宽比，并且提高了湿法刻蚀的反应空间，使得栅极间的氧化层能够被充分刻蚀，确保了衬底表面的氧化层能够完全清除，提高了自对准金属层的质量，降低了自对准金属层的接触电阻。

今年以来晶合集成新获得专利授权325个，较去年同期增加了43.17%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1750条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。