晶合集成获得发明专利授权：“LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品”，专利申请号为CN202610667846.3，授权日为2026年7月24日。

专利摘要：本申请提供了一种LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品，属于半导体技术领域，所述APC方法包括提供衬底；刻蚀导电层及部分第一氧化层，以形成第二开口，并获取第二开口的CD及第二开口下的第一氧化层的厚度；刻蚀形成第三开口；根据当前批次衬底的第二开口的CD、第三开口的CD及第二开口下的第一氧化层的厚度，结合第一APC模型获得当前批次衬底执行第一离子注入的工艺条件，并基于工艺条件对当前批次衬底执行第一离子注入以调整LDMOS器件的阈值电压。本申请可用于精确、及时地调控LDMOS器件的阈值电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权314个，较去年同期增加了38.33%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1750条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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