深科技获得实用新型专利授权：“一种非侵入式脑电电极”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示深科技（000021）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种非侵入式脑电电极”，专利申请号为CN202521155420.7，授权日为2026年6月26日。

专利摘要：本实用新型涉及脑电信号采集设备技术领域，特别是涉及一种非侵入式脑电电极。目前产品外壳的最低厚度为0.9mm，导电硅胶综合性能最佳的厚度是0.7mm，一般的脑电电极其导电硅胶直接压注在铜触点上，导电硅胶无法完全贴合头部皮肤，极大地影响了脑电信号的采集。本实用新型提供一种非侵入式脑电电极，在导电硅胶和铜触点之间增加了一层锡膏层和一个镀锡铜片，在保持导电硅胶的弹性性能和导电性能最佳的前提下，消除了导电硅胶和产品外壳的高度差，提高了脑电信号的收集质量。

今年以来深科技新获得专利授权9个，较去年同期减少了68.97%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了4.6亿元，同比增8.64%。

通过天眼查大数据分析，深圳长城开发科技股份有限公司共对外投资了26家企业，参与招投标项目140次；财产线索方面有商标信息41条，专利信息651条，著作权信息162条；此外企业还拥有行政许可206个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。