金吾财讯 | 安森美半导体(ON)宣布，正式推出名为“GaNEXUS™”的全新氮化镓（GaN）功率器件产品组合。目前，该系列涵盖40V至650V电压范围的FET产品已开始提供样品，其中包括集成了保护功能的650V GaNEXUS Smart智能芯片。此举标志着安森美在硅(Silicon)和EliteSiC(碳化硅)之外，进一步完善了其智能电源技术版图。GaNEXUS系列将重点瞄准高功耗与高性能应用场景，包括AI数据中心供电、48V系统、机器人、工业自动化以及能源基础设施等。据介绍，随着AI基础设施的大规模部署，高能耗和散热管理成为核心挑战。业界预计到2030年，仅AI数据中心就将消耗美国多达9%的发电量，而电费和冷却成本可占其总运营支出的40%。与传统硅基方案相比，GaNEXUS具备更快的开关速度和更低的开关损耗，可显著降低热应力。同时，在低压和中压系统(如AI服务器48V中间总线转换器、电池备份单元等)中，该产品可将磁性元件尺寸缩小30%至60%，功率密度提升1.5至2倍，整体效率提高0.5%至2%；在高压应用(如AI机架电源、高压DC-DC转换等)中，磁性元件尺寸最多可削减60%，在大规模应用中能显著降低系统运行成本。再者，GaNEXUS系列可与安森美现有的“Treo平台”结合使用，实现集感知、控制、保护于一体的系统级电源解决方案。此外，GaNEXUS Smart 650V芯片内置保护功能，能大幅降低系统风险，简化功率级设计并缩短客户产品的开发与认证周期。安森美半导体GaN部门副总裁Antoine Jalabert表示：“GaNEXUS组合正在为电源系统设计赋能全新的架构。在客户对‘更小空间、更大功率’的追求日益迫切的当下，这一产品赋予了工程师更大的灵活性，帮助他们打破传统电源架构的瓶颈。”截至本文发稿，ON美股盘前股价拉升2.19%，最新报123.55美元。
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