联发科下一代芯片仅采用英特尔EMIB-T先进封装；科创半导体ETF华夏（588170）上涨4.84%，半导体设备ETF华夏（562590）上涨4.93%

截至2026年6月3日13:14，科创半导体ETF华夏(588170)上涨4.84%，半导体设备ETF华夏(562590)上涨4.93%。

消息面上，联发科宣布其下一代芯片将仅采用英特尔的EMIB-T先进封装技术，不再使用台积电的CoWoS方案。联发科在会议中透露，该下一代芯片项目的流片(tape-out)目标定于2026年第四季度，并计划在2027年第四季度进入量产阶段。

相关ETF：科创半导体ETF华夏(588170)及其联接基金(A类：024417；C类：024418)：跟踪指数是科创板唯一的半导体设备主题指数，其中存储芯片含量近80%，先进封装含量在全市场中最高(约59%)，聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

半导体设备ETF华夏(562590)及其联接基金(A类：020356；C类：020357)：跟踪中证半导体材料设备主题指数，其中半导体设备的含量在全市场指数中最高(约63%)，直接受益于全球芯片涨价潮对“卖铲人”(设备商)的确定性需求。