招商证券:长鑫状态更新业绩持续高增 关注存储和上游产业链环节机遇

智通财经网05-18 10:41

智通财经APP获悉,招商证券发布研报称,存储行业缺货预计延续至2027年,国内存储原厂扩产整体有望提速,投产推升设备需求及市场空间,设备、材料及零部件等产业链环节订单及国产化率持续提升,同时存储技术迭代升级带动定制化新品兴起,CBA及先进封装产业链有望受益。考虑到长鑫科技IPO恢复审核、利润及现金流持续向好,建议关注存储和上游产业链环节机遇。

招商证券主要观点如下:

长鑫科技IPO恢复审核,指引单季利润环比持续高增

长鑫科技IPO更新财报并恢复审核,长鑫2025全年营收618.0亿元,同比+155.6%,系产能爬坡释放叠加DRAM价格周期向上,公司主要DRAM产品ASP同比+33.7%;毛利率41.0%,同比+35.4pcts,主要得益于公司规模效应显现以及2025下半年DRAM价格快速上涨;归母净利润18.7亿元,同比+90.2亿元,扣非净利润53.2亿元,同比+131.9亿元。26Q1营收508亿元,同比+719%;归母净利润248亿元,同比+263亿元,扣非净利润263亿元,同比+277亿元。高速增长主要系DRAM产品价格上涨延续叠加公司产销规模的持续增长。公司指引26H1营收1100-1200亿元,同比+612.5-677.3%,归母净利润500-570亿元。经测算26Q2营收592-692亿元,同比+552-662%/环比+16.5-36.2%,归母净利润252-322亿元,环比+1.92%-30.19%。

长鑫全球市场份额有所提升,募资用于扩产及技改升级

长鑫科技现有合肥一期、合肥二期及北京三条12英寸生产线,持续进行产能建设及产品更新迭代,产能及产量均大幅提升,2025年产能利用率和产销率分别为25Q4其DRAM全球市场份额约7.67%,位列全球第四、中国第一。长鑫拟募资295亿元,其中75/130/90亿元分别投向量产线技术升级改造/DRAM技术升级/动态随机存取存储器研发,预计2026年现有三厂产能全部达产。考虑到国内DRAM市场需求约25%以及公司现金流向好,公司产能规模有望持续提升;此外,长鑫表示由于漏电流、成本等物理及商业化挑战,DRAM平面架构演进逼近极限,4F2垂直沟道晶体管和堆叠沟道晶体管架构有望突破扩展性极限。

原厂扩产带动设备/材料/零部件放量,技术升级驱动代工及封测新增长点

1)半导体设备/材料/零部件:国内存储原厂扩产趋势明确,国产率有望提升,随着工艺升级设备材料用量持续增加,同时有望带动相关零部件需求,关注卡位良好的公司。①设备:长鑫表示单座DRAM产线投资超百亿美元,随着制程升级设备投入进一步攀升,有望带动设备开支持续提升,预计存储产线扩产有望提速,国内设备技术水平持续突破,国产化率将持续提升,前道及后道先进封装设备订单增长趋势明确。②零部件:设备厂零部件库存或处于低位,随着存储设备订单向好有望向零部件厂商拉货,零部件订单及收入有望快速增长。③材料:长鑫主要材料采购占比持续提升,2025年化学品/光阻剂/硅片/气体/靶材分别为37.29%/12.16%/8.55%/5.10%/2.21%,国内材料产品工艺能力不断增强,随着产能突破瓶颈后收入利润有望持续增长。2)存储:持续看好本轮由AI推理拉动的存储大周期,当前存储缺货持续加剧,供应很难在短时间内大幅增加,预计供需缺口或将持续至2027年甚至更久,存储合约价涨势同样将延续,产业链公司业绩有望持续高增。3)代工及封测:存储若技术升级有望带动CBA架构放量,同时存储作为算力核心构成,其扩产有望同步带动偏先进逻辑工艺产能提升;存储产品逐渐转向定制化,AI推理驱动HBF等新品逐步开发以填补DRAM与SSD之间性能空缺,其对先进封装也提出更高要求,随着存储定制化产品渗透率的提高及长鑫扩产带来的订单外溢,封测等环节将持续受益。

投资建议

1)半导体设备/材料/零部件:①设备:北方华创中微公司拓荆科技华海清科芯源微微导纳米精测电子中科飞测、硅电股份、长川科技精智达金海通等;②零部件:富创精密江丰电子神工股份正帆科技英杰电气珂玛科技等;③材料:江丰电子、艾森股份、神工股份、鼎龙股份兴福电子上海新阳德邦科技广钢气体安集科技路维光电清溢光电龙图光罩等;2)代工及封测:中芯国际华虹公司燕东微晶合集成长电科技通富微电华天科技汇成股份深科技等。3)存储:①海外原厂:闪迪美光、SK海力士、三星西部数据希捷、铠侠等;②国内原厂:长鑫科技、长江存储;③模组:江波龙佰维存储德明利、大普微、朗科科技等;④利基存储:兆易创新普冉股份北京君正东芯股份恒烁股份聚辰股份等。

风险提示:终端需求不及预期;库存去化不及预期;半导体国产替代进程不及预期;行业竞争加剧等。

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